ウェハ上の薄膜から不要部分を除去し、微細な回路パターンを形成 露光装置で形成したマスクパターンに忠実な垂直加工（異方性）を実現 3D構造化やマルチパターニングにより加工難易度と重要性が急上昇 成膜・露光装置と密接に連携し、主要なパターニング工程を構成 7社の主要メーカー
Lam Research米国
エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング（ALE）技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。
- •エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
- •原子層エッチング（ALE）技術における技術リーダーシップ
- •GAA、3D NAND、DRAMなど先端3Dアーキテクチャのサポート
Applied Materials米国
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
- •先端ノード向けの革新的技術開発
東京エレクトロン（TEL）日本
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
- •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
- •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
- •先端プロセスに対応する幅広い技術ポートフォリオ
Plasma-Therm Japan日本
化合物半導体・MEMS・先端パッケージング向けのドライエッチング・PECVD装置を専門とする米 Plasma-Therm の日本法人。R&D および中小量産向けで存在感。
- •化合物半導体（GaN・SiC）・MEMS 向けドライエッチング専門
- •R&D および中小量産プラットフォームに強み
- •先端パッケージング向けディープエッチング技術
SEMES韓国
サムスン電子系列の半導体製造装置メーカー。洗浄・成膜・エッチング・露光後処理装置でサムスンのメモリ・ロジックFABを支援。韓国最大の装置メーカー。
- •Samsung傘下として最先端メモリ・ロジックFABに最適化した装置を開発
- •スピンコータ・デベロッパ・洗浄装置で韓国トップシェア
- •3D NAND・FinFET向けの高アスペクト比エッチング・洗浄技術
Advanced Energy Industries米国
半導体製造装置向けRF電源・直流電源・マッチングネットワークの世界的リーダー。エッチング・CVD・PVDなどプラズマプロセス装置の電源ユニットで圧倒的なシェアを持つ。
- •プラズマプロセス向けRF電源・マッチングネットワークで世界首位
- •エッチング・CVD・PVD装置のほぼ全てのアプリケーションをカバー
- •2019年にLumineデータセンター電源を統合し電源インフラ事業を拡大
MKS Instruments米国
ガス流量制御・圧力制御・RFパワー・プラズマ源など、半導体製造プロセスを支えるサブシステム機器の主要メーカー。Newport光学部門も保有。
- •マスフローコントローラ（MFC）でグローバルリーダー
- •RF電力供給・圧力制御・真空計測の統合ソリューション
- •Newport光学・レーザー技術との融合製品群
Lam Research
Kiyo（ドライエッチング／コンダクタ）
ICP方式のコンダクタエッチング装置。FinFET・GAAのゲート／コンタクト加工に広く採用される Lam Research の主力機。
| エッチング方式 | ドライエッチング（ICP プラズマ） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| スループット目安 | 最大 30 WPH |
| 主要用途 | FinFET・GAA向けゲート／コンタクト形成 |
| チャンバー構成 | シングル／デュアルチャンバー |
| 特徴 | 高選択比・高異方性エッチング、先端ロジック対応 |
東京エレクトロン（TEL）
Tactras（タクトラス）
TEL の主力クラスター型ドライエッチングシステム。CCP/ICP 両対応で Si・酸化膜・金属膜・Low-k 膜の多材料エッチングを1台でカバー。
| エッチング方式 | ドライエッチング（CCP / ICP） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| チャンバー数 | 最大 6 プロセスモジュール |
| 対応材料 | Si・SiO₂・SiN・金属・Low-k 膜 |
| 温度制御 | ウェハ裏面ガス冷却方式 |
| 主要用途 | ロジック・メモリの前工程エッチング全般 |
Applied Materials
Centris Sym3 Y
CCP 方式のコンダクタ・ハードマスクエッチング専用機。ツインチャンバー設計でスループットと寸法均一性を両立。
| エッチング方式 | ドライエッチング（CCP） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| チャンバー構成 | ツインチャンバー（同時処理） |
| プロセス圧力 | 2 ～ 500 mTorr |
| 主要用途 | タングステン・チタン系コンダクタエッチング |
| 特徴 | 高選択比・プロファイル制御、EUV 後エッチング対応 |
SCREENホールディングス
SU-3300（ウェットエッチング）
枚葉式スピン薬液型ウェットエッチング装置。HF・BHF・リン酸処理による SiO₂・SiN 選択エッチングに高い実績。
| エッチング方式 | ウェットエッチング（枚葉式スピン薬液） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| スループット | 最大 60 WPH |
| 主要エッチャント | HF・BHF（NH₄F/HF）・リン酸・SC1 |
| 膜厚均一性 | ±1% 以内 |
| 主要用途 | SiO₂・SiN 選択エッチング、レジスト剥離 |
日立ハイテク
NE シリーズ（3D NAND 深穴エッチング）
高アスペクト比エッチング（HAR）に特化した日立ハイテクのドライエッチング装置。3D NAND の深穴・スリット形成に採用。
| エッチング方式 | ドライエッチング（高密度プラズマ） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 主要用途 | 3D NAND セルホール・スリット形成 |
| アスペクト比 | 60:1 以上の深穴加工に対応 |
| 特徴 | ハードマスク対応、高選択比・高均一エッチング |
| プロセスガス | CF₄・C₄F₈・C₄F₆・O₂ 系混合ガス |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。