DRAM과 SRAM의 차이
DRAM과 SRAM은 모두 전원이 꺼지면 데이터가 사라지는 휘발성 메모리지만, 1비트를 기억하는 방식이 근본적으로 다릅니다. DRAM은 커패시터에 전하를 담고, SRAM은 트랜지스터 6개로 만든 회로의 상태로 비트를 유지합니다. 이 차이가 속도·집적도·가격, 그리고 쓰이는 자리를 갈라 놓습니다.
결론
DRAM과 SRAM의 가장 큰 차이는 저장 원리와 리프레시 필요 여부입니다. DRAM은 커패시터에 전하를 저장하는 1T1C 구조로 주기적인 리프레시가 필요하지만, 셀이 작아 대용량을 싸게 만들 수 있어 메인 메모리에 쓰입니다. SRAM은 트랜지스터 6개로 만든 래치 회로에 데이터를 유지해 리프레시가 필요 없고 훨씬 빠르지만, 셀 면적이 커서 CPU 캐시처럼 작은 용량에 쓰입니다.
비교표
| 항목 | DRAM | SRAM |
|---|---|---|
| 저장 원리 | 커패시터 전하 저장(1T1C) | 트랜지스터 6개 래치 회로(6T) |
| 리프레시 | 필요(수십 ms 주기로 다시 쓰기) | 불필요(전원이 있는 한 유지) |
| 접근 속도 | 수십 ns 수준 | 1ns 안팎(L1 캐시는 CPU 클록 수 사이클) |
| 집적도 | 높음(셀 면적이 작음) | 낮음(1비트에 트랜지스터 6개) |
| 비트당 가격 | 낮음 | 높음 |
| 주요 용도 | PC·서버 메인 메모리, 스마트폰 RAM, 그래픽 메모리, HBM | CPU·GPU 캐시(L1/L2/L3), 칩 내부 버퍼, 레지스터 파일 |
| 만드는 곳 | 메모리 전용 팹(삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등) | 대부분 로직 칩 안에 함께 집적(파운드리 공정) |
CPU 캐시 계층과 SRAM
현대 CPU는 코어 가까이에 L1, 그 바깥에 L2·L3 캐시를 두고 모두 SRAM으로 만듭니다. 자주 쓰는 데이터를 캐시에 두면 상대적으로 느린 DRAM 메인 메모리에 가는 횟수를 줄일 수 있습니다. SRAM은 로직과 같은 공정으로 칩 안에 넣을 수 있다는 점도 캐시로 쓰이는 이유입니다. 다만 최선단 공정에서는 로직 트랜지스터에 비해 SRAM 셀의 축소 폭이 작아, 캐시 면적이 칩 크기를 키우는 요인이 되고 있습니다.
HBM은 DRAM의 대역폭을 끌어올린 것
AI 가속기에서는 메모리 대역폭이 성능의 병목이 되기 쉽습니다. HBM은 DRAM 칩을 쌓아 GPU 바로 옆에 붙여 넓은 버스로 연결함으로써 대역폭을 크게 높였습니다. 그래도 저장 원리는 DRAM이므로 SRAM 캐시를 대체하는 것이 아니라, 캐시와 메인 메모리 사이의 간격을 좁히는 역할을 합니다.
자주 묻는 질문
SRAM은 왜 메인 메모리로 쓰지 않나요?
같은 용량을 만들 때 SRAM은 셀 면적이 훨씬 커서 칩 면적과 가격이 크게 늘어납니다. 대용량에서는 누설 전류에 의한 소비전력도 문제가 됩니다. 그래서 SRAM은 속도가 가장 중요한 캐시에만 쓰입니다.
DRAM의 리프레시란 무엇인가요?
DRAM 커패시터의 전하는 시간이 지나면 조금씩 새어 나가므로, 데이터를 읽어 다시 써 주는 동작을 주기적으로 반복해야 합니다. 이것을 리프레시라고 하며, 그동안 해당 영역에 접근할 수 없고 전력도 소비합니다.
리프레시가 필요 없는 메모리에는 무엇이 있나요?
SRAM 외에 MRAM·ReRAM·PCM 같은 차세대 비휘발성 메모리도 리프레시가 필요 없습니다. 이들은 DRAM과 NAND 사이를 메우는 메모리로 연구·상용화가 진행되고 있습니다.
메모리 비교 더 보기
출처
- DRAM（Samsung Semiconductor）
- DRAM components（Micron Technology）
- 半導体用語集：DRAM（東京エレクトロン nanotec museum）
- 初心者のための半導体入門：SRAM（SCREENセミコンダクターソリューションズ）
최종 업데이트: 2026년 10월 27일