SEMICONDUCTOR EQUIPMENT

CMPスラリーメーカー5

CMPスラリーは、化学機械研磨(CMP)工程で使用される研磨砥粒と化学反応剤を含むコロイド状の研磨液です。シリカ・セリア・アルミナなどの砥粒による機械研磨作用と、酸化剤・錯化剤による化学溶解作用を組み合わせ、ウェハ表面を原子レベルで平坦化します。層間絶縁膜用、銅配線用、タングステン用、STI用など、研磨対象ごとに専用組成が設計されます。多層配線・先端ロジックの平坦性を支える重要消耗材で、CMP装置と一体で歩留まりを決定します。

メーカー 5関連カテゴリ 9

主要特徴

砥粒と化学反応剤を含むコロイド状の研磨液(化学+機械作用)
研磨対象(絶縁膜・銅・タングステン・STI)ごとに専用組成
多層配線のグローバル平坦化とダマシン形成に必須
CMP装置と組み合わせ、歩留まりとデバイス性能を左右
Cabot・Fujimi・Hitachi Chemical・JSRなどが主要サプライヤー

よくある質問

CMPスラリーとは何ですか?
CMPスラリーは、化学機械研磨工程で使用される研磨液です。シリカやセリアなどの研磨砥粒と化学反応剤(酸化剤・錯化剤)を含み、ウェハ表面を機械的・化学的に同時に平坦化します。
スラリーは用途別にどう分かれますか?
絶縁膜CMP用(シリカ系)、銅配線用(酸化剤+錯化剤含有)、タングステン用(強酸化剤)、STI用(セリア系選択比高)など、研磨対象と選択比要求に応じて専用組成が設計されます。
CMPスラリーの主要メーカーはどこですか?
Cabot Microelectronics(米)、Fujimi、Hitachi Chemical(日)、JSR、Versum Materials、CMC Materialsなどが主要サプライヤーです。先端ロジックのダマシン・先端メモリ向けに高付加価値製品の開発が続いています。

メーカー

5社の主要メーカー

Entegris米国

半導体材料インテグリティ管理の専業企業。ウェハキャリア(FOUP)・CMPスラリー・超純水フィルタ・ガス精製器など汚染制御製品でNo.1クラスのシェア。

CMPスラリー・パッド
Optima CMPスラリー研磨パッド
フィルタ・精製装置
超純水フィルタガス精製器
ウェハ搬送材料
FOUPウェハシッパー
  • 半導体用CMPスラリー・研磨材料のグローバルトップ(CMC Materials統合後)
  • 超純水・薬液フィルタで世界最高水準の汚染管理
JSR日本

フォトレジスト・半導体材料の世界的大手。ArFi/EUVレジストのほか、CMPスラリー・洗浄液も展開。2023年に産業革新投資機構(JIC)が株式取得。

フォトレジスト
ArFiレジストEUVレジストi線レジスト
CMPスラリー
酸化膜用スラリーメタル用スラリー
  • ArF液浸・EUVフォトレジストで世界首位級のシェア
  • CMPスラリー・研磨材料の総合半導体材料メーカー
DuPont(半導体材料)米国

化学大手DuPontの電子材料部門。Low-k絶縁材・銅配線CMP材料・ArFフォトレジスト・半導体実装向け接着剤など先端材料を幅広く展開。

絶縁材料
Low-k誘電体フィルムポリイミド
フォトレジスト
ArFレジスト
実装材料
ダイアタッチフィルム封止材
  • Low-k誘電体(Black Diamond)でインターコネクト材料のパイオニア
  • 銅CMPスラリー・パッドの主要サプライヤー
Merck KGaA(半導体材料)ドイツ

ドイツの特殊化学・製薬大手Merck KGaAの半導体材料部門。ALD前駆体・高誘電材料・フォトマスクブランクス・液晶など先端材料を供給。

ALD前駆体
High-k誘電体材料メタルゲート前駆体
フォトマスク材料
マスクブランクス
特殊ガス
プロセスガスエッチングガス
  • ALD/CVD前駆体(High-k・メタルゲート材料)のグローバルリーダー
  • フォトマスクブランクスの主要サプライヤー
レゾナック(旧昭和電工)日本

2023年に昭和電工と日立化成が統合して発足した半導体材料の総合メーカー。CMPスラリー・半導体封止材・エピタキシャルウェーハ・SiCエピウェーハを主力とする。

研磨材料
CMPスラリー(酸化膜・メタル)CMP研磨パッド
半導体基板
SiCエピウェーハSiエピウェーハ
封止材
半導体封止コンパウンド(EMC)
  • CMPスラリー(High-Purity Colloidal Silica)で世界上位シェア
  • SiCエピタキシャルウェーハで国内最大手。パワー半導体市場の拡大を追い風に

関連カテゴリ

ALD/CVD前駆体材料
ボンディング材料
EUVレジスト
High-k絶縁膜
Low-k絶縁膜
フォトマスクブランクス
フォトレジスト
半導体材料
特殊ガス・プロセスガス

関連用語

CMPスラリーとは →CMP(化学機械研磨)とは →CMP装置とは →研磨パッドとは →パッドコンディショニングとは →リテーナリングとは →研磨ヘッドとは →メタルCMP(Cu・W)とは →酸化膜CMP(STI・ILD)とは →研磨レート(Prestonの式)とは →研磨均一性(WIWNU)とは →スクラッチ(CMP傷)とは →

比較・違いを学ぶ

Cu-CMPとW-CMPの違い(メタルCMPの比較)
メタルCMPは、配線を作るための「余分な金属を削り落とす」工程です。銅ダマシン配線の余剰Cu除去と、コンタクトプラグのタングステン除去という二大用途がありますが
セリアスラリーとシリカスラリーの違い(CMP砥粒の比較)
CMPスラリーの性能を決めるのは砥粒だけではありませんが、砥粒種の選択はプロセスの性格を大きく規定します。セリアとシリカは、同じ「ナノ粒子を分散させた研磨液」で
CMPとエッチバックの違い|平坦化手法を比較
どちらもウェハ表面を平坦化する技術ですが、メカニズムが根本的に異なります。CMPは研磨剤(スラリー)と研磨パッドを使った化学・機械的研磨で、ナノメートル精度の大
← 半導体装置カテゴリ一覧に戻る