フォトレジストメーカー6社

フォトレジストは、露光工程でマスクの回路パターンをウェハ上に転写するために使用される感光性高分子材料です。露光光の当たった部分が化学変化を起こし、現像液で選択的に溶解されることで微細パターンを形成します。露光光源(i線・KrF・ArF・EUV)ごとに専用のレジストが必要で、特にEUV用レジストは感度・解像度・ラインエッジラフネスの同時最適化が極めて難しく、先端半導体量産の技術的ボトルネックとなる重要材料です。JSR、信越化学、東京応化など日本メーカーが世界シェアの大半を占めます。

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主要特徴

露光光を受けて化学変化を起こす感光性高分子材料
光源(i線・KrF・ArF・EUV)ごとに専用レジストが必要
EUVレジストは感度・解像度・LERの同時最適化が最大の課題
日本メーカー(JSR・信越化学・東京応化・富士フイルム)が世界シェアの大半を保有
微細パターン形成の品質を決定する先端プロセスの中核材料

よくある質問

フォトレジストとは何ですか?▾
フォトレジストは、露光工程で使用される感光性材料です。露光光が当たった部分と当たらない部分で現像液への溶解性が変化し、ウェハ上にマスクのパターンを転写できます。ポジ型(露光部が溶解)とネガ型(露光部が残る)に大別されます。
EUVレジストは従来レジストとどう違いますか?▾
EUVレジストは波長13.5nmの極端紫外線に対応した設計で、感度・解像度・ラインエッジラフネス(LER)の全てを高水準で満たす必要があります。また吸収効率を上げるため金属含有型(MOR)レジストの開発も進められています。
フォトレジストの主要メーカーはどこですか?▾
JSR、東京応化工業(TOK)、信越化学工業、富士フイルムなど日本メーカーが世界シェアの大半を占めています。特にEUVレジストでは日本勢が技術的優位を持ち、先端半導体量産に不可欠なサプライチェーンの一翼を担います。

スペック比較

複数の製品が掲載している項目を並べています。

項目JSRArF 液浸用レジスト(AR シリーズ)東京応化工業(TOK)OFPR シリーズ(i 線ポジ型レジスト)信越化学工業KrF/ArF 用フォトレジスト
対応露光波長193 nm(ArF 液浸)365 nm(i 線)248 nm(KrF)/193 nm(ArF)
レジスト種別化学増幅型ポジ型ノボラック系ポジ型化学増幅型ポジ型
主要用途先端ロジック・DRAM の微細配線/ゲート層パワー半導体・アナログ・MEMS・パッケージメモリ・ロジックの中間層、厚膜プロセス
供給形態液体(密閉容器)—液体(密閉容器)
1製品だけが掲載している項目(4件)
解像性能の目安ハーフピッチ 40 nm 前後(露光条件による)——
膜厚範囲の目安—0.5 ~ 数 µm(グレードによる)—
現像液—TMAH 2.38%(NMD-3 など)—
関連材料——ペリクル・封止材まで自社供給

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

代表製品・スペック

製品写真
JSR

ArF 液浸用レジスト(AR シリーズ)

ArF 液浸露光向けの化学増幅型ポジ型レジスト。JSR が世界首位級のシェアを持つ領域で、先端ロジック・DRAM の微細層に使われる。

対応露光波長193 nm(ArF 液浸)
レジスト種別化学増幅型ポジ型
解像性能の目安ハーフピッチ 40 nm 前後(露光条件による)
主要用途先端ロジック・DRAM の微細配線/ゲート層
供給形態液体(密閉容器)
JSR の企業情報を見る →
製品写真
東京応化工業(TOK)

OFPR シリーズ(i 線ポジ型レジスト)

東京応化の代表的な i 線用ポジ型フォトレジスト。パワー半導体・アナログ・MEMS など成熟ノードで長く使われる定番グレード。

対応露光波長365 nm(i 線)
レジスト種別ノボラック系ポジ型
膜厚範囲の目安0.5 ~ 数 µm(グレードによる)
現像液TMAH 2.38%(NMD-3 など)
主要用途パワー半導体・アナログ・MEMS・パッケージ
東京応化工業(TOK) の企業情報を見る →
製品写真
信越化学工業

KrF/ArF 用フォトレジスト

信越化学の半導体用レジスト。KrF・ArF 世代のポジ型レジストを揃え、原料の高純度材料まで自社で押さえている点が強み。

対応露光波長248 nm(KrF)/193 nm(ArF)
レジスト種別化学増幅型ポジ型
主要用途メモリ・ロジックの中間層、厚膜プロセス
関連材料ペリクル・封止材まで自社供給
供給形態液体(密閉容器)
信越化学工業 の企業情報を見る →

※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

メーカー

6社の主要メーカー

JSR日本

フォトレジスト・半導体材料の世界的大手。ArFi/EUVレジストのほか、CMPスラリー・洗浄液も展開。2023年に産業革新投資機構(JIC)が株式取得。

フォトレジスト
ArFiレジストEUVレジストi線レジスト
CMPスラリー
酸化膜用スラリーメタル用スラリー
  • •ArF液浸・EUVフォトレジストで世界首位級のシェア
  • •CMPスラリー・研磨材料の総合半導体材料メーカー
会社詳細
東京応化工業(TOK)日本

フォトレジスト専業の老舗メーカー。KrF〜ArF〜EUVと各世代のレジスト開発を継続し、現像液・洗浄剤などのプロセス薬品も手がける。

フォトレジスト
EUVレジストArFiレジストKrFレジスト
プロセス薬品
TMAH現像液剥離液
  • •フォトレジスト専業メーカーとして70年超の実績
  • •KrF〜EUV全世代対応のレジスト開発力
会社詳細
信越化学工業日本

シリコンウェハ・フォトレジスト材料・塩化ビニルの世界的大手。半導体向けには300mmウェハとEUVレジスト材料でトップシェア。

シリコンウェハ
300mmポリッシュドウェハエピタキシャルウェハ
フォトレジスト材料
ArF用PHS樹脂EUV用材料
封止材
半導体エポキシ封止材
  • •シリコンウェハ(300mm)で世界シェア約30%
  • •ArF/EUV向けフォトレジスト材料で業界首位級
会社詳細
Merck KGaA(半導体材料)ドイツ

ドイツの特殊化学・製薬大手Merck KGaAの半導体材料部門。ALD前駆体・高誘電材料・フォトマスクブランクス・液晶など先端材料を供給。

ALD前駆体
High-k誘電体材料メタルゲート前駆体
フォトマスク材料
マスクブランクス
特殊ガス
プロセスガスエッチングガス
  • •ALD/CVD前駆体(High-k・メタルゲート材料)のグローバルリーダー
  • •フォトマスクブランクスの主要サプライヤー
会社詳細
富士フイルム(半導体材料)日本

写真・医療映像の技術基盤を半導体材料に展開。EUVフォトレジスト・先進パッケージ向け感光性材料・プロセス薬液を手がける。

フォトレジスト
EUVレジスト感光性フィルム
プロセス薬品
現像液洗浄液
  • •写真フィルム由来の感光材料技術をEUVレジストに応用
  • •先進パッケージング向けフォトレジストフィルム
会社詳細
DuPont(半導体材料)米国

化学大手DuPontの電子材料部門。Low-k絶縁材・銅配線CMP材料・ArFフォトレジスト・半導体実装向け接着剤など先端材料を幅広く展開。

絶縁材料
Low-k誘電体フィルムポリイミド
フォトレジスト
ArFレジスト
実装材料
ダイアタッチフィルム封止材
  • •Low-k誘電体(Black Diamond)でインターコネクト材料のパイオニア
  • •銅CMPスラリー・パッドの主要サプライヤー
会社詳細

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