CVDは気相の化学反応で薄膜を積み上げる方式で、絶縁膜・導電膜・半導体膜など用途が広いです。PECVDとLPCVD、ALDとの使い分けは、膜質・段差被覆・スループットのトレードオフで決まります。
CVD装置（Chemical Vapor Deposition Equipment）は、化学気相成長（CVD）プロセスを実行するための半導体製造装置です。原料ガスをチャンバー内に流入させ、加熱・プラズマ・光などのエネルギーで化学反応を起こし、ウェハ表面に様々な薄膜材料を均一に堆積させます。半導体製造装置市場において成膜装置は最大のセグメントであり、CVD装置はその中核をなします。
CVD装置の主要タイプには、熱CVD炉（縦型バーティカルファーネス：バッチ式、LPCVD成膜に使用）、枚葉式CVD装置（シングルウェハチャンバー：プロセス精度が高く先端ノードに適する）、プラズマCVD装置（PECVD：低温成膜用）、ALD装置（原子層堆積：超薄膜・高コンフォーマル成膜用）があります。先端ロジック・メモリでは枚葉式とALD装置が主力です。
主な成膜材料と装置の組み合わせ：LPCVD縦型炉でポリシリコン・SiN、PECVDでSiO₂（TEOS）・SiN・SiCN（層間絶縁膜・パッシベーション）、ALDでHfO₂（High-kゲート絶縁膜）・TiN/TaN（バリアメタル・ゲート電極）・Al₂O₃（DRAMキャパシタ絶縁膜）、W-CVDでタングステン（コンタクト充填）が代表的です。
先端CVD装置の技術競争ポイントは、（1）ウェハ面内・ウェハ間の膜厚均一性（<0.5%）、（2）ステップカバレッジ（高アスペクト比での被覆率）、（3）成膜速度（スループット）と膜質（純度・密度・応力）の両立、（4）プロセス温度の低温化（デバイスへの熱影響低減）、（5）前駆体の効率的な利用（材料コスト削減）などです。
主要CVD装置メーカーはApplied Materials（Centura・Producer：世界最大シェア）、Lam Research（ALTUS、Vector CVD/ALD）、東京エレクトロン（Telindy Plus、Triase）、ASM International（Polygon・Pulsar ALD：ALD専業で世界最大シェア）、Kokusai Electric（旧日立国際電気、縦型炉のリーダー）などです。
