CMPスラリーは、化学機械研磨（CMP: Chemical Mechanical Polishing）工程で使用される研磨剤入りの液体です。ウェハ表面を平坦化するために、微細な砥粒と化学薬品を含むスラリーを用いて、機械的研磨と化学的エッチングを同時に行います。
CMPスラリーは、研磨対象の材料（シリコン酸化膜、金属、ポリシリコンなど）に応じて最適化された組成を持ちます。主成分は、研磨粒子（シリカやセリアなど）、pH調整剤、酸化剤、分散剤などです。研磨速度、選択比（異なる材料間の研磨速度比）、表面粗さなどが厳密に制御されています。
先端半導体製造では、多層配線構造の平坦化や、ゲート形成後の平坦化など、CMP工程が不可欠です。特に銅配線プロセスでは、ダマシン法によるCMPが標準技術となっています。CMPスラリーの性能は、デバイスの歩留まりと性能に直接影響するため、高品質なスラリーの供給が重要です。