HBM3E와 HBM4의 차이
HBM은 DRAM 칩을 수직으로 쌓아 GPU 옆에 붙이는 고대역폭 메모리로, AI 가속기의 성능을 좌우합니다. 2013년 SK하이닉스가 AMD와 함께 처음 개발했고, 지금은 SK하이닉스·삼성전자·마이크론 3사가 공급합니다. HBM3E가 현재 주력 세대이고, HBM4는 엔비디아의 차세대 플랫폼 루빈(Rubin)에 채택될 예정입니다.
결론
HBM3E와 HBM4의 가장 큰 차이는 인터페이스 폭과 베이스 다이입니다. HBM3E는 HBM3를 확장한 세대로 1024비트 인터페이스에서 스택당 약 1.2TB/s를 냅니다. HBM4(JEDEC JESD270-4, 2025년 4월 발표)는 인터페이스를 2048비트로 두 배 넓혀 스택당 최대 2TB/s를 목표로 하고, 맨 아래 베이스 다이를 파운드리의 로직 공정으로 만드는 흐름이 생겼습니다.
비교표
| 항목 | HBM3E | HBM4 |
|---|---|---|
| 규격 | HBM3(JEDEC)의 확장 세대 | JEDEC JESD270-4(2025년 4월) |
| 인터페이스 폭 | 1024비트 | 2048비트 |
| 스택당 대역폭 | 약 1.2TB/s | 최대 2TB/s(규격 기준) |
| 적층 단수 | 8단·12단 | 최대 16단 |
| 스택당 용량 | 24GB(8단), 36GB(12단) | 최대 64GB(규격 기준) |
| 베이스 다이 | DRAM 업체의 자체 공정 | 파운드리 로직 공정 채택이 늘어남(SK하이닉스는 TSMC와 협력) |
| 주요 탑재 제품 | 엔비디아 H200, 블랙웰(B200 등) | 엔비디아 루빈 등 차세대 AI 가속기 |
HBM4의 가장 큰 변화: 베이스 다이의 로직화
HBM 스택의 맨 아래에는 메모리 다이를 제어하고 GPU와 신호를 주고받는 베이스 다이가 있습니다. HBM3E까지는 DRAM 업체가 자체 공정으로 만들었지만, HBM4부터는 이 다이를 파운드리의 로직 공정으로 만들어 성능과 전력 효율을 높이고, 고객 요구에 맞춘 기능을 넣는 움직임이 나타났습니다. SK하이닉스는 TSMC와 베이스 다이 협력을 발표했고, 삼성전자는 자사 파운드리를 활용할 수 있다는 점을 강점으로 내세웁니다.
공급망과 장비 수요의 변화
HBM은 TSV 형성, 웨이퍼 박화, 칩 적층 본딩 같은 후공정 단계가 일반 DRAM보다 많아 생산능력을 늘리는 데 시간이 걸립니다. 적층 단수가 16단으로 늘면 칩을 더 얇게 갈고 정밀하게 쌓아야 하므로, 열압착(TC) 본더와 하이브리드 본딩 장비, 웨이퍼 연삭·다이싱 장비의 중요성이 커집니다. 연삭·다이싱 분야에서는 일본의 디스코(DISCO) 등이 핵심 공급사입니다.
자주 묻는 질문
HBM3E와 HBM3의 차이는 무엇인가요?
HBM3E는 HBM3의 구조를 유지하면서 핀당 속도를 높이고 12단 적층까지 넓힌 확장 세대입니다. SK하이닉스가 2024년에 가장 먼저 양산해 엔비디아에 공급했습니다.
HBM4는 언제 양산되나요?
SK하이닉스는 2025년 9월 HBM4 개발을 마치고 양산 체제를 갖췄다고 발표했습니다. 삼성전자와 마이크론도 HBM4 공급을 준비하고 있으며, 본격적인 수요는 2026년 차세대 AI 가속기 출시와 함께 늘어날 전망입니다.
HBM과 GDDR의 차이는 무엇인가요?
HBM은 DRAM을 쌓아 GPU 바로 옆에 매우 넓은 버스로 연결해 대역폭이 압도적으로 큽니다. GDDR은 그래픽카드 기판에 개별 칩을 배치하는 방식으로, 대역폭은 HBM보다 작지만 훨씬 저렴해 게이밍 GPU에 쓰입니다.
메모리 비교 더 보기
출처
- HBM（Samsung Semiconductor）
- HBM（SK hynix）
- High Bandwidth Memory (HBM3) DRAM（JESD238）（JEDEC）
- HBM3E（Micron Technology）
- HBM3E（Samsung Semiconductor）
- High Bandwidth Memory (HBM4) DRAM（JEDEC）
최종 업데이트: 2026년 10월 27일