EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が可能ですが真空・反射光学が必須です。DUVは193nm（ArF）や248nm（KrF）などで成熟度とコストバランスに優れ、液浸露光やマルチパターニングと組み合わせて広いノード帯をカバーします。
| 観点 | EUV露光 | DUV露光 |
|---|---|---|
| 代表波長 | 13.5nm（極紫外） | 193nm（ArF）／248nm（KrF）／365nm（i線）など |
| 光学系 | 真空環境・反射型光学（レンズ不可） | 屈折レンズ中心、液浸露光（ArF）で解像度向上可 |
| 微細化の考え方 | 単一露光で微細パターン形成しやすい | 多重露光・マルチパターニングと組み合わせて対応する場合が多い |
| 装置・運用コスト | 極めて高価、メンテナンスも高度 | EUVより相対的に導入しやすい帯が広い |
| 主な適用イメージ | 7nm以下〜最先端ノードの中核 | 成熟〜中先端ノード、またはEUV補完・一部層 |
まとめ（どちらを選ぶか）
最先端ロジックの微細化ではEUVが前提となる領域が広がっています。一方で、DUVは多様なノードで依然として大量に使われ、コストとスループットのバランスが重要な場面で選ばれます。自社のプロセスノードと露光回数・オーバーレイ要求を踏まえ、装置投資と工程設計を一体で検討することが重要です。
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よくある質問
DUVだけで最先端は製造できますか？▾
液浸・マルチパターニング等で一定まで対応した事例はありますが、現在の最先端ロジックではEUVが主役となるケースが一般的です。ノードとチップ設計によります。
Semiraiではどこから詳しく見られますか？▾
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