CVD（化学気相成長）装置は、化学反応を利用してウェハ表面に薄膜を形成する成膜装置の一種です。Chemical Vapor Depositionの略で、原料ガスをチャンバー内に導入し、加熱やプラズマなどのエネルギーを与えることで化学反応を起こさせ、ウェハ表面に目的の材料を堆積させます。
CVD装置には、熱CVD、プラズマCVD（PECVD）、低圧CVD（LPCVD）、金属有機化学気相成長（MOCVD）など、様々な種類があります。PECVDは、プラズマを用いることで低温での成膜が可能であり、シリコン酸化膜や窒化膜の形成に広く使用されています。LPCVDは、優れた膜質と均一性を提供し、ポリシリコンやシリコン窒化膜の成膜に適しています。
CVD技術は、絶縁膜、導電膜、バリアメタルなど、幅広い材料の成膜に対応できる汎用性の高い技術です。特に先端プロセスでは、高アスペクト比構造へのコンフォーマルな成膜が求められるため、CVD技術の重要性は高まっています。Applied MaterialsやTokyo Electronなどが主要なサプライヤーとして知られています。