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半導体用語集
装置・材料・プロセスの専門用語を「〜とは」「原理」「違い」で解説しています。検索・カテゴリ・五十音・製造工程の順から探せます。
01カテゴリ別用語一覧
全969件。検索で絞り込むか、カテゴリから辿れます。
日本語・英語・略称のどれでも引けます（「ウエハ」「ウェーハ」は同じ扱い）。Enter で最上位の用語へ移動します。
テーマ基板・材料・パターン形成・デバイス構造・検査・計測・後工程・テスト・デバイス・設計・装置・ファブ・産業・基礎
THEME 1基板・材料
ウェハ製造・基板加工
47件200mmウェハ（8インチウェハ）とは→300mmウェハ（12インチウェハ）とは→COP（結晶起因ピット）とは→GaN-on-Si（シリコン上GaN）とは→Grown-in欠陥（成長時導入欠陥）とは→ITOX（内部熱酸化・SIMOX）とは→MCZ法（磁場印加チョクラルスキー法）とは→PVT法（昇華法）とは→SiCウェハ（炭化ケイ素基板）とは→アニールウェハ（水素・Arアニール）とは→ウェハ平坦度（TTV・SFQR・GBIR）とは→エピタキシャルウェハ（エピウェハ）とは→
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オリフラ・ノッチとは→カーフロス（切り代）とは→ゲッタリングとは→サファイア基板とは→サブストレート（基板）とは→シリコンインゴットとは→シリコンウェハとは→シリコンウェハ製造（ウェハプロセス）とは→スマートカット（SOIウェハの製法）とは→スリップ（スリップ転位）とは→スワール欠陥とは→チョクラルスキー法（CZ法）とは→ディンプルとは→ナノトポグラフィとは→ネッキング（ダッシュネック）とは→バルク（バルクシリコン）とは→フローティングゾーン法（FZ法）とは→ベベル（面取り・エッジプロファイル）とは→マイクロラフネスとは→ラッピング（遊離砥粒研磨）とは→るつぼ（ルツボ・坩堝）とは→レーザースライシングとは→ワイヤーソーとは→温度勾配法（VGF法・溶液成長）とは→格子間酸素（Oi）とは→再生ウェハ（リクレームウェハ）とは→酸素析出物（BMD）とは→仕上げ研磨（ファイナルポリッシュ）とは→種結晶（シードクリスタル）とは→垂直ブリッジマン法（VB法）とは→双晶（ツイン）とは→転位密度（エッチピット密度・EPD）とは→反り（Bow・Warp）とは→両面研磨（DSP）とは→劈開（へき開）とは→
半導体材料
51件2D材料（二次元材料）とは→ABFフィルムとは→EUVペリクルとは→GaAs（ヒ化ガリウム）とは→GaN（窒化ガリウム）とは→hBN（六方晶窒化ホウ素）とは→IGZO（酸化物半導体）とは→II-VI族化合物半導体（ZnS・CdS・CdTe）とは→InP（リン化インジウム）とは→LTPS（低温ポリシリコン）とは→MEMSとは→SiC（炭化シリコン）とは→
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SiGe（シリコンゲルマニウム）とは→SOI（シリコン・オン・インシュレータ）とは→TEOS（テトラエトキシシラン）とは→オクテット則とは→カーボンナノチューブとは→グラフェンとは→ケイ素（シリコン）とは→ゲルマニウムチャネルとは→コバルト配線とは→ダイヤモンド構造とは→タングステン（W）とは→バッファ層とは→フランク・リード源とは→ポリシリコン（多結晶シリコン）とは→ミラー指数とは→モリブデン配線とは→ルテニウム配線とは→化合物半導体とは→格子定数とは→共有結合とは→結晶系（7晶系とブラベー格子）とは→結晶欠陥（格子欠陥）とは→結晶構造とは→結晶粒界とは→積層欠陥（スタッキングフォルト）とは→遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD・MoS2）とは→塑性変形とは→相転移とは→単結晶とは→窒化アルミニウム（AlN）とは→転位とは→点欠陥（空孔・格子間原子）とは→電子グレード薬品（高純度薬液）とは→銅（Cu）とは→特殊ガス・プロセスガスとは→半導体材料とは→半導体材料とは→面方位とは→有機半導体とは→
THEME 2パターン形成
露光・リソグラフィ
63件ArF（フッ化アルゴン露光）とは→ArF液浸リソグラフィとは→DSA（誘導自己組織化）とは→DUV（深紫外線）とは→DUV露光とは→EUV（極紫外線）とは→EUVレジストとは→EUV確率論的効果とは→EUV光源とは→EUV露光とは→High-NA EUV露光とは→HMDS（ヘキサメチルジシラザン）とは→
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HSQ（水素シルセスキオキサン）とは→ILT（逆リソグラフィ技術）とは→i線ステッパーとは→KrF（フッ化クリプトン露光）とは→NA（開口数）とは→OPC（光近接効果補正）とは→PEB（露光後ベーク）とは→TMAH（水酸化テトラメチルアンモニウム）とは→アライメント（位置合わせ）とは→エキシマレーザとは→エッジリンス（EBR）とは→オーバーレイとは→クーロン効果（電子ビームの空間電荷効果）とは→コーター/デベロッパとは→スカム（レジスト残渣）とは→スキャナー（露光）とは→ステッパ（縮小投影露光装置）とは→スピンオンカーボンとは→スピンコート（回転塗布）とは→ソースマスク最適化とは→ナノインプリントリソグラフィ（NIL）とは→ノボラック樹脂とは→ハードマスクとは→フォトマスクとは→フォトレジストとは→プロセスウィンドウとは→ペリクルとは→マスクブランクとは→マスク誤差増幅係数とは→マスク修正とは→マルチパターニングとは→メタルオキサイドレジスト（MOR）とは→ラインアンドスペース（L/S）とは→ラインエッジラフネス（LER）とは→ランアウト（スケーリング誤差）とは→リフトオフ（リフトオフ法）とは→レーリーの式（解像度・焦点深度）とは→レジスト（フォトレジスト）とは→レジストレーション（パターン位置精度）とは→レチクル（フォトマスク）とは→レベリング（フォーカス・レベリング）とは→位相シフトマスク（PSM）とは→液浸露光（ArF液浸リソグラフィ）とは→化学増幅型レジスト（CAR）とは→自己整合ダブルパターニングとは→自己組織化単分子膜（SAM）とは→斜光照明（斜入射照明・変形照明）とは→電子ビーム描画とは→反射防止膜とは→膨潤とは→露光（リソグラフィ）とは→
成膜（CVD / ALD / PVD）
45件ALDとは→ALD装置（原子層堆積装置）とは→BPSG・PSG（ボロンリンシリケートガラス）とは→CVDとは→CVD（化学気相成長）とは→ECD（電解めっき・電気化学堆積）とは→EOT（等価酸化膜厚）とは→HDP-CVD（高密度プラズマCVD）とは→High-k誘電体とは→HKMG（High-k/Metal Gate）とは→Low-k絶縁膜（低誘電率材料）とは→LPCVDとは→
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MBE（分子線エピタキシー）とは→MOCVDとは→NSG（ノンドープシリケートガラス）とは→PECVDとは→PVDとは→RMG（リプレースメントメタルゲート）とは→SOG（スピンオングラス）とは→オーバーハングとは→ゲートスタックとは→コリメータ（コリメートスパッタ）とは→シームとは→スカベンジャ（捕捉剤）とは→ステップカバレッジ（段差被覆性）とは→スパッタリングとは→スパッタリングターゲットとは→パッシベーション（保護膜）とは→バリアメタルとは→プリカーサー（前駆体）とは→マグネトロンスパッタとは→メタルゲート材料（TiN/TaN）とは→めっき添加剤（アクセラレータ・サプレッサ・レベラー）とは→化学量論的組成（ストイキオメトリ）とは→強誘電体ハフニウム酸化物（HZO）とは→酸化膜（シリコン酸化膜）とは→酸窒化膜（SiON）とは→仕事関数メタル（WF Metal）とは→真空蒸着（電子ビーム蒸着）とは→絶縁膜とは→層間絶縁膜（ILD）とは→直流放電（グロー放電）とは→膜応力（内部応力）とは→流動性CVD（FCVD）とは→領域選択成膜（ASD）とは→
エッチング
34件ALE（原子層エッチング）とは→ARDE（アスペクト比依存エッチング）とは→CCP（容量結合プラズマ）とは→ECRプラズマ（電子サイクロトロン共鳴）とは→ICP（誘導結合プラズマ）とは→RIEとは→アスペクト比とは→アッシングとは→イオン化（電離）とは→ウェットエッチングとは→エッチバックとは→エッチングとは→
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エッチングとは→オーバーエッチとは→セルフバイアス（自己バイアス・Vdc）とは→チャージアップ（帯電）とは→トムソン散乱（レーザートムソン散乱法）とは→ドライエッチングとは→ノッチング（エッチング形状）とは→ファセットとは→プラズマ（半導体製造）とは→プラズマエッチングとは→プラズマシース（シース）とは→プラズマ発光分光（OES）とは→ボーイング（エッチング形状）とは→ボッシュプロセスとは→マイクロローディング効果とは→ラジカル（フリーラジカル）とは→解離（プラズマ中の分子の分解）とは→原子層エッチング（ALE）とは→衝突断面積とは→選択比（エッチング）とは→等方性エッチング・異方性エッチングとは→反応副生成物とは→
THEME 3デバイス構造
プロセスノード・デバイス構造
47件2nmプロセスとは→3nmプロセスとは→5nmプロセスとは→7nmプロセスとは→BiCMOSとは→CCDイメージセンサとは→CMOSとは→CMOSイメージセンサー（CIS）とは→CMOSインバータとは→CPP・メタルピッチ（ゲートピッチ・配線ピッチ）とは→DIBL（ドレイン誘起障壁低下）とは→FD-SOI（完全空乏型SOI）とは→
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FinFETとは→GAA（Gate-All-Around）とは→GAA（全周ゲートトランジスタ）とは→Intel 18A / Intel 3プロセスとは→MMIC（モノリシックマイクロ波集積回路）とは→MOSFETとは→RF半導体（高周波半導体）とは→SoC（システムオンチップ）とは→TSMC N2プロセスとは→キンク効果（半導体）とは→ゲートカット（CMG）とは→ゲート酸化膜とは→ゲート容量とは→コンタクト抵抗とは→サブスレッショルド領域（サブスレッショルドスイング）とは→シリサイドとは→チャネル長変調とは→デュアルゲートとは→トランジスタとは→トランジスタ密度（MTr/mm²）とは→ピンチオフとは→フェルミレベルピニングとは→メモリプロセスとは→リーク電流とは→ロジックプロセスとは→ロジック半導体（ロジックIC）とは→成熟ノード（レガシープロセス）とは→多層配線とは→短チャネル効果（SCE）とは→反転層とは→微細化（スケーリング）とは→表面ラフネス散乱（界面ラフネス散乱）とは→裏面照射型イメージセンサ（BSI）とは→歪シリコン（ひずみシリコン）とは→閾値電圧（Vth）とは→
THEME 4検査・計測
検査・計測
47件APC（先進プロセス制御）とは→C-V測定（容量-電圧測定）とは→CD-SEMとは→EDX（エネルギー分散型X線分析・EDS）とは→FIB（集束イオンビーム）とは→in-situ（インシチュ）とは→LPD（輝点欠陥）とは→OCD（光学的臨界寸法計測）とは→PSL標準粒子（ポリスチレンラテックス粒子）とは→SEM（走査型電子顕微鏡）とは→SIMS（二次イオン質量分析）とは→SPC（統計的工程管理）とは→
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TXRF（全反射蛍光X線分析）とは→XANES（X線吸収端近傍構造）とは→XPS（X線光電子分光法）とは→XRD（X線回折）とは→XRF（蛍光X線分析）とは→アクティニック検査とは→インライン（インライン計測・検査）とは→ウェハ検査とは→エッジプレースメントエラーとは→エリプソメトリ（分光エリプソメトリ）とは→オーバーレイ計測とは→カンチレバーとは→シート抵抗（四探針測定）とは→バーチャルメトロロジーとは→ファンデルパウ法とは→フォトルミネセンス（PL）とは→プロセス管理とは→ホール効果測定とは→マスク検査とは→ラマン分光法とは→ロジックプロセス歩留まりランプアップとは→化学シフト（XPS）とは→均一性（面内均一性・面間均一性）とは→計測（メトロロジー）とは→欠陥（ディフェクト）とは→欠陥検査とは→検査とは→原子間力顕微鏡（AFM）とは→光学的クリティカルディメンション計測とは→四探針法とは→電子ビーム検査とは→透過型電子顕微鏡（TEM）とは→歩留まり（イールド）とは→歩留まり管理とは→膜厚計測とは→
THEME 5後工程・テスト
後工程・先進パッケージング
106件2.5Dパッケージングとは→3D-IC（三次元積層集積回路）とは→BGA（ボールグリッドアレイ）とは→C4バンプ（はんだバンプ）とは→CCL（銅張積層板）とは→CoPoS（パネル版CoWoS）とは→CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）とは→CSP（チップスケールパッケージ）とは→EMIB（埋め込みマルチダイ相互接続ブリッジ）とは→FOPLP（ファン・アウトパネルレベルパッケージング）とは→Foveros（Intel 3D積層技術）とは→FR-4（ガラスエポキシ基板）とは→
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HBM（高帯域幅メモリ）とは→InFO（ファン・アウトウェハレベルパッケージング）とは→LOC（リードオンチップ）とは→PLCC（プラスチック・リーデッド・チップ・キャリア）とは→PLP（パネルレベルパッケージング）とは→PoP（パッケージオンパッケージ）とは→QFNパッケージとは→QFP（クアッドフラットパッケージ）とは→SiP（システムインパッケージ）とは→SoIC（TSMC 3D集積）とは→SOP・SOJ（スモールアウトラインパッケージ）とは→TGV（ガラス貫通電極）とは→TIM（熱界面材料）とは→TSV（貫通シリコンビア）とは→UCIeとは→WLCSP（ウェハレベルチップスケールパッケージ）とは→アンダーフィルとは→インターポーザーとは→ウェッジボンディングとは→ウェハボンダーとは→ウェハボンディングとは→ウェハ薄化とは→ウォータージェットとは→エアベント（モールド金型の空気抜き）とは→カーケンドールボイドとは→ガラスコア基板とは→キャビティ（パッケージ・金型）とは→キャピラリ（ボンディングキャピラリ）とは→キュア（硬化）とは→クリップボンディングとは→コプラナリティ（端子の平坦度）とは→コンプレッションモールドとは→サーマルビアとは→シリコンフォトニクスとは→スクライブライン（ダイシングストリート）とは→スタンドオフ（はんだ接合の高さ）とは→ステルスダイシングとは→スルーホール（貫通穴・挿入実装）とは→スルーモールドビア（TMV）とは→ソフトランディング（低衝撃の着地制御）とは→ソルダーレジストとは→ダイアタッチフィルム（DAF）とは→ダイシング・研磨とは→ダイボンダー 2とは→ダイボンディング（ダイアタッチ）とは→チップレットとは→ディスペンサ（液剤塗布装置）とは→テストハンドラーとは→トランスファーモールドとは→ハイブリッドボンディングとは→バックグラインダー（裏面研削）とは→パッケージングとは→パッケージ基板とは→パッケージ反り（ワーページ）とは→はんだディップ（はんだ付け性試験）とは→はんだボールとは→ヒートスプレッダ／ヒートシンクとは→ファンアウトウェーハレベルパッケージとは→フィデューシャルマークとは→フィレットとは→フラックス（はんだ付け用）とは→フリップチップとは→プリント基板（PCB）とは→ブレードダイシングとは→ボイド（パッケージ内の空隙欠陥）とは→ボールボンディングとは→ポッティング（樹脂封止）とは→ポリイミドとは→ボンディングワイヤとは→マイクロバンプとは→マガジン（リードフレーム収納ケース）とは→モールディング装置（封止装置）とは→モールド樹脂（封止材・EMC）とは→リードフレームとは→リフロー（リフローはんだ付け）とは→レーザーダイシングとは→ワイヤスイープ（ワイヤ流れ）とは→ワイヤボンダーとは→ワイヤボンディングとは→異方性導電膜（ACF）とは→鉛フリーはんだとは→仮接着・デボンディング（TBDB）とは→共晶接合とは→銀焼結接合とは→研削砥石（グラインディングホイール）とは→抗折強度（チップ強度）とは→再配線層とは→信頼性試験とは→先進パッケージングとは→先端パッケージングとは→銅ピラーバンプとは→熱圧着接合（TCB）とは→熱膨張係数（CTE）とは→表面実装（SMT）とは→
テスト・信頼性
45件ATPG（自動テストパターン生成）とは→BIST（自己テスト機能）とは→DPPM（テストエスケープ）とは→ESD耐性試験（HBM・CDM）とは→HAST（高加速寿命試験）とは→HTOL（高温動作寿命試験）とは→MSL（耐湿性レベル）とは→NBTI（負バイアス温度不安定性）とは→OBIRCH（レーザーによる故障箇所の特定）とは→PBTI（正バイアス温度不安定性）とは→PCT（プレッシャークッカー試験）とは→SDC（サイレントデータ破損）とは→
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SILC（ストレス誘起リーク電流）とは→TDDB（酸化膜経時破壊）とは→TEG（テストエレメントグループ）とは→THB試験（高温高湿バイアス試験）とは→アダプティブテストとは→アレニウスプロットとは→ウィスカ（錫ウィスカ）とは→エレクトロマイグレーションとは→コロージョン（腐食）とは→シェア試験（ボールシェア・ダイシェア）とは→システムレベルテストとは→スキャンテストとは→スクリーニング（信頼性スクリーニング）とは→ストレスマイグレーションとは→ゼロディフェクト（ZD・無欠陥）とは→ソフトエラー（α線・中性子）とは→テスト容易化設計とは→バーンインとは→バウンダリスキャン（JTAG）とは→バスタブ曲線とFITとは→ヒロックとは→プローブカードとは→ホットキャリア注入（HCI）とは→ラッチアップとは→ワイブル分布とは→ワイヤプル試験（プルテスト）とは→温度サイクル試験とは→加速モデル（アレニウス則）とは→故障カバレッジとは→故障解析（FA）とは→指数分布（故障率一定のモデル）とは→縮退故障モデルとは→抜き取り検査とは→
THEME 6デバイス・設計
メモリ
36件3D DRAM（三次元DRAM）とは→3D NANDとは→CUA・CBA（周辺回路のセル下配置・貼り合わせ）とは→DDR4メモリとは→DDR5（第5世代SDRAM）とは→DRAM（ダイナミックRAM）とは→ECC（誤り訂正符号）とは→EUV適用DRAMとは→FeRAM（強誘電体メモリ）とは→GDDR6メモリとは→HBM3E（第3.5世代高帯域幅メモリ）とは→HBM4（第4世代高帯域幅メモリ）とは→
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HSG（半球状グレイン）とは→LPDDR5X（低消費電力DDR5X）とは→LPDDR5メモリとは→MRAM（磁気抵抗RAM）とは→NANDストリングとは→NANDフラッシュメモリとは→NOR型フラッシュメモリとは→ReRAM（抵抗変化メモリ）とは→SRAM（静的RAM）とは→インプリント（強誘電体の分極固定）とは→ウェアレベリングとは→エンデュランス（書き換え耐性）とは→セルキャパシタとは→センスアンプとは→チャージトラップフラッシュとは→データリテンション（データ保持）とは→フラッシュメモリとは→プリチャージとは→フローティングゲート（浮遊ゲート）とは→リフレッシュ（DRAM）とは→ロウハンマーとは→相変化メモリ（PCM / PCRAM）とは→多値セル（MLC/TLC/QLC）とは→埋め込みワード線とは→
パワー半導体
33件DBC基板（絶縁放熱基板）とは→DC-DCコンバータとは→EVインバーター（主駆動インバーター）とは→FWD（還流ダイオード）とは→IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）とは→LDMOS（横型拡散MOS）とは→SiC MOSFET（炭化ケイ素パワートランジスタ）とは→SOA（安全動作領域）とは→アバランチ耐量（アバランチエネルギー）とは→オン抵抗（RDS(on)）とは→ガードリングとは→ゲートドライバとは→
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サイリスタとは→ジャンクション温度・熱抵抗（Tj・Rth）とは→スイッチング損失とは→スーパージャンクション構造とは→ダイヤモンド半導体とは→ダブルパルス試験とは→トレンチMOSFETとは→ノーマリーオフ（エンハンスメント型）とは→パワーエレクトロニクスとは→パワーモジュールとは→パワー半導体とは→ボディダイオード（寄生ダイオード）とは→レギュレータ（電圧レギュレータ・LDO）とは→ワイドバンドギャップ半導体とは→逆回復（逆回復時間trr）とは→酸化ガリウム（Ga2O3）とは→車載半導体とは→耐圧（絶縁破壊電圧）とは→短絡耐量（短絡耐量時間）とは→電流コラプス（GaN）とは→両面冷却（パワーモジュール）とは→
設計・アーキテクチャ
47件AD/DA変換器（ADC・DAC）とは→AIアクセラレータとは→ARMアーキテクチャとは→ASSP（特定用途向け標準品）とは→DRC（デザインルールチェック）とは→DVFS（動的電圧・周波数制御）とは→ES・CS（エンジニアリングサンプル・コマーシャルサンプル）とは→FLOPS（演算性能）とは→GDSII（マスクデータ形式）とは→HDL（ハードウェア記述言語）とは→IRドロップとは→LVS（レイアウト対回路図検証）とは→
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MPW（マルチプロジェクトウェハ）とは→NPU（ニューラルプロセッシングユニット）とは→NRE費用（初期開発費）とは→PDK（プロセス設計キット）とは→PLL（位相同期回路）とは→PPA（性能・電力・面積）とは→RISC-Vアーキテクチャとは→RTL（レジスタ転送レベル）とは→SerDes（シリアライザ／デシリアライザ）とは→SPICE（回路シミュレーション）とは→STA（静的タイミング解析）とは→TPU（テンソル処理ユニット）とは→アナログ回路（アナログIC）とは→エミュレーション（ハードウェア検証）とは→オペアンプ（演算増幅器）とは→キャプチャレンジ（引き込み範囲）とは→グリッチとは→クロックゲーティングとは→クロックツリー合成（CTS）とは→コンパレータ（比較器）とは→スキュー（クロックスキュー）とは→スタンダードセル（標準セル）とは→セットアップ・ホールド時間とは→ソースフォロワ・エミッタフォロワとは→テープアウトとは→フォーマル検証（等価性検証）とは→フロアプラン（フロアプランニング）とは→マルチプレクサ（MUX）とは→寄生抽出（PEX）とは→差動増幅回路とは→全加算器・半加算器とは→相互コンダクタンス（gm）とは→配置配線（P&R）とは→分周器とは→論理合成とは→
THEME 7装置・ファブ
ファブ・インフラ
52件AMC（分子状汚染物質）とは→AMHS（自動搬送システム）とは→CDU（冷却液分配ユニット）とは→EHS（環境・安全衛生）とは→FFU（ファンフィルタユニット）とは→FOUP（フープ）とは→MES（製造実行システム）とは→OEE（総合設備効率）とは→OHT（天井走行式搬送車）とは→PCW（プロセス冷却水）とは→PFCガス（温室効果ガス排出）とは→SECS/GEM（HSMS）とは→
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SEDD（SEMI E172）とは→SEMI S2（装置の安全ガイドライン）とは→TAT（ターンアラウンドタイム）とは→UPH（Units Per Hour）とは→UPS（無停電電源装置）とは→UPW（超純水）とは→WIP（仕掛品）とは→ウェハカセットとは→ウェハ搬送・自動化とは→エアロック（前室）とは→ガスキャビネット（シリンダキャビネット）とは→キュータイム（Q-Time）とは→クリーンルームとは→ジョグ運転（JOG操作）とは→ストッカー（ウェハ自動保管装置）とは→スミア試験（拭き取り検査）とは→スループットとは→デバイス別半導体製造とは→パーティクル汚染（発塵管理）とは→ファブインフラ設備とは→フックアップ（装置接続工事）とは→フットプリントとは→プレナムとは→プロダクトミックス（製品構成）とは→ポッド（SMIFポッド）とは→ミニエンバイロメント（局所清浄化）とは→ユースポイント（POU）とは→ラーニングカーブ（学習曲線）とは→ランプアップ（量産立ち上げ）とは→稼働率（装置稼働率）とは→緊急ガス遮断装置とは→金属汚染（メタルコンタミネーション）とは→建屋（半導体工場の建屋）とは→除害装置（スクラバー）とは→清浄度クラス（ISO 14644）とは→特殊ガス（半導体プロセスガス）とは→防振・除振技術（半導体製造向け）とは→薬液供給システム（CDS）とは→誘導帯電（静電誘導）とは→予知保全（Predictive Maintenance）とは→
装置部品・消耗品
39件EFEM（装置フロントエンドモジュール）とは→FOSB（ウェハ出荷容器）とは→Oリング・シール材とは→RF電源（高周波電源）とは→アパーチャ（絞り）とは→イットリア溶射コーティング（耐プラズマ被膜）とは→インピーダンス整合器（マッチングボックス）とは→エンドエフェクタ（搬送ロボットハンド）とは→ガスボックス（ガスパネル）とは→ガス精製器・ガスフィルタとは→クライオポンプとは→ゲートバルブ／スリットバルブとは→
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サセプタとは→シーズニング（チャンバーの慣らし）とは→シグナルタワー（積層信号灯）とは→シャワーヘッドとは→スピンドル（ダイシング・研削）とは→セラミックヒーター（AlNヒーター）とは→ターボ分子ポンプ（TMP）とは→ダイヤフラムバルブとは→チャンバー（プロセスチャンバー）とは→チャンバーライナー（デポシールド）とは→チラー（冷却装置）とは→ドライ真空ポンプとは→バッキングプレートとは→フォーカスリング（エッジリング）とは→ペデスタルとは→マスフローコントローラ（MFC）とは→リフトピンとは→リモートプラズマ源（RPS）とは→ロードポートとは→ロードロック室とは→逆止弁（チェックバルブ）とは→残留ガス分析計（RGA・四重極質量分析計）とは→真空とは→真空計とは→静電チャック（ESC）とは→石英部品（石英ガラス部材）とは→電子銃とは→
THEME 8産業・基礎
基礎概念
86件ASIC（特定用途向け集積回路）とは→CPUとは→DBR（分布ブラッグ反射器）とは→EDA（電子設計自動化）とは→FET（電界効果トランジスタ）とは→FPGA（フィールドプログラマブルゲートアレイ）とは→GPU（グラフィックス処理ユニット）とは→HBT（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）とは→HEMT（高電子移動度トランジスタ）とは→IMEC（アイメック）とは→IPコア（半導体IP）とは→LED（発光ダイオード）とは→
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N型半導体とP型半導体とは→pn接合とは→アハラノフ・ボーム効果（AB効果）とは→アバランシェフォトダイオード（APD・SPAD）とは→アンダーソン局在とは→オーミック接触（オーミックコンタクト）とは→カットオフ周波数（fT）とは→キャリア（電荷キャリア）とは→キャリアライフタイム（少数キャリア寿命）とは→キャリア濃度とは→ショットキーバリアダイオードとは→ショットキー接合（ショットキー障壁）とは→ショット雑音（ショットノイズ）とは→ダイオードとは→ダングリングボンドとは→ツェナーダイオード（定電圧ダイオード）とは→ディープラーニング（深層学習）とは→ディスクリート半導体（個別半導体）とは→デバイ長とは→ドナーとアクセプタとは→トラップ（キャリアトラップ）とは→ドリフト電流・拡散電流とは→トンネル効果とは→バイポーラトランジスタとは→バリスティック伝導とは→バンド理論とは→ファブレス・ファウンドリ・IDMとは→フェルミ準位とは→フォトダイオードとは→フォノン（格子振動）とは→フラットバンド電圧（VFB）とは→ブリルアンゾーンとは→ヘテロ接合とは→ホール効果とは→ホッピング伝導とは→マクスウェル・ボルツマン分布とは→ムーアの法則とは→レーザダイオード（半導体レーザ）とは→移動度（キャリア移動度）とは→液晶ディスプレー（LCD）とは→価電子帯とは→機械学習とは→禁止帯（バンドギャップ）とは→空乏層とは→光起電力効果とは→光吸収（吸収係数）とは→光導電効果とは→再結合（キャリアの再結合）とは→仕事関数とは→集積回路とは→深い準位（DLTS）とは→真性半導体とは→人工知能とは→正孔（ホール）とは→太陽電池（太陽光発電）とは→抵抗率（比抵抗）とは→伝導帯とは→電気伝導（導電率）とは→電子親和力とは→内蔵電位とは→二次元電子ガス（2DEG）とは→白色LEDとは→半導体とは→非線形光学（第二高調波発生）とは→表皮効果とは→表面フォノン（リモートフォノン散乱）とは→不純物準位とは→平均自由行程とは→放射再結合と非放射再結合とは→有効質量とは→誘電率（比誘電率・k値）とは→律速（律速過程・律速段階）とは→量子井戸とは→励起子（エキシトン）とは→
02製造工程の順に読む
工程の全体図 →ウェハの準備から出荷前のテストまで、21の工程を起きる順に並べています。 工程ごとの流れは半導体製造工程の全体像で解説しています。
03関連ページ
用語を調べた後は、装置カテゴリやメーカー情報へ。
04よくある質問（FAQ）
半導体用語集には何件収録されていますか？
現在969件の専門用語を収録しています。露光（EUV/DUV/ArFi）・エッチング・成膜（CVD/ALD/MOCVD）・CMP・洗浄・検査・計測・先進パッケージング（TSV/HBM/チップレット）・SiC/GaNなど、前工程から後工程まで主要カテゴリを網羅しています。
半導体用語集をExcelやPDFでダウンロードできますか？
はい。全969件の用語・読み・英語表記・分類・要約をまとめたダウンロード版（Excel・PDF）の予約を受け付けています。「露光・リソグラフィ」分類の無料サンプル（CSV）は、用語集ダウンロード版のページからすぐに入手できます。
EUV露光装置とDUV露光装置の違いは何ですか？
EUVは波長13.5nmの極端紫外線を使用し、7nm以下の最先端プロセスに使われます。DUVはArF液浸（193nm）などを用い、より広いノード範囲で使われます。EUV露光装置はASMLのみが量産しており、1台200億円超です。
CVDとALDの違いは何ですか？
CVD（化学気相成長）は連続的に原料ガスを供給して薄膜を堆積します。ALD（原子層堆積）は原料を1種類ずつ交互に供給し、1原子層単位で成膜します。ALDはFinFETやHigh-kゲート絶縁膜など、極薄・均一な膜が求められる用途で主流です。
CD-SEMとは何ですか？
CD-SEM（Critical Dimension Scanning Electron Microscope）は、回路パターンの線幅（CD）をナノメートル単位で計測する装置です。露光・エッチング後の寸法管理に不可欠で、日立ハイテクが世界シェア約80%を持ちます。
前工程と後工程の違いは？
前工程はシリコンウェハ上にトランジスタと配線を形成する工程（露光・エッチング・成膜・CMP・洗浄・検査等）です。後工程はウェハをチップに切り出し（ダイシング）、パッケージに実装・封止・テストする工程です。
半導体製造プロセスの基本的な流れは？
シリコンウェハを出発点に、①成膜（CVD/PVD/ALD）②フォトレジスト塗布③露光（EUV/DUV）④現像⑤エッチング⑥洗浄のサイクルを数十〜百回以上繰り返して回路を形成します。その後ダイシング・パッケージング・テストを経て完成品になります。
装置カテゴリと用語集はどう違いますか？
装置カテゴリページは装置の種類・分類・関連メーカーを一覧します。用語集は「〜とは」「原理」「他装置との違い・比較」など理解を深める解説に特化しており、それぞれ装置カテゴリ・メーカー情報へのリンクも提供しています。
※ 各用語ページには関連装置カテゴリ・メーカー情報へのリンクを掲載しています。用語・解説は随時追加予定です。