ASML

EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー。極紫外光リソグラフィ技術でムーアの法則を延命させ、5nm以下の先端プロセスに不可欠。

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当サイトでの位置づけ

露光カテゴリでは EUV および DUV ラインを核とし、微細化ロードマップの中で「露光装置の供給構造」自体を象徴する代表企業として扱われます。

企業の強み

EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー
High-NA EUVで8nmの解像度を実現
5nm以下の先端プロセスに不可欠な技術

主要製品・ソリューション

EUV露光装置

  • •TWINSCAN NXE
  • •TWINSCAN EXE (High-NA)

DUV露光装置

  • •TWINSCAN DUVシリーズ

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比較・違いを学ぶ

EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が…
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エンティティリストと外国直接製品規則(FDPR)の違い
米国の対中半導体規制のニュースでは、エンティティリストへの追加とFDPRの適用がしばしば同時に語られます。両者はどちらも米国の輸出管理規則(EAR)の中の仕組み…
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ファブレスとファウンドリの違い
半導体産業では、設計から製造までを1社で担うIDMに加えて、設計に特化するファブレスと製造に特化するファウンドリという分業モデルが広がっています。最先端のAI向…
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ArF露光とKrF露光の違い(DUV露光装置比較)
ArFとKrFはどちらもDUV(深紫外線)エキシマレーザーを光源とするフォトリソグラフィ装置ですが、光源波長が根本的に異なります。ArF(フッ化アルゴン)は19…
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