フォトレジストメーカー6社
フォトレジストは、露光工程でマスクの回路パターンをウェハ上に転写するために使用される感光性高分子材料です。露光光の当たった部分が化学変化を起こし、現像液で選択的に溶解されることで微細パターンを形成します。露光光源(i線・KrF・ArF・EUV)ごとに専用のレジストが必要で、特にEUV用レジストは感度・解像度・ラインエッジラフネスの同時最適化が極めて難しく、先端半導体量産の技術的ボトルネックとなる重要材料です。JSR、信越化学、東京応化など日本メーカーが世界シェアの大半を占めます。
主要特徴
よくある質問
フォトレジストとは何ですか?▾
EUVレジストは従来レジストとどう違いますか?▾
フォトレジストの主要メーカーはどこですか?▾
スペック比較
複数の製品が掲載している項目を並べています。
| 項目 | JSRArF 液浸用レジスト(AR シリーズ) | 東京応化工業(TOK)OFPR シリーズ(i 線ポジ型レジスト) | 信越化学工業KrF/ArF 用フォトレジスト |
|---|---|---|---|
| 対応露光波長 | 193 nm(ArF 液浸) | 365 nm(i 線) | 248 nm(KrF)/193 nm(ArF) |
| レジスト種別 | 化学増幅型ポジ型 | ノボラック系ポジ型 | 化学増幅型ポジ型 |
| 主要用途 | 先端ロジック・DRAM の微細配線/ゲート層 | パワー半導体・アナログ・MEMS・パッケージ | メモリ・ロジックの中間層、厚膜プロセス |
| 供給形態 | 液体(密閉容器) | — | 液体(密閉容器) |
1製品だけが掲載している項目(4件)
| 解像性能の目安 | ハーフピッチ 40 nm 前後(露光条件による) | — | — |
|---|---|---|---|
| 膜厚範囲の目安 | — | 0.5 ~ 数 µm(グレードによる) | — |
| 現像液 | — | TMAH 2.38%(NMD-3 など) | — |
| 関連材料 | — | — | ペリクル・封止材まで自社供給 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
ArF 液浸用レジスト(AR シリーズ)
ArF 液浸露光向けの化学増幅型ポジ型レジスト。JSR が世界首位級のシェアを持つ領域で、先端ロジック・DRAM の微細層に使われる。
| 対応露光波長 | 193 nm(ArF 液浸) |
| レジスト種別 | 化学増幅型ポジ型 |
| 解像性能の目安 | ハーフピッチ 40 nm 前後(露光条件による) |
| 主要用途 | 先端ロジック・DRAM の微細配線/ゲート層 |
| 供給形態 | 液体(密閉容器) |
OFPR シリーズ(i 線ポジ型レジスト)
東京応化の代表的な i 線用ポジ型フォトレジスト。パワー半導体・アナログ・MEMS など成熟ノードで長く使われる定番グレード。
| 対応露光波長 | 365 nm(i 線) |
| レジスト種別 | ノボラック系ポジ型 |
| 膜厚範囲の目安 | 0.5 ~ 数 µm(グレードによる) |
| 現像液 | TMAH 2.38%(NMD-3 など) |
| 主要用途 | パワー半導体・アナログ・MEMS・パッケージ |
KrF/ArF 用フォトレジスト
信越化学の半導体用レジスト。KrF・ArF 世代のポジ型レジストを揃え、原料の高純度材料まで自社で押さえている点が強み。
| 対応露光波長 | 248 nm(KrF)/193 nm(ArF) |
| レジスト種別 | 化学増幅型ポジ型 |
| 主要用途 | メモリ・ロジックの中間層、厚膜プロセス |
| 関連材料 | ペリクル・封止材まで自社供給 |
| 供給形態 | 液体(密閉容器) |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
6社の主要メーカー
フォトレジスト・半導体材料の世界的大手。ArFi/EUVレジストのほか、CMPスラリー・洗浄液も展開。2023年に産業革新投資機構(JIC)が株式取得。
- •ArF液浸・EUVフォトレジストで世界首位級のシェア
- •CMPスラリー・研磨材料の総合半導体材料メーカー
フォトレジスト専業の老舗メーカー。KrF〜ArF〜EUVと各世代のレジスト開発を継続し、現像液・洗浄剤などのプロセス薬品も手がける。
- •フォトレジスト専業メーカーとして70年超の実績
- •KrF〜EUV全世代対応のレジスト開発力
シリコンウェハ・フォトレジスト材料・塩化ビニルの世界的大手。半導体向けには300mmウェハとEUVレジスト材料でトップシェア。
- •シリコンウェハ(300mm)で世界シェア約30%
- •ArF/EUV向けフォトレジスト材料で業界首位級
ドイツの特殊化学・製薬大手Merck KGaAの半導体材料部門。ALD前駆体・高誘電材料・フォトマスクブランクス・液晶など先端材料を供給。
- •ALD/CVD前駆体(High-k・メタルゲート材料)のグローバルリーダー
- •フォトマスクブランクスの主要サプライヤー
写真・医療映像の技術基盤を半導体材料に展開。EUVフォトレジスト・先進パッケージ向け感光性材料・プロセス薬液を手がける。
- •写真フィルム由来の感光材料技術をEUVレジストに応用
- •先進パッケージング向けフォトレジストフィルム
化学大手DuPontの電子材料部門。Low-k絶縁材・銅配線CMP材料・ArFフォトレジスト・半導体実装向け接着剤など先端材料を幅広く展開。
- •Low-k誘電体(Black Diamond)でインターコネクト材料のパイオニア
- •銅CMPスラリー・パッドの主要サプライヤー
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