CMP（化学機械研磨）は、ウェハ表面を研磨剤（スラリー）と研磨パッドを用いて、化学的作用と機械的作用の双方で平坦化（ポリッシング）するプロセスです。
半導体回路が多層化する中で、各層を形成する前に下地を完全に平坦にする必要があります。平坦度が低いと、露光工程で焦点が合わなくなるなどの不具合が生じます。CMPは、凸部を優先的に削り取ることで、ナノメートルレベルの極めて高い平坦度を実現します。特に、銅配線を採用するダマシン法や、トランジスタを分離するためのSTI（Shallow Trench Isolation）工程において不可欠な技術となっています。