半導体製造プロセスは、シリコンウェハから完成した半導体デバイスまでを作り上げるための一連の工程を指します。大きく分けて、前工程（ウェハプロセス）と後工程（組立・テスト）の2つに分類されます。前工程では、薄膜形成、フォトリソグラフィ、エッチング、イオン注入、洗浄などの工程を数百回繰り返すことで、ウェハ上に微細な電子回路を形成します。
製造プロセスは、ノード（プロセスノード）と呼ばれる単位で分類されます。これは、ゲート長など特定の寸法を表す指標で、7nm、5nm、3nmといった数字が小さいほど微細化が進んだ先端プロセスを意味します。先端プロセスほど、より多くのトランジスタを小さな面積に集積でき、高性能・低消費電力のチップを実現できます。
製造プロセスは、ロジック半導体（CPUなど）とメモリ半導体（DRAM、NANDフラッシュなど）で異なる特性を持ち、それぞれに最適化された製造技術が開発されています。近年では、FinFET、GAA（Gate-All-Around）などの新しいトランジスタ構造や、EUV露光技術の導入により、さらなる微細化と性能向上が進められています。