LPCVD（低圧化学気相成長）は、減圧環境下（10〜100Pa程度）で化学反応を起こさせ、高品質な薄膜を形成するCVD技術です。
低圧下ではガスの拡散性が高まるため、大量のウェハを一括処理する際にも均一な膜厚を得やすい（スループットと均一性のバランスが良い）というメリットがあります。膜の緻密さや純度も高く、ポリシリコン、シリコン窒化膜（SiN）、シリコン酸化膜などの形成に標準的に使用されます。通常は600〜900°C程度の比較的高温でプロセスが行われます。
LPCVD（低圧化学気相成長）は、減圧環境下（10〜100Pa程度）で化学反応を起こさせ、高品質な薄膜を形成するCVD技術です。
低圧下ではガスの拡散性が高まるため、大量のウェハを一括処理する際にも均一な膜厚を得やすい（スループットと均一性のバランスが良い）というメリットがあります。膜の緻密さや純度も高く、ポリシリコン、シリコン窒化膜（SiN）、シリコン酸化膜などの形成に標準的に使用されます。通常は600〜900°C程度の比較的高温でプロセスが行われます。