Verdict結論
DRAM與SRAM最大的差異在於「記憶原理與是否需要刷新」。DRAM是在電容中儲存電荷的1T1C結構，需要以數十ms的週期刷新，延遲約50～100ns，但1個單元面積小、積體度高且成本低，因此用於主記憶體。SRAM以6個電晶體構成的正反器保存資料，不需要刷新，速度高達0.3～1ns，但單元面積大、成本高，因此用於CPU快取。
主要差異
| 比較項目 | DRAM | SRAM |
|---|---|---|
| 記憶原理 | 在電容中儲存電荷（1T1C結構） | 6電晶體（6T）正反器 |
| 刷新 | 需要（以數十ms的週期重新寫入電荷） | 不需要（只要有電源即可保存資料） |
| 存取速度（延遲） | 約50～100ns（DDR5的實效值也約60ns） | 約0.3～1ns（L1快取為0.3～0.5ns） |
| 積體度（位元密度） | 高（1單元＝1T1C，面積小） | 低（1位元＝6T，單元面積大） |
| 位元成本 | 低（大量生產使$/GB單價下降） | 高（DRAM的50～100倍以上） |
| 功耗 | 有刷新功耗，待機時也會消耗電力 | 運作時速度快，但閒置時的靜態功耗也大 |
| 主要用途 | PC主記憶體、智慧型手機RAM、顯示卡VRAM | CPU快取（L1/L2/L3）、SRAM嵌入式緩衝區、暫存器檔案 |
| 代表產品 | DDR5、LPDDR5、HBM3、GDDR7 | SRAM IP（安謀、新思科技等）、獨立式SRAM（Cypress、ISSI） |
CPU快取階層與SRAM的關係
現代CPU具有L1快取（32～64KB）、L2快取（256KB～1MB）、L3快取（數MB～數百MB）的階層，全部由SRAM構成。L1可在每個CPU核心1個週期內（0.3～0.5ns）存取，比DRAM（約100ns）快200倍以上。蘋果的M3晶片在L3快取搭載多達24MB的SRAM，藉由降低主記憶體的存取頻率，實現M1的電源效率。
HBM瞄準DRAM與SRAM之間的定位
HBM（高頻寬記憶體）是將DRAM晶片堆疊，並在矽中介層上與GPU/AI晶片近距離連接，使DRAM頻寬接近SRAM水準的技術。HBM3E每1個堆疊可實現1.2TB/s的頻寬，緩解大規模LLM推論的瓶頸。不過其成本為DDR5的20～30倍以上，並非量產通用品，而是作為AI加速器專用記憶體使用。
常見問題
為什麼SRAM不用於主記憶體？
SRAM的成本是DRAM的50～100倍。若以SRAM製作8GB的主記憶體，費用將高達數十萬日圓以上，並不實際。此外，大容量SRAM的漏電流所造成的功耗也是問題。因此SRAM僅限於速度優先於成本的CPU快取用途。
嵌入式SRAM（eSRAM）是什麼？
eSRAM（embedded SRAM）是內建於SoC或FPGA晶片中的SRAM區塊。無需存取外部記憶體即可進行極高速的資料讀寫，用於即時控制、影像處理緩衝區及AI權重快取。微軟Xbox SoC所使用的eSRAM相當有名，以32MB的eSRAM彌補外部記憶體頻寬的不足。
有不需要像DRAM那樣刷新的記憶體嗎？
有。除了SRAM之外，MRAM、ReRAM、PCM等新興非揮發性記憶體也不需要刷新。這些記憶體具備介於DRAM與SRAM之間的特性，作為「Storage Class Memory（SCM）」在資料中心用途上的研究與商用化持續推進中。
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