結論：EUV露光とDUV露光の違いは？
EUV露光とDUV露光の最大の違いは「光源の波長」です。EUVは13.5nmの極紫外線を使い、単一露光で微細パターンを形成できますが、真空環境と反射型光学系が必須で装置は1台200億円超と高価です。DUVは193nm（ArF）・248nm（KrF）で、液浸露光やマルチパターニングと組み合わせて広いノード帯をカバーし、コストとスループットで優位に立ちます。7nm以下の最先端ロジックではEUVが中核です。
比較表
EUV露光DUV露光
| 観点 | EUV露光 | DUV露光 |
|---|---|---|
| 代表波長 | 13.5nm（極紫外） | 193nm（ArF）／248nm（KrF）／365nm（i線）など |
| 光学系 | 真空環境・反射型光学（レンズ不可） | 屈折レンズ中心、液浸露光（ArF）で解像度向上可 |
| 微細化の考え方 | 単一露光で微細パターン形成しやすい | 多重露光・マルチパターニングと組み合わせて対応する場合が多い |
| 装置・運用コスト | 極めて高価、メンテナンスも高度 | EUVより相対的に導入しやすい帯が広い |
| 主な適用イメージ | 7nm以下〜最先端ノードの中核 | 成熟〜中先端ノード、またはEUV補完・一部層 |
まとめ（どちらを選ぶか）
最先端ロジックの微細化ではEUVが前提となる領域が広がっています。一方で、DUVは多様なノードで依然として大量に使われ、コストとスループットのバランスが重要な場面で選ばれます。自社のプロセスノードと露光回数・オーバーレイ要求を踏まえ、装置投資と工程設計を一体で検討することが重要です。