露光装置（Lithography Equipment）

露光装置（リソグラフィ装置）は、マスク（レチクル）に描かれた回路パターンをウェハ上のフォトレジストに光を用いて転写する装置群です。半導体製造の中核工程を担い、パターンの微細化レベルが最終製品の性能・集積度を直接決定します。使用する光源の波長によってi線（365nm）、DUV（248nm/193nm）、EUV（13.5nm）に分類され、波長が短いほど微細なパターン形成が可能になります。先端プロセス（7nm以下）ではEUV露光が不可欠となり、装置単価は数百億円に達します。露光精度（オーバーレイ・解像度・焦点深度）が製造歩留まりと設計自由度を左右するため、成膜・エッチング装置と連携した総合的なプロセス最適化が求められます。計測装置によるフィードバック制御により、ナノメートル以下の位置精度を維持します。