PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition／プラズマ強化化学気相成長）は、RFまたはマイクロ波プラズマのエネルギーを用いて原料ガスを励起・分解し、200〜400℃という比較的低温で薄膜を形成するCVD技術です。通常の熱CVDが必要とする600〜900℃のプロセス温度を大幅に引き下げられるため、熱耐性の低い材料が既に形成された後工程でも成膜が可能です。
プラズマによってガス分子が解離・励起されることで、化学反応に必要な活性化エネルギーが供給されます。主に容量結合型プラズマ（CCP）や誘導結合型プラズマ（ICP）が使われ、プラズマ密度・RFパワー・ガス組成・圧力を制御することで膜質（屈折率・応力・水素含有量）を広範囲に調整できます。
代表的な堆積材料は、シリコン酸化膜（SiO₂）、シリコン窒化膜（SiNx）、シリコン炭化窒化膜（SiCN）、非晶質シリコン（a-Si）、有機low-k絶縁膜などです。多層配線工程の層間絶縁膜（ILD）、表面保護膜（パッシベーション）、エッチングハードマスクとして幅広く用いられます。
先端ロジック（5nm以下）ではゲート・スペーサー材料に極薄のSiN/SiCN膜が求められ、膜厚均一性・膜応力の精密制御が不可欠です。また3D NAND製造では数十層ものSiO₂／SiN積層膜をPECVDで連続成膜するため、スループットと膜質の両立が装置選定の鍵となります。
主要装置メーカーはApplied Materials（Producer系）、Lam Research（ALTUS、Vector系）、東京エレクトロン（Telindy系）です。プラズマダメージ（高エネルギーイオンによる基板ダメージ）の低減、低温化、film conformality（段差被覆性）の向上が各社の技術競争ポイントとなっています。