반도체 비교
반도체 용어 차이 비교
DRAM과 NAND, EUV와 DUV, CoWoS와 InFO처럼 자주 헷갈리는 반도체 용어를 둘씩 묶어 차이를 표로 정리했습니다. 각 글에는 결론과 비교표, 자주 묻는 질문, 확인한 출처를 함께 실었습니다.
- 비교 글20
메모리
DRAM·NAND·HBM 등 메모리 반도체의 규격과 구조 차이. 한국 기업이 세계 시장을 이끄는 분야입니다.
- NAND와 DRAM의 차이DRAM과 NAND 플래시의 차이를 표로 정리했습니다. 휘발성 여부, 접근 속도, 셀 구조(1T1C와 3D 적층), 주요 용도와 제조 공정상의 과제, 주요 제조사까지 한 번에 비교합니다.
- DRAM과 SRAM의 차이DRAM과 SRAM의 차이를 표로 비교합니다. 1T1C와 6T 셀 구조, 리프레시 필요 여부, 접근 속도와 집적도, 메인 메모리와 CPU 캐시라는 용도의 차이까지 알기 쉽게 정리했습니다.
- DDR5와 LPDDR5의 차이DDR5와 LPDDR5(LPDDR5X)의 차이를 정리했습니다. 동작 전압, 전송 속도, 채널 구조, DIMM과 기판 직접 실장이라는 형태의 차이, PC·서버와 스마트폰이라는 용도까지 표로 비교합니다.
- DDR4와 DDR5의 차이DDR4와 DDR5의 차이를 표로 비교합니다. JEDEC 규격과 전송 속도, 동작 전압, 뱅크 구조, 온다이 ECC와 PMIC, 슬롯 호환성까지 PC·서버 메모리를 고를 때 필요한 내용을 정리했습니다.
- 2D NAND와 3D NAND의 차이2D(플래너) NAND와 3D NAND의 차이를 정리했습니다. 셀 배치 방식, 미세화 한계, 적층 단수 경쟁, 비트당 원가와 제조 공정의 어려움, 주요 제조사를 표로 알기 쉽게 비교합니다.
- HBM3E와 HBM4의 차이AI 가속기용 고대역폭 메모리 HBM3E와 HBM4의 차이를 정리했습니다. 인터페이스 폭과 스택당 대역폭, 적층 단수와 용량, 로직 공정으로 바뀌는 베이스 다이까지 JEDEC 규격 기준으로 비교합니다.
- HBM과 GDDR6의 차이GPU용 고속 메모리인 HBM과 GDDR6(GDDR6X)의 차이를 비교합니다. 버스 폭과 대역폭, 적층·인터포저 실장과 기판 실장, 전력 효율과 가격, AI 가속기와 게이밍 GPU라는 용도의 차이를 정리했습니다.
- 삼성전자와 SK하이닉스의 차이세계 메모리 시장을 이끄는 삼성전자와 SK하이닉스를 비교합니다. 사업 구조, HBM 주도권, NAND 기술과 생산 거점, 2019년 수출 규제 이후 일본 소재·장비 기업과의 관계까지 표로 정리했습니다.
로직·파운드리
트랜지스터 구조와 파운드리 경쟁. 삼성전자와 TSMC가 맞붙는 최선단 공정의 기술 차이를 정리합니다.
- TSMC와 삼성 파운드리의 차이세계 최선단 로직 반도체를 만드는 TSMC와 삼성전자 파운드리를 비교합니다. 순수 파운드리와 종합 반도체 기업이라는 사업 모델, GAA 도입 시기, 첨단 패키징, 생산 거점의 차이를 정리했습니다.
- FinFET과 GAA의 차이FinFET과 GAA(나노시트) 트랜지스터의 차이를 정리했습니다. 게이트가 채널을 감싸는 방식, 단채널 효과 억제, 전류 구동력 조절, 추가되는 공정과 장비, 삼성전자와 TSMC의 도입 시기를 비교합니다.
- HKMG와 폴리실리콘 게이트의 차이HKMG(High-k/메탈 게이트)와 폴리실리콘 게이트의 차이를 정리했습니다. 게이트 절연막과 전극 재료, 누설 전류와 EOT, 게이트 라스트 공정, 성숙 노드에서 폴리실리콘이 계속 쓰이는 이유를 비교합니다.
전공정 장비·공정
노광·증착·식각 등 웨이퍼 공정의 방식 차이. 일본 장비·소재 기업이 강한 영역이 많습니다.
- EUV와 DUV의 차이EUV(극자외선) 노광과 DUV(ArF·KrF) 노광의 차이를 정리했습니다. 광원 파장과 개구수, 레일리 식으로 본 해상 한계, 진공·반사 광학계, 멀티 패터닝과 공정 수, 장비·소재 공급 업체까지 표로 비교합니다.
- ALD와 CVD의 차이ALD(원자층 증착)와 CVD(화학 기상 증착)의 차이를 정리했습니다. 자기 제한 반응과 막 두께 제어, 고종횡비 구조의 단차 피복성, 성막 온도와 생산성, 용도와 주요 장비 업체를 표로 비교합니다.
- CVD와 PVD의 차이CVD(화학 기상 증착)와 PVD(물리 기상 증착, 스퍼터링)의 차이를 정리했습니다. 성막 원리, 단차 피복성, 성막 온도, 막의 순도, 절연막과 금속막이라는 용도, 주요 장비 업체를 표로 비교합니다.
- 건식 식각과 습식 식각의 차이건식 식각(드라이 에칭)과 습식 식각(웨트 에칭)의 차이를 정리했습니다. 플라즈마와 약액이라는 매체, 이방성과 등방성, 선택비와 처리량, 미세 패턴 가공과 세정·박리라는 역할 분담을 비교합니다.
- ICP와 CCP의 차이건식 식각과 플라즈마 CVD에서 쓰는 ICP(유도 결합 플라즈마)와 CCP(용량 결합 플라즈마)의 차이를 정리했습니다. 플라즈마 밀도와 압력, 이온 에너지 제어, 도체 식각과 절연막 식각이라는 용도를 비교합니다.
패키징·물류
CoWoS·하이브리드 본딩 등 첨단 패키징과 웨이퍼 운반 용기의 차이.
- CoWoS와 InFO의 차이TSMC의 첨단 패키징 CoWoS와 InFO의 차이를 정리했습니다. 실리콘 인터포저의 유무, HBM 탑재 가능 여부, CoWoS-S·R·L의 구분, AI 가속기와 스마트폰 AP라는 용도를 표로 비교합니다.
- 하이브리드 본딩과 플립칩의 차이하이브리드 본딩과 플립칩 본딩의 차이를 정리했습니다. 범프 유무와 접합 원리, 접속 피치와 밀도, 표면 평탄도 요구와 비용, 이미지 센서·3D IC·HBM에서의 쓰임을 표로 비교합니다.
- WLCSP와 FOWLP의 차이웨이퍼 레벨 패키지인 WLCSP(팬인)와 FOWLP(팬아웃)의 차이를 정리했습니다. 재배선 방향과 I/O 수, 패키지 크기, 재구성 웨이퍼 공정, 전원 IC와 스마트폰 AP라는 용도, FOPLP로의 발전을 비교합니다.
- FOSB와 FOUP의 차이300mm 웨이퍼 운반 용기 FOSB와 FOUP의 차이를 정리했습니다. 출하용과 팹 내부 반송용이라는 용도, OHT 대응 상단 구조, 내구성과 가격, N₂ 퍼지, 주요 제조사까지 표로 비교합니다.
최종 업데이트: 2026년 10월 27일