ALDとCVDの違い
CVDは反応ガスを同時に供給して連続的に成膜するのに対し、ALDは前駆体を交互にパージしながら自己制限的に1原子層ずつ積み上げます。その結果、ALDは膜厚の均一性とコンフォーマル性が極めて高い一方、スループットは工程設計次第で課題になりやすいです。
| 観点 | ALD | 一般的なCVD |
|---|---|---|
| 反応の進め方 | 前駆体のパルス供給・パージを繰り返す（自己制限） | 原料ガスを連続または準連続に供給 |
| 膜厚制御 | サイクル数でナノスケールで制御しやすい | 時間・流量・温度等で制御 |
| 段差被覆 | 高アスペクト比でも均一性が出やすい | プロセス・装置により差がある（PECVD等は高コンフォーマル） |
| 生産性 | サイクル時間の積み上げでスループット設計が重要 | 膜種・装置でバラつき大 |
使い分けの目安
極薄ゲート絶縁膜や高アスペクト比の溝・穴埋めではALDが有利なことが多いです。比較的厚い絶縁膜や一定のスループット優先の膜ではPECVD等が選ばれることもあります。
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よくある質問
ALDはCVDの一種ですか？▾
分類の仕方は文献によりますが、工程設計上は「自己制限の層ごと成膜」としてCVD系と区別して扱うことが多いです。