ALD（原子層堆積）は、原子層レベルで薄膜を1層ずつ精密に積層していく究極の成膜技術です。Atomic Layer Depositionの略称で、CVDの一種に分類されますが、自己制限的な表面反応を利用する点が最大の特徴です。
複数の原料ガス（前駆体）を交互に供給することで、ウェハ表面で1回につき1原子層分の反応のみを進行させます。これにより、膜厚を原子単位で制御でき、極めて深い穴や複雑な立体構造に対しても「完璧な被覆性（コンフォーマル性）」を実現します。
3nmプロセス以降の先端ロジックや、3次元構造を持つ3D NANDメモリなどの製造において、ゲート絶縁膜（High-k膜）や極薄のバリアメタル形成に不可欠な技術となっています。