半導体用語集
装置・材料・プロセスの専門用語を収録した知識ベース。
「〜とは」「原理」「他との違い」を分かりやすく解説します。
カテゴリ別用語一覧
全521件の用語をカテゴリ別に掲載
製造プロセス基礎
24件露光・リソグラフィ
41件- ArF(フッ化アルゴン露光)とは→
- ArF液浸リソグラフィとは→
- DSA(誘導自己組織化)とは→
- DUV(深紫外線)とは→
- DUV露光とは→
- EUV(極紫外線)とは→
- EUVレジストとは→
- EUV確率論的効果とは→
- EUV光源とは→
- EUV露光とは→
- High-NA EUV露光とは→
- i線ステッパーとは→
- KrF(フッ化クリプトン露光)とは→
- NA(開口数)とは→
- OPC(光近接効果補正)とは→
- オーバーレイとは→
- コーター/デベロッパとは→
- スキャナー(露光)とは→
- ステッパ(縮小投影露光装置)とは→
- スピンオンカーボンとは→
- ソースマスク最適化とは→
- ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とは→
- ハードマスクとは→
- フォトマスクとは→
- フォトレジストとは→
- ペリクルとは→
- マスクブランクとは→
- マスク誤差増幅係数とは→
- マスク修正とは→
- マルチパターニングとは→
- ラインエッジラフネス(LER)とは→
- レーリーの式(解像度・焦点深度)とは→
- レジスト(フォトレジスト)とは→
- レチクル(フォトマスク)とは→
- 位相シフトマスク(PSM)とは→
- 液浸露光(ArF液浸リソグラフィ)とは→
- 自己整合ダブルパターニングとは→
- 自己組織化単分子膜(SAM)とは→
- 電子ビーム描画とは→
- 反射防止膜とは→
- 露光(リソグラフィ)とは→
成膜(CVD / ALD / PVD)
23件- ALDとは→
- ALD(原子層堆積)とは→
- CVDとは→
- CVD(化学気相成長)とは→
- ECD(電解めっき・電気化学堆積)とは→
- EOT(等価酸化膜厚)とは→
- High-k誘電体とは→
- HKMG(High-k/Metal Gate)とは→
- Low-k絶縁膜(低誘電率材料)とは→
- LPCVDとは→
- MOCVDとは→
- PECVDとは→
- PVDとは→
- RMG(リプレースメントメタルゲート)とは→
- SOG(スピンオングラス)とは→
- ゲートスタックとは→
- ステップカバレッジ(段差被覆性)とは→
- スパッタリングとは→
- バリアメタルとは→
- メタルゲート材料(TiN/TaN)とは→
- 強誘電体ハフニウム酸化物(HZO)とは→
- 仕事関数メタル(WF Metal)とは→
- 層間絶縁膜(ILD)とは→
エッチング
16件CMP・平坦化
15件洗浄
16件検査・計測
25件- APC(先進プロセス制御)とは→
- CD-SEMとは→
- OCD(光学的臨界寸法計測)とは→
- SEM(走査型電子顕微鏡)とは→
- SIMS(二次イオン質量分析)とは→
- SPC(統計的工程管理)とは→
- アクティニック検査とは→
- ウェハ検査とは→
- エッジプレースメントエラーとは→
- オーバーレイ計測とは→
- シート抵抗(四探針測定)とは→
- バーチャルメトロロジーとは→
- プロセス管理とは→
- マスク検査とは→
- ロジックプロセス歩留まりランプアップとは→
- 計測(メトロロジー)とは→
- 欠陥検査とは→
- 検査とは→
- 原子間力顕微鏡(AFM)とは→
- 光学的クリティカルディメンション計測とは→
- 電子ビーム検査とは→
- 透過型電子顕微鏡(TEM)とは→
- 歩留まり(イールド)とは→
- 歩留まり管理とは→
- 膜厚計測とは→
後工程・先進パッケージング
65件- 2.5Dパッケージングとは→
- 3D-IC(三次元積層集積回路)とは→
- BGA(ボールグリッドアレイ)とは→
- C4バンプ(はんだバンプ)とは→
- CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)とは→
- CSP(チップスケールパッケージ)とは→
- EMIB(埋め込みマルチダイ相互接続ブリッジ)とは→
- FOPLP(ファン・アウトパネルレベルパッケージング)とは→
- Foveros(Intel 3D積層技術)とは→
- HBM(高帯域幅メモリ)とは→
- InFO(ファン・アウトウェハレベルパッケージング)とは→
- PLP(パネルレベルパッケージング)とは→
- PoP(パッケージオンパッケージ)とは→
- QFNパッケージとは→
- QFP(クアッドフラットパッケージ)とは→
- SiP(システムインパッケージ)とは→
- SoIC(TSMC 3D集積)とは→
- TSV(貫通シリコンビア)とは→
- UCIeとは→
- WLCSP(ウェハレベルチップスケールパッケージ)とは→
- アンダーフィルとは→
- インターポーザーとは→
- ウェッジボンディングとは→
- ウェハボンダーとは→
- ウェハボンディングとは→
- ウェハ薄化とは→
- ガラスコア基板とは→
- クリップボンディングとは→
- コンプレッションモールドとは→
- シリコンフォトニクスとは→
- ステルスダイシングとは→
- スルーモールドビア(TMV)とは→
- ダイアタッチフィルム(DAF)とは→
- ダイシング・研磨とは→
- ダイボンダー 2とは→
- ダイボンディング(ダイアタッチ)とは→
- チップレットとは→
- テストハンドラーとは→
- トランスファーモールドとは→
- ハイブリッドボンディングとは→
- バックグラインダー(裏面研削)とは→
- パッケージングとは→
- パッケージ基板とは→
- ヒートスプレッダ/ヒートシンクとは→
- ファンアウトウェーハレベルパッケージとは→
- フラックス(はんだ付け用)とは→
- フリップチップとは→
- ブレードダイシングとは→
- ボイド(パッケージ内の空隙欠陥)とは→
- ボールボンディングとは→
- マイクロバンプとは→
- モールディング装置(封止装置)とは→
- モールド樹脂(封止材・EMC)とは→
- リードフレームとは→
- レーザーダイシングとは→
- ワイヤボンダーとは→
- 異方性導電膜(ACF)とは→
- 共晶接合とは→
- 銀焼結接合とは→
- 再配線層とは→
- 信頼性試験とは→
- 先進パッケージングとは→
- 先端パッケージングとは→
- 銅ピラーバンプとは→
- 熱圧着接合(TCB)とは→
イオン注入・熱処理
15件テスト装置
9件テスト・信頼性
26件- ATPG(自動テストパターン生成)とは→
- BIST(自己テスト機能)とは→
- DPPM(テストエスケープ)とは→
- ESD耐性試験(HBM・CDM)とは→
- HAST(高加速寿命試験)とは→
- HTOL(高温動作寿命試験)とは→
- MSL(耐湿性レベル)とは→
- NBTI(負バイアス温度不安定性)とは→
- TDDB(酸化膜経時破壊)とは→
- アダプティブテストとは→
- エレクトロマイグレーションとは→
- システムレベルテストとは→
- スキャンテストとは→
- ストレスマイグレーションとは→
- テスト容易化設計とは→
- バーンインとは→
- バウンダリスキャン(JTAG)とは→
- バスタブ曲線とFITとは→
- プローブカードとは→
- ホットキャリア注入(HCI)とは→
- ラッチアップとは→
- 温度サイクル試験とは→
- 加速モデル(アレニウス則)とは→
- 故障カバレッジとは→
- 故障解析(FA)とは→
- 縮退故障モデルとは→
プロセスノード・デバイス構造
34件- 2nmプロセスとは→
- 3nmプロセスとは→
- 5nmプロセスとは→
- 7nmプロセスとは→
- BiCMOSとは→
- CCDイメージセンサとは→
- CMOSとは→
- CMOSイメージセンサー(CIS)とは→
- CMOSインバータとは→
- FD-SOI(完全空乏型SOI)とは→
- FinFETとは→
- GAA(Gate-All-Around)とは→
- GAA(全周ゲートトランジスタ)とは→
- Intel 18A / Intel 3プロセスとは→
- MOSFETとは→
- RF半導体(高周波半導体)とは→
- SoC(システムオンチップ)とは→
- TSMC N2プロセスとは→
- キンク効果(半導体)とは→
- ゲート酸化膜とは→
- コンタクト抵抗とは→
- シリサイドとは→
- チャネル長変調とは→
- トランジスタとは→
- フェルミレベルピニングとは→
- メモリプロセスとは→
- リーク電流とは→
- ロジックプロセスとは→
- 多層配線とは→
- 短チャネル効果(SCE)とは→
- 反転層とは→
- 裏面照射型イメージセンサ(BSI)とは→
- 歪シリコン(ひずみシリコン)とは→
- 閾値電圧(Vth)とは→
次世代アーキテクチャ
16件設計・アーキテクチャ
11件メモリ
22件- 3D NANDとは→
- DDR4メモリとは→
- DDR5(第5世代SDRAM)とは→
- DRAM(ダイナミックRAM)とは→
- EUV適用DRAMとは→
- FeRAM(強誘電体メモリ)とは→
- GDDR6メモリとは→
- HBM3E(第3.5世代高帯域幅メモリ)とは→
- HBM4(第4世代高帯域幅メモリ)とは→
- LPDDR5X(低消費電力DDR5X)とは→
- LPDDR5メモリとは→
- MRAM(磁気抵抗RAM)とは→
- NANDフラッシュメモリとは→
- NOR型フラッシュメモリとは→
- ReRAM(抵抗変化メモリ)とは→
- SRAM(静的RAM)とは→
- セルキャパシタとは→
- チャージトラップフラッシュとは→
- フラッシュメモリとは→
- 相変化メモリ(PCM / PCRAM)とは→
- 多値セル(MLC/TLC/QLC)とは→
- 埋め込みワード線とは→
パワー半導体
16件半導体材料
27件基礎概念
46件- ASIC(特定用途向け集積回路)とは→
- CPUとは→
- EDA(電子設計自動化)とは→
- FET(電界効果トランジスタ)とは→
- FPGA(フィールドプログラマブルゲートアレイ)とは→
- GPU(グラフィックス処理ユニット)とは→
- HEMT(高電子移動度トランジスタ)とは→
- IMEC(アイメック)とは→
- IPコア(半導体IP)とは→
- LED(発光ダイオード)とは→
- N型半導体とP型半導体とは→
- pn接合とは→
- ショットキーバリアダイオードとは→
- ダイオードとは→
- ツェナーダイオード(定電圧ダイオード)とは→
- ディープラーニング(深層学習)とは→
- ディスクリート半導体(個別半導体)とは→
- ドナーとアクセプタとは→
- トラップ(キャリアトラップ)とは→
- トンネル効果とは→
- バイポーラトランジスタとは→
- バンド理論とは→
- ファブレス・ファウンドリ・IDMとは→
- フェルミ準位とは→
- フォトダイオードとは→
- ムーアの法則とは→
- レーザダイオード(半導体レーザ)とは→
- 移動度(キャリア移動度)とは→
- 液晶ディスプレー(LCD)とは→
- 価電子帯とは→
- 機械学習とは→
- 禁止帯(バンドギャップ)とは→
- 空乏層とは→
- 再結合(キャリアの再結合)とは→
- 仕事関数とは→
- 集積回路とは→
- 真性半導体とは→
- 人工知能とは→
- 正孔(ホール)とは→
- 太陽電池(太陽光発電)とは→
- 伝導帯とは→
- 電子親和力とは→
- 内蔵電位とは→
- 白色LEDとは→
- 半導体とは→
- 有効質量とは→
ファブ・インフラ
17件装置部品・消耗品
25件- EFEM(装置フロントエンドモジュール)とは→
- FOSB(ウェハ出荷容器)とは→
- Oリング・シール材とは→
- RF電源(高周波電源)とは→
- イットリア溶射コーティング(耐プラズマ被膜)とは→
- インピーダンス整合器(マッチングボックス)とは→
- ガスボックス(ガスパネル)とは→
- ガス精製器・ガスフィルタとは→
- クライオポンプとは→
- ゲートバルブ/スリットバルブとは→
- サセプタとは→
- シャワーヘッドとは→
- セラミックヒーター(AlNヒーター)とは→
- ターボ分子ポンプ(TMP)とは→
- ダイヤフラムバルブとは→
- チャンバーライナー(デポシールド)とは→
- ドライ真空ポンプとは→
- フォーカスリング(エッジリング)とは→
- マスフローコントローラ(MFC)とは→
- リモートプラズマ源(RPS)とは→
- ロードポートとは→
- ロードロック室とは→
- 真空計とは→
- 静電チャック(ESC)とは→
- 石英部品(石英ガラス部材)とは→
ウェハ製造・基板加工
26件- COP(結晶起因ピット)とは→
- GaN-on-Si(シリコン上GaN)とは→
- PVT法(昇華法)とは→
- SiCウェハ(炭化ケイ素基板)とは→
- アニールウェハ(水素・Arアニール)とは→
- ウェハ平坦度(TTV・SFQR・GBIR)とは→
- エピタキシャルウェハ(エピウェハ)とは→
- オリフラ・ノッチとは→
- カーフロス(切り代)とは→
- ゲッタリングとは→
- サファイア基板とは→
- シリコンインゴットとは→
- シリコンウェハとは→
- シリコンウェハ製造(ウェハプロセス)とは→
- チョクラルスキー法(CZ法)とは→
- ナノトポグラフィとは→
- フローティングゾーン法(FZ法)とは→
- ベベル(面取り・エッジプロファイル)とは→
- ラッピング(遊離砥粒研磨)とは→
- レーザースライシングとは→
- ワイヤーソーとは→
- 格子間酸素(Oi)とは→
- 再生ウェハ(リクレームウェハ)とは→
- 種結晶(シードクリスタル)とは→
- 反り(Bow・Warp)とは→
- 両面研磨(DSP)とは→
関連ページ
用語を調べた後は、装置カテゴリやメーカー情報へ。
よくある質問(FAQ)
半導体用語集に関するよくある質問をまとめています。
半導体用語集には何件収録されていますか?
現在521件の専門用語を収録しています。露光(EUV/DUV/ArFi)・エッチング・成膜(CVD/ALD/MOCVD)・CMP・洗浄・検査・計測・先進パッケージング(TSV/HBM/チップレット)・SiC/GaNなど、前工程から後工程まで主要カテゴリを網羅しています。
EUV露光装置とDUV露光装置の違いは何ですか?
EUVは波長13.5nmの極端紫外線を使用し、7nm以下の最先端プロセスに使われます。DUVはArF液浸(193nm)などを用い、より広いノード範囲で使われます。EUV露光装置はASMLのみが量産しており、1台200億円超です。
CVDとALDの違いは何ですか?
CVD(化学気相成長)は連続的に原料ガスを供給して薄膜を堆積します。ALD(原子層堆積)は原料を1種類ずつ交互に供給し、1原子層単位で成膜します。ALDはFinFETやHigh-kゲート絶縁膜など、極薄・均一な膜が求められる用途で主流です。
CD-SEMとは何ですか?
CD-SEM(Critical Dimension Scanning Electron Microscope)は、回路パターンの線幅(CD)をナノメートル単位で計測する装置です。露光・エッチング後の寸法管理に不可欠で、日立ハイテクが世界シェア約80%を持ちます。
前工程と後工程の違いは?
前工程はシリコンウェハ上にトランジスタと配線を形成する工程(露光・エッチング・成膜・CMP・洗浄・検査等)です。後工程はウェハをチップに切り出し(ダイシング)、パッケージに実装・封止・テストする工程です。
半導体製造プロセスの基本的な流れは?
シリコンウェハを出発点に、①成膜(CVD/PVD/ALD)②フォトレジスト塗布③露光(EUV/DUV)④現像⑤エッチング⑥洗浄のサイクルを数十〜百回以上繰り返して回路を形成します。その後ダイシング・パッケージング・テストを経て完成品になります。
装置カテゴリと用語集はどう違いますか?
装置カテゴリページは装置の種類・分類・関連メーカーを一覧します。用語集は「〜とは」「原理」「他装置との違い・比較」など理解を深める解説に特化しており、それぞれ装置カテゴリ・メーカー情報へのリンクも提供しています。
※ 各用語ページには関連装置カテゴリ・メーカー情報へのリンクを掲載しています。用語・解説は随時追加予定です。