全体の考え方
シリコンウェハ上にトランジスタ（素子）と多層配線を形成し、製品ごとに要求される性能・歩留まりを満たすまでを前工程と呼ぶことが多いです。その後、ウェハをダイ（チップ）単位に分割し、リードフレームや基板に実装（ボンディング、封止）し、電気的特性を検証するのが後工程です。「材料」（ウェハ、薬液、ガス、スラリー等）は各ステップの選択比・欠陥管理に直結し、「計測・検査」は前後工程を横断して歩留まりを支えます。
前工程（ウェハプロセス）
代表的な流れとして、薄膜形成→露光→エッチングのパターン化を繰り返しトランジスタと配線を作り込み、層間絶縁・CMPで平坦化する、というサイクルが繰り返されます。微細化が進むほど、露光（EUV/DUV）、ドライエッチング、成膜（CVD/ALD/PVD）、洗浄、検査・計測の各装置が高精度化します。
後工程（組立・実装・テスト）
ウェハをスクリブ・ダイシングでチップに分割し、ダイアタッチ・ボンディング・封止・レーザマーキングなどでパッケージを形成します。その後、ウェハプローバによる素子試験や最終試験で出荷判定を行います。先端パッケージではWLP、2.5D/3D積層、チップレット実装など、後工程の技術比重が高まっています。