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ASML

EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー。極紫外光リソグラフィ技術でムーアの法則を延命させ、5nm以下の先端プロセスに不可欠。

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当サイトでの位置づけ

露光カテゴリでは EUV および DUV ラインを核とし、微細化ロードマップの中で「露光装置の供給構造」自体を象徴する代表企業として扱われます。

企業の強み

EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー
High-NA EUVで8nmの解像度を実現
5nm以下の先端プロセスに不可欠な技術

主要製品・ソリューション

EUV露光装置

  • TWINSCAN NXE
  • TWINSCAN EXE (High-NA)

DUV露光装置

  • TWINSCAN DUVシリーズ

関連装置カテゴリ

EUV露光装置
DUV露光装置

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、ASMLを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

露光(リソグラフィ)とは →EUV露光とは →

同じトピックの用語

EUV露光・リソグラフィ のトピックで関連する用語です。

DUV露光とは →i線ステッパーとは →液浸露光(ArF液浸リソグラフィ)とは →フォトマスクとは →フォトレジストとは →コーター/デベロッパとは →High-NA EUV露光とは →レチクル(フォトマスク)とは →

同じトピックの企業

キヤノン(Canon)日本カール・ツァイスSMT(Carl Zeiss SMT)ドイツコーニング・トロペル(Corning Tropel)米国

比較・違いを学ぶ

EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が
High-NA EUVと従来EUVの違い(NA=0.55 vs NA=0.33)
EUV露光装置は現在、「従来EUV(NA=0.33、ASMLのNXEシリーズ)」と「High-NA EUV(NA=0.55、ASMLのEXEシリーズ)」の2世代
ArF露光とKrF露光の違い(DUV露光装置比較)
ArFとKrFはどちらもDUV(深紫外線)エキシマレーザーを光源とするフォトリソグラフィ装置ですが、光源波長が根本的に異なります。ArF(フッ化アルゴン)は19
シングルパターニングとマルチパターニングの違い
露光装置の解像度には物理的な限界(回折限界)があり、1回の露光ではそのままでは形成できない微細パターンを実現するために開発されたのがマルチパターニング技術です。
ナノインプリントとEUVの違い(次世代リソグラフィ比較)
ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とEUV露光はいずれも半導体製造における微細化を実現するリソグラフィ技術ですが、パターン転写の原理が根本的に異なります。E
ポジ型レジストとネガ型レジストの違い(フォトレジストの比較)
フォトレジストは露光で溶解特性が変化する感光性材料で、ポジ型は露光部が現像液に溶け(マスクの透過部がパターンとして残る逆)、ネガ型は露光部が硬化して残り未露光部
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