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ウェットエッチング装置メーカー3

ウェットエッチング装置は、フッ酸(HF)・硝酸・水酸化カリウム(KOH)などの薬液を用いて、ウェハ表面の酸化膜・窒化膜・金属などを液相中で溶解・除去する装置です。等方性エッチング(全方向に均一除去)が特性であり、自然酸化膜除去・犠牲層除去・洗浄前処理などに広く使われます。バッチ式と枚葉式があり、先端プロセスでは異物管理と薬液純度への要求が年々厳しくなっています。

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主要特徴

フッ酸・KOHなどの薬液で酸化膜・窒化膜・金属を溶解除去
等方性エッチングのため微細パターン加工には不向きだが均一性に優れる
自然酸化膜除去・犠牲層エッチング・洗浄前処理に広く活用
バッチ式(多枚一括)と枚葉式(一枚ずつ精密処理)の2方式
薬液純度・温度・濃度の精密制御が歩留まりに直結

よくある質問

ウェットエッチングはどのような用途に向いていますか?
大面積・均一なエッチングや犠牲層除去、自然酸化膜除去に向いています。微細パターン精度が不要な工程、例えば洗浄前処理やMEMSの等方性加工でも活用されます。
ウェットエッチング装置の主要サプライヤーは?
SCREEN半導体ソリューションズ(日)、東京エレクトロン(日)、Lam Research(米)、Modutek(米)などが主要メーカーです。洗浄装置と機能が重なるため、洗浄装置メーカーが参入していることも特徴です。

代表製品・スペック

製品写真
SCREENホールディングス
SU-3300(枚葉式ウェット処理)

枚葉式のウェット洗浄・エッチング装置。薬液によるシリコン酸化膜除去やレジスト剥離に対応。

対応ウェハ径300 mm
処理方式枚葉式スピン薬液処理
主要用途HF処理・SC1/SC2洗浄・レジスト剥離
スループット最大 60 WPH
薬液温度制御室温 ~ 80 °C
製品写真
日立ハイテク
枚葉式ウェットエッチング装置

ウェハ1枚ずつ薬液処理する枚葉式。酸化膜の選択エッチングと高い膜厚均一性を実現。

対応ウェハ径300 mm
処理方式枚葉式スピン薬液
主要エッチャントHF、HF/NH₄F(BHF)、リン酸
膜厚均一性±1% 以内
主要用途SiO₂・SiN選択エッチング
日立ハイテク の企業情報を見る →
製品写真
東京エレクトロン(TEL)
CERTAS(ウェット処理モジュール)

TELのクラスター型プラットフォームに対応するウェット処理モジュール。リン酸によるSiN選択エッチングに実績。

対応ウェハ径300 mm
処理方式枚葉式スピン薬液
主要用途SiN選択エッチング・前洗浄
対応薬液HF・リン酸・SC1・SC2
スループット最大 60 WPH

※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

メーカー

3社の主要メーカー

SCREENホールディングス日本

半導体洗浄装置の世界的リーダー。表面処理、ダイレクト描画、画像処理の3大コア技術で、ナノレベルの高精度加工を実現。

洗浄装置
ウェーハ洗浄システム
塗布現像装置
コータ/デベロッパ
検査装置
検査システム計測システム
  • 洗浄装置で世界トップシェア
  • 表面処理、ダイレクト描画、画像処理の3大コア技術
日立ハイテク日本

世界をリードする計測・検査技術のパイオニア。電子顕微鏡技術を核とした「見る・測る・分析する」の総合力で、2nm/3nm世代の先端半導体製造をサポート。

検査・計測装置
CD-SEMウェハ検査装置マスク検査装置膜厚計測装置
加工装置
プラズマエッチング装置
分析装置
走査電子顕微鏡(SEM)透過電子顕微鏡(TEM)
  • CD-SEM(測長SEM)で世界シェア約80%を占める圧倒的なポジション
  • 2nm/3nm世代の先端プロセスに不可欠な計測技術を提供
東京エレクトロン(TEL)日本

世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。

塗布現像装置
CLEAN TRACK ACTCLEAN TRACK LITHIUS
エッチング装置
TactrasCertas
成膜装置
EpisodeTriase+TELINDY PLUS
  • コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
  • 塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ

関連カテゴリ

ドライエッチング装置
材料別エッチャー
金属エッチャー
酸化膜エッチャー
ポリシリコンエッチャー
シリコンエッチャー

関連用語

ウェットエッチングとは →ドライエッチングとは →エッチングとは →エッチバックとは →RIE(反応性イオンエッチング)とは →ALE(原子層エッチング)とは →

比較・違いを学ぶ

ドライエッチングとウェットエッチングの違い
ドライエッチングは真空プロセスでイオン・ラジカルを利用し、異方性エッチングがしやすいのが特長です。ウェットエッチングは液相で均一かつ高選択比な除去が可能な場合が
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