SEMICONDUCTOR EQUIPMENT
半導体製造プロセスメーカー12社Manufacturing Process
半導体製造プロセスは、シリコンウェハ上に微細な回路を形成する一連の工程と、その技術ノード（2nm・3nm・5nmなど）の組み合わせを指します。プロセスノードの数値は回路の最小線幅の目安を示し、微細化が進むほど同じ面積により多くのトランジスタを集積でき、高性能・低消費電力なチップを実現できます。現在の最先端ノードではEUV露光・GAA（Gate-All-Around）トランジスタ・原子層堆積（ALD）など革新的な技術が組み合わされています。ロジック（CPU・GPU・SoC）とメモリ（DRAM・NAND）では異なるプロセス最適化が必要で、TSMC・Samsung・IntelなどのファウンドリとIDMが技術競争を牽引します。
メーカー 12 社サブカテゴリ 8 件
重要ポイント
プロセスノード（2nm・3nm・5nmなど）が性能・消費電力・面積効率を決定
最先端ノードではEUV露光・GAAトランジスタ・ALD成膜の組み合わせが必須
ロジックプロセス（CPU/GPU/SoC）とメモリプロセス（DRAM/NAND）は異なる最適化が必要
TSMC・Samsung・Intel・Rapidusがファウンドリ技術競争を牽引
装置（ASML・AMAT・LAM・TEL）と材料・プロセス設計の三位一体で技術革新が進む
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