PECVD（プラズマ強化化学気相成長）は、プラズマのエネルギーを利用して、比較的低い温度（200〜400°C程度）で薄膜を形成するCVD技術です。
通常の熱CVDでは1000°C近い高温が必要な場合でも、プラズマによって原料ガスを活性化させることで、熱耐性の低い材料（アルミニウム配線上の絶縁膜など）への成膜が可能になります。半導体の多層配線工程における層間絶縁膜（ILD）や保護膜の形成に広く用いられています。膜質や応力の制御性に優れる一方で、プラズマによる基板へのダメージに注意が必要です。
PECVD（プラズマ強化化学気相成長）は、プラズマのエネルギーを利用して、比較的低い温度（200〜400°C程度）で薄膜を形成するCVD技術です。
通常の熱CVDでは1000°C近い高温が必要な場合でも、プラズマによって原料ガスを活性化させることで、熱耐性の低い材料（アルミニウム配線上の絶縁膜など）への成膜が可能になります。半導体の多層配線工程における層間絶縁膜（ILD）や保護膜の形成に広く用いられています。膜質や応力の制御性に優れる一方で、プラズマによる基板へのダメージに注意が必要です。