半導体製造プロセスメーカー12社Manufacturing Process
半導体製造プロセスは、シリコンウェハ上に微細な回路を形成する一連の工程と、その技術ノード（2nm・3nm・5nmなど）の組み合わせを指します。プロセスノードの数値は回路の最小線幅の目安を示し、微細化が進むほど同じ面積により多くのトランジスタを集積でき、高性能・低消費電力なチップを実現できます。現在の最先端ノードではEUV露光・GAA（Gate-All-Around）トランジスタ・原子層堆積（ALD）など革新的な技術が組み合わされています。ロジック（CPU・GPU・SoC）とメモリ（DRAM・NAND）では異なるプロセス最適化が必要で、TSMC・Samsung・IntelなどのファウンドリとIDMが技術競争を牽引します。
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2nmプロセスは、TSMCのN2（2025年量産予定）・IntelのIntel 20A/18A・SamsungのSF2などで代表される次世代先端半導体プロセスです。
メーカー 4 社3nmプロセス3nmプロセスは、業界標準の「プロセスノード」命名で3nmと呼ばれる先端半導体製造技術世代を指し、実際のトランジスタゲート寸法は10nm台ですが、性能・密度・電力効率の観点で前世代（5nm）から大幅な改善を実現します。
メーカー 4 社5nmプロセス5nmプロセスは、2020年前後に量産が始まったFinFET技術の成熟世代で、TSMCのN5・SamsungのEUV 5nmが代表的です。
メーカー 3 社DRAM製造プロセスDRAM製造プロセスは、揮発性メモリDRAM（Dynamic Random Access Memory）を製造するための半導体製造技術です。
メーカー 7 社GAAプロセスGAAプロセス（Gate-All-Around Process）は、ゲート電極がトランジスタチャネルの四方を完全に囲む構造（GAA：Gate-All-Around）を形成するための製造プロセス技術です。
メーカー 8 社ロジックプロセスロジックプロセスは、CPU・GPU・FPGA・SoCなどの演算・制御デバイスを製造するための半導体プロセス技術の総称で、高速トランジスタスイッチング・低消費電力・高集積度を最優先に設計されます。
メーカー 15 社メモリプロセスメモリプロセスは、DRAM・NAND Flash・NOR Flashなどのメモリデバイスを製造するための半導体プロセス技術の総称です。
メーカー 6 社ミニマルファブミニマルファブは、直径0.5インチのミニマルウェハと局所クリーン化技術を用い、クリーンルームを使わずに半導体を製造する少量多品種向けの生産方式です。
メーカー 8 社NAND製造プロセスNAND Flash製造プロセスは、不揮発性メモリNAND Flashを製造するための半導体技術です。
メーカー 7 社重要ポイント
メーカー
12社の主要メーカー
世界最大の半導体ファウンドリ。3nm、5nm、7nmなど最先端プロセスノードで業界をリード。Apple、NVIDIA、AMDなど主要ファブレス企業の製造パートナー。
- •ファウンドリ市場シェア約60%の圧倒的トップポジション
- •3nm/5nm最先端プロセスの量産化リーダー
世界最大のメモリメーカーであり、先端ロジックファウンドリでもあるIDM。DRAM・NANDフラッシュで市場をリードし、3nmプロセスでTSMCと競合。
- •DRAM市場シェア約43%、NANDフラッシュ約33%の世界トップ
- •メモリとロジックの両方を製造するIDM（垂直統合）
世界最大のCPUメーカー。従来はIDMとして自社プロセスでCPUを製造してきたが、Intel Foundry Servicesを設立しファウンドリ事業にも参入。Intel 18A（1.8nm相当）など先端プロセス開発を推進。
- •x86アーキテクチャCPUで長年のマーケットリーダー
- •Intel 4（7nm相当）、Intel 3、Intel 18A（1.8nm相当）など独自プロセス開発
EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー。極紫外光リソグラフィ技術でムーアの法則を延命させ、5nm以下の先端プロセスに不可欠。
- •EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー
- •High-NA EUVで8nmの解像度を実現
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング（ALE）技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。
- •エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
- •原子層エッチング（ALE）技術における技術リーダーシップ
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
- •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
- •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。
- •検査・計測装置における世界的リーダー
- •AI・データ分析を統合した先端プロセスコントロール
世界第3位のファウンドリ。AMD・IBM半導体部門を統合して設立。12nm以上の成熟ノードとRF-SOI・FD-SOI特殊プロセスに特化。2021年にNASDAQ上場。
- •RF-SOI・FD-SOIプロセスで世界的な差別化ポジション
- •成熟ノード（12nm以上）の車載・IoT向け生産能力
中国最大の半導体受託製造企業（ファウンドリ）。28nm・14nmプロセスを主力とし、中国の半導体サプライチェーン内製化の中心的役割を担う。
- •中国最大のファウンドリ、国内シェアトップ
- •28nm〜成熟ノードの大規模製造能力
台湾第2位のファウンドリ。TSMC創業より1年早い1980年設立の老舗。22/28nm成熟ノードに特化し、車載・産業・ディスプレイ向けを主力とする。
- •22/28nmファウンドリで世界第4〜5位の安定シェア
- •車載・産業・ディスプレイドライバ向けの成熟ノード強み
トヨタ・ソニー・NTT等8社が出資して2022年設立の日本の最先端ファウンドリ。北海道千歳に工場建設中で2nm世代チップの量産を2027年に目指す。
- •2nm世代ロジック半導体の国産量産を目標
- •IBM・imecとの技術提携による先端プロセス開発