ドライエッチングとウェットエッチングの違い
ドライエッチングは真空プロセスでイオン・ラジカルを利用し、異方性エッチングがしやすいのが特長です。ウェットエッチングは液相で均一かつ高選択比な除去が可能な場合が多く、大量処理や特定膜の除去に使われます。微細化が進むほどドライの比重が高まる一方、洗浄・レジスト剥離等のウェット工程も依然として不可欠です。
結論
ドライエッチングとウェットエッチングの最大の違いは「媒体と異方性」です。ドライエッチングは真空中のガス・プラズマでイオンとラジカルを使い、縦方向に削る異方性エッチングができるためナノスケールのパターン転写に適します。ウェットエッチングは薬液による液相処理で等方性になりやすい一方、高い選択比と大量処理が可能で、洗浄やレジスト剥離では今も不可欠です。
主な違い
| 観点 | ドライエッチング | ウェットエッチング |
|---|---|---|
| 媒体 | ガス・プラズマ（真空） | 薬液（液相） |
| 異方性 | イオン性プロセスで縦方向エッチングがしやすい | 等方性になりやすい（用途・薬液で工夫） |
| 微細パターン | ナノスケールのパターン転写に適する場合が多い | 界面制御やレジスト下の食い込みに注意 |
| 廃液・フットプリント | 廃液は少なめだが真空・ガス管理が必要 | 薬液管理・廃液処理が重要 |
工程での位置づけ
フォトレジストパターンに沿った素子形成ではドライエッチングが主役となる場面が多いです。ウェットは洗浄・剥離・均一な膜除去など、液相が得意な領域で選ばれます。実ラインでは両者が連携して歩留まりを支えます。
よくある質問
なぜ微細化でドライが増えたのですか？
異方性の高いエッチングにより、設計どおりの断面形状を作りやすいためです。ノードが進むほど要求が厳しくなります。
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出典・参考資料
- Lam Research「Etch」（2026/10/07 確認）
- 東京エレクトロン nanotec museum「半導体用語集：エッチング」（2026/10/07 確認）