露光装置（リソグラフィ装置）は、半導体製造における最も重要かつ高価な装置の一つです。マスク（レチクル）に描かれた微細な回路パターンを、ウェハ上に塗布されたフォトレジストに光を用いて転写する役割を果たします。この工程は、半導体チップの性能と集積度を決定する最も重要なプロセスです。
露光装置は、使用する光源の波長によって分類されます。i線ステッパー（365nm）、KrFエキシマレーザー（248nm）、ArFエキシマレーザー（193nm）、そして最先端の極紫外線（EUV、13.5nm）露光装置があります。波長が短いほど、より微細なパターンを形成できるため、先端半導体プロセスではEUV露光が不可欠となっています。
特にEUV露光装置は、5nm以下の最先端プロセスノードで必須の技術であり、1台あたり数百億円という極めて高価な装置です。ASMLが事実上の独占供給体制を築いており、半導体製造の要となる技術として注目されています。