一言で言うと「CVD（化学気相成長）とは、ガスを使った化学反応でウェハ表面に薄い膜を作り積み上げる成膜技術」です。SiO₂（絶縁膜）・SiN・ポリシリコンなど多様な膜の形成に使われ、前工程から後工程まで幅広く使われる最も基礎的な成膜方式です。熱を使うLPCVD・プラズマを使うPECVD・原子層単位のALDなど派生技術も多数あります。
CVD（Chemical Vapor Deposition／化学気相成長）は、原料となる化学物質（前駆体ガス）をチャンバー内に導入し、熱・プラズマ・光などのエネルギーで化学反応を起こすことでウェハ表面に薄膜を堆積させる成膜技術の総称です。半導体製造における最も基礎的かつ広く使われる成膜技術で、絶縁膜・半導体膜・金属膜など多様な材料の堆積に適用されます。
CVDの主要な方式は3種類に大別されます。（1）APCVD（大気圧CVD）は大気圧下で行う最もシンプルな方式ですが、パーティクル発生が多く現在は限定的用途にとどまります。（2）LPCVD（低圧CVD）は10〜100Paの減圧下で行い、高均一性・高膜質で量産に適します。（3）PECVD（プラズマ強化CVD）はプラズマを利用して低温（200〜400℃）での成膜を可能にし、配線後の工程（バックエンド）に適します。
主な堆積材料と用途：ポリシリコン（ゲート電極・抵抗）、TEOS（テトラエトキシシラン）由来のSiO₂（層間絶縁膜）、シリコン窒化膜（SiN、スペーサー・エッチングストッパー）、タングステン（W、コンタクト充填）、ALDで成膜するHigh-k材料（HfO₂、ゲート絶縁膜）など、現代の半導体製造はCVD技術なしには成立しません。
CVDのステップカバレッジ（段差被覆性）はPVDより優れており、複雑な立体構造のビアやトレンチ内部への均一な成膜が可能です。特にALD（原子層堆積）はCVDの発展形として原子層1層ずつの精密成膜を実現し、3nm以降の先端ロジックにおけるゲート絶縁膜・バリアメタルの形成に不可欠です。
主要装置メーカーはApplied Materials（Centura・Producer系）、Lam Research（ALTUS・Vector・VECTOR 3D系）、東京エレクトロン（Triase+・Telindy系）、ASM International（ALD装置で最大シェア）などが市場をリードします。CVD装置は半導体製造装置市場の最大カテゴリであり、先端ノードへの移行とともに高付加価値化が進んでいます。