EUV（極紫外線）露光装置は、波長13.5nmの極紫外線を光源として用いる最先端の露光装置です。従来のArF液浸露光（193nm）では達成困難な7nm以下の微細プロセスノードにおいて、EUV露光は不可欠な技術となっています。
EUV露光装置の最大の特徴は、極めて短い波長により、単一露光で微細なパターンを形成できることです。これにより、従来のマルチパターニング技術と比較して、製造工程を大幅に簡素化でき、コスト削減と歩留まり向上が期待できます。しかし、EUVは大気や通常のレンズで吸収されるため、真空環境と反射光学系を使用する必要があり、装置の複雑さとコストが極めて高くなります。
現在、ASMLがEUV露光装置の唯一の量産サプライヤーであり、1台あたり数百億円という価格で、最先端ファブへの導入が進んでいます。5nm、3nm、そして将来の2nm以下のプロセスノードでは、EUV露光装置の性能向上が半導体産業の技術革新を左右する重要な要素となっています。