ダイシング・研磨装置（Dicing and Grinding Equipment）は、半導体ウェハを個々のチップ（ダイ）に切り分ける工程（ダイシング）と、ウェハ裏面を薄型化する工程（バックグラインディング）で使用される後工程装置の総称です。いずれも精密な機械加工技術が核心であり、DISCO（ディスコ）が世界市場で圧倒的なリーダーシップを持ちます。
ダイシング（切断）の主な方式はブレードダイシング（Diamond Blade Dicing）とレーザーダイシング（Laser Dicing）です。ブレードダイシングはダイヤモンド砥粒を埋め込んだ極薄の回転ブレード（厚さ10〜100μm）でウェハを切断する最も一般的な方式です。レーザーダイシングはレーザー光で内部に加工点を形成し割断するインビジブルレーザーダイシング（ILD）が薄型ウェハや微細切断に使われます。DBG（Dicing Before Grinding）は先にダイシングしてからウェハを薄型化する手法で、チッピングを減らし薄型ダイの製造に適しています。
バックグラインディング（Back Grinding：裏面研削）は、前工程完了後のウェハ（通常775μm厚）をパッケージ要件や積層に適した厚さ（50〜300μm、3D IC向けでは<50μm）まで裏面から研削・研磨して薄型化する工程です。粗研削（ホイール研削）→仕上げ研削→ポリッシュ（CMP様の仕上げ）の順で行われます。薄型化されたウェハは割れやすいため、研削中はサポートフィルム（BG tape）がウェハを保護します。
先進パッケージング（3D IC・HBM・チップレット）の普及に伴い、超薄型ダイ（<30μm）へのニーズが高まっています。超薄型ウェハのハンドリングには、サポートウェハへの仮接着（Temporary Bonding）→研削→デボンディング（剥離）というシーケンスが使われ、Brewer Science・3M・信越化学などの仮接着材料と、EV Group・SUSS MicroTecのデボンディング装置が組み合わされます。
ダイシング・研磨装置の主要メーカーはDISCO（世界シェア約70〜80%：DFD・DFG・DAL系）が圧倒的リーダーで、東京精密（ACCRETECH：ADM・AWR系）が続きます。DISCOはブレードダイシング・レーザーダイシング・バックグラインダー・CMP全ての後工程精密加工装置を一貫して提供し、世界の半導体ファブの後工程ラインに深く組み込まれています。