エッチング装置は、半導体製造において、ウェハ表面の不要な材料を選択的に除去するための装置です。露光・現像工程でパターンが形成されたレジストをマスクとして、その下の薄膜や基板を精密に削り取ります。この工程は回路パターンの形成において、露光装置と並んで極めて重要な役割を担っています。
エッチング装置は大きく分けて、ドライエッチング装置とウェットエッチング装置の2種類があります。現代の先端半導体製造では、より高い精度と異方性（垂直方向のエッチング）が求められるため、プラズマを用いたドライエッチングが主流です。特に反応性イオンエッチング（RIE）や誘導結合プラズマ（ICP）エッチングなどの技術が広く使用されています。
近年の3D NAND フラッシュメモリのような高アスペクト比構造や、先端ロジックにおける複雑な多層配線構造の形成では、高度なエッチング技術が不可欠です。材料別（シリコン、酸化膜、金属など）に最適化されたエッチャーが開発されており、Lam ResearchやTokyo Electronなどが主要サプライヤーとして知られています。