ALD（原子層堆積）装置は、原子層レベルで薄膜を精密に積層できる成膜装置です。Atomic Layer Depositionの略で、自己制限的な化学反応を利用して、1原子層ずつ膜を形成します。この技術により、膜厚を原子レベルで制御でき、優れたコンフォーマル性（段差への追従性）を実現できます。
ALD装置は、2種類以上の前駆体ガスを交互にウェハに供給し、各ガスが表面で飽和反応を起こすサイクルを繰り返すことで成膜を行います。このプロセスにより、数ナノメートル以下の極薄膜や、高アスペクト比構造の内壁への均一な成膜が可能になります。
先端半導体プロセスでは、ゲート絶縁膜、バリアメタル、スペーサー材料など、ALD技術が不可欠な用途が増えています。特に5nm以下のプロセスノードや3D NANDフラッシュメモリなどでは、ALDなしでは製造が困難です。Applied Materials、Tokyo Electron、Lam ResearchなどがALD装置の主要サプライヤーです。