ダイボンダー（Die Bonder）は、半導体ダイ（チップ）をリードフレーム・基板・他のダイ上に精密な位置決めで実装（ボンディング）するための後工程装置です。ウェハからダイシングで切り出されたダイを1個ずつ吸着コレット（ツール）でピックアップし、基板の規定位置に高精度・高速で搭載します。接合方法には、エポキシ樹脂（ダイアタッチフィルム・ペースト）、共晶合金（AuSi・AuSn）、ハンダ（Sn系）、ハイブリッドボンディング（Cu-Cu直接接合）などが使われます。
ダイボンダーの主要仕様として、配置精度（±1μm以下、先端装置では±0.5μm以下）、実装速度（UPH：Unit per Hour、パッケージタイプによって1,000〜20,000個/時）、コレット形状（ダイサイズ・厚さに対応）、ダイ厚さ対応範囲（薄型ダイ<50μm対応）などがあります。
先進パッケージング向けダイボンダーは、チップレット・3D IC・Fan-out WLPの普及に伴い高精度化が急速に進んでいます。熱圧着（TCP：Thermo-Compression Bonding）方式のダイボンダーは、マイクロバンプ（Cu Pillarバンプ）を基板のパッドに熱と圧力で直接接合します。ハイブリッドボンダーはCu-Cu直接接合のために、位置合わせ精度<0.5μm、接合後のアニール（150〜250℃）を一体で行います。
用途別の主要なダイボンダータイプとして、一般パッケージ向け（リードフレーム・BGA基板向け、エポキシ接着剤使用）、フリップチップ向け（FC BGA基板への銅ピラー接合、高精度）、スタッキング向け（3D NANDの複数ダイ積層）、自動車・パワーデバイス向け（焼結銀・共晶接合、高信頼性）などがあります。
主要ダイボンダーメーカーはASMパシフィック（ASMPT）とBesi（Datacon）が世界市場をリードしており、日本では芝浦メカトロニクス、ヤマハ発動機（IM）、東レエンジニアリングが参入しています。先進パッケージング需要の拡大に伴い、超高精度ダイボンダー（Cu-Cu直接接合対応）への投資が業界全体で加速しています。