COMPANY DATABASE

Kulicke & Soffa

半導体パッケージング装置の世界的リーダー。ワイヤーボンディング、ダイボンディング、先端パッケージング装置で圧倒的なシェアを持つ。

🌐 米国公式サイト

当サイトでの位置づけ

パッケージング装置カテゴリでは、ワイヤ・ダイボンドを中心に、チップと基板の電気接続を担う実装装置の代表として、後工程のボンディング用語と強く結び付きます。

企業の強み

ワイヤーボンディング装置における世界トップシェア
フリップチップ、ハイブリッドボンディングなど先端実装技術
70年以上の歴史を持つ業界パイオニア

主要製品・ソリューション

ワイヤーボンディング装置

  • ボールボンダー
  • ウェッジボンダー

ダイボンディング装置

  • フリップチップボンダー
  • ハイブリッドボンディングシステム

関連装置カテゴリ

ワイヤボンダー
ダイボンダー
フリップチップボンダー

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、Kulicke & Soffaを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

ワイヤボンダーとは →ダイボンダー 2とは →フリップチップとは →ボールボンディングとは →ウェッジボンディングとは →

同じトピックの用語

先端パッケージング・パッケージング のトピックで関連する用語です。

先進パッケージングとは →チップレットとは →HBM(高帯域幅メモリ)とは →ウェハボンディングとは →WLCSP(ウェハレベルチップスケールパッケージ)とは →TSV(貫通シリコンビア)とは →QFP(クアッドフラットパッケージ)とは →QFNパッケージとは →

同じトピックの企業

BesiオランダDISCO日本EV GroupオーストリアASMPT香港Suss MicroTecドイツ新川日本

比較・違いを学ぶ

CoWoSとInFOの違い(TSMC先進パッケージング比較)
CoWoSとInFOは、いずれもTSMCが提供する先進パッケージング技術です。CoWoSはシリコンインターポーザーを介して複数チップを横に並べ高密度接続する2.
TSVとワイヤーボンドの違い|接続密度・帯域幅・コストを比較
TSV(Through Silicon Via、シリコン貫通電極)とワイヤーボンディングはともに半導体チップと外部を電気接続する後工程技術ですが、接続方式・密度
HBM2EとHBM3の違い(世代別スペック比較)
HBM(High Bandwidth Memory)はDRAMを縦に積層しTSV(Through-Silicon Via)で接続した超高帯域メモリです。AI学習
ハイブリッドボンディングとフリップチップボンディングの違い
どちらもダイとダイ、またはダイと基板を電気的に接続する実装技術ですが、接合メカニズムと達成できる接続密度が根本的に異なります。フリップチップははんだバンプ(直径
2.5Dパッケージングと3D ICパッケージングの違い
ムーアの法則の鈍化に伴い、異なる機能のチップを高密度で組み合わせる「先進パッケージング」が半導体の性能向上の主戦場になっています。2.5D実装(CoWoS・In
トランスファーモールドとコンプレッションモールドの違い
半導体パッケージの封止(モールド)工程には、金型内にEMC(エポキシモールドコンパウンド)を注入するトランスファーモールドと、金型内にEMCを直接充填・加圧する
Kulicke & Soffa 公式サイトへ

FOR COMPANIES

貴社の情報をSemiraiに掲載しませんか?

無料プランからご利用いただけます。

掲載プランを見る →
← 企業一覧に戻る