ALD装置（Atomic Layer Deposition Equipment）は、原子層堆積（ALD）を量産ラインで実行するための成膜装置です。前駆体ガスと反応ガスを交互に供給し、その間をパージで隔てるサイクルを繰り返します。1サイクルで積める膜は約0.3〜2Å（0.03〜0.2nm、多くの酸化膜で約1Å）と1原子層分に満たないため、ALDの原理そのものより「いかに速く、均一に、欠陥なくサイクルを回すか」が装置の設計課題になります。ALDの原理と自己制限反応については「ALD（原子層堆積）」の用語ページで扱います。
量産向けALD装置は大きく3方式に分かれます。①枚葉式（1枚ずつ処理、またはチャンバー内に複数ステーションを持つ方式）：ガスの切り替えが速く膜質と均一性を詰めやすいため、ロジックのHigh-k/メタルゲートや微細パターニングのスペーサーに使われます。②空間分割（スペーシャル）方式：ウェハを載せたサセプタを回転させ、ガスごとに仕切られたゾーンを通過させることで1回転＝1サイクルとし、パージ待ちをなくしてスループットを上げます。③バッチ式（縦型炉・ミニバッチ）：数十〜100枚以上を一括で熱ALDし、DRAMやNANDの厚めの絶縁膜をウェハ1枚あたり低コストで成膜します。
装置選定では、膜種と温度のほかに、サイクル時間（パルス＋パージ）、1台あたりのスループット（WPH）、前駆体の消費量、パーティクル（チャンバー内の副生成物）、メンテナンス周期が比較軸になります。プラズマを使うPEALD（Plasma Enhanced ALD）は低温で成膜でき、配線工程後やレジストパターン上のスペーサー成膜に使われますが、下地へのプラズマダメージと段差被覆の両立が課題です。
主な装置と方式：ASM International（XP4 Pulsar・XP4 EmerALDの枚葉式、XP8系の多チャンバー熱ALD/PEALD）、Lam Research（Striker：枚葉式の絶縁膜ALD）、Applied Materials（Olympia：回転型の空間分割ALD）、東京エレクトロン（NT333：1チャンバー6枚のセミバッチ空間分割ALD、TELINDY PLUS IRad：バッチ式ALD）、KOKUSAI ELECTRIC（TSURUGI-C²などミニバッチ式）です。ASM Internationalは自社をALD装置の主要サプライヤーと位置づけています。
