Verdict結論
HBM3E與HBM4最大的差異在於「頻寬與堆疊層數」。HBM3E為9.6Gbps/pin、1個堆疊最大1.2TB/s、12H（12層）堆疊，是搭載於NVIDIA H200與B200的2024～2025年主流世代。HBM4是以16Gbps/pin、2.0TB/s以上、16H以上為目標的次世代規格，預計於2025～2026年開始量產。
主要差異
| 比較面向 | HBM3E | HBM4 |
|---|---|---|
| JEDEC規格世代 | HBM3E（HBM3的擴充版） | HBM4（新規格） |
| 腳位頻寬/堆疊 | 最大1.2TB/s（SK 海力士 Shinebolt） | 最大2.0TB/s以上（目標值） |
| 腳位速度 | 9.6Gbps/pin | 16Gbps/pin（目標） |
| 最大堆疊層數 | 12H（12層DRAM） | 16H以上（規劃中） |
| 容量/堆疊 | 24GB（12H×2GB） | 32～48GB（規劃中） |
| 基底晶粒 | 與DRAM相同製程節點 | 改為邏輯晶粒（委託台積電/三星晶圓廠製造） |
| 主要採用GPU | NVIDIA H200・B200・B100 | NVIDIA Rubin（預計2026年）・次世代AMD |
| 供應廠商 | SK 海力士（主力）・美光・三星 | SK 海力士（領先）・三星・美光（2026～） |
| 封裝 | 台積電的CoWoS-L（HBM堆疊橫向配置） | CoWoS-L擴充・支援新型中介層 |
| 量產時程 | 2024年Q1～（SK 海力士領先） | 2025年下半年～（SK 海力士領先量產） |
HBM4最大的變革：基底晶粒邏輯化
HBM4最重要的變更，是基底晶粒（底部的I/O控制晶粒）從DRAM製程改為以邏輯製程（台積電N5/N4或三星SF4等）製造。如此一來，GPU端的記憶體控制器可與HBM堆疊內的邏輯直接整合，進而提升PHY介面效率、降低功耗並加入客製化功能。輝達、超微等GPU廠商將自有規格的HBM4基底晶粒委託台積電等廠商製造，再與HBM廠商的產品結合，形成全新的分工模式。
對AI GPU開發路線圖的影響
輝達在Blackwell（B200）採用HBM3E×8個堆疊（最大192GB・8TB/s），並規劃於次世代Rubin（2026年）轉向HBM4。頻寬倍增可緩解對GPU運算單元的資料供給瓶頸，直接提升LLM（大型語言模型）的訓練・推論效能。先進封裝（CoWoS）設備需求也將增加，ASMPT、Besi等接合機廠商可望受惠。
製造供應鏈的變化
到HBM3E為止，基底晶粒都在SK 海力士或美光的自有晶圓廠製造，但HBM4的邏輯基底晶粒則規劃委託台積電（N5/N4）、三星（SF4）製造。這是因為DRAM廠商不具備先進邏輯製程，此舉將進一步帶動EUV曝光機、ALD設備等先進前段製程設備的需求。
常見問題
HBM3E與HBM3有何不同？
HBM3E是limited extension（擴充版），在維持HBM3基本架構的同時，將腳位速度從6.4Gbps提升至9.6Gbps，堆疊層數也從8H擴充到12H。SK 海力士以HBM3E「Shinebolt」率先供貨給NVIDIA H200，美光與三星也在2024年內開始量產HBM3E產品。
HBM4何時開始量產？
SK 海力士已宣布預計於2025年下半年開始量產HBM4（截至2025年5月）。美光與三星規劃於2026年開始量產。輝達的次世代GPU「Rubin」平台（預計2026年）的採用，預料將成為第一波大規模量產需求。
HBM與GDDR6有何不同？
HBM以TSV堆疊多顆DRAM晶粒，並透過中介層連接到GPU，可實現超高頻寬（HBM3E為1.2TB/s），但成本高。GDDR6是配置在顯示卡板上的獨立記憶體晶片，頻寬（每1顆晶片約80GB/s）不及HBM，但成本低。AI訓練用的高效能GPU主要採用HBM，遊戲用GPU則主要採用GDDR。