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フォトレジストメーカー6

フォトレジストは、露光工程でマスクの回路パターンをウェハ上に転写するために使用される感光性高分子材料です。露光光の当たった部分が化学変化を起こし、現像液で選択的に溶解されることで微細パターンを形成します。露光光源(i線・KrF・ArF・EUV)ごとに専用のレジストが必要で、特にEUV用レジストは感度・解像度・ラインエッジラフネスの同時最適化が極めて難しく、先端半導体量産の技術的ボトルネックとなる重要材料です。JSR、信越化学、東京応化など日本メーカーが世界シェアの大半を占めます。

メーカー 6関連カテゴリ 9

主要特徴

露光光を受けて化学変化を起こす感光性高分子材料
光源(i線・KrF・ArF・EUV)ごとに専用レジストが必要
EUVレジストは感度・解像度・LERの同時最適化が最大の課題
日本メーカー(JSR・信越化学・東京応化・富士フイルム)が世界シェアの大半を保有
微細パターン形成の品質を決定する先端プロセスの中核材料

よくある質問

フォトレジストとは何ですか?
フォトレジストは、露光工程で使用される感光性材料です。露光光が当たった部分と当たらない部分で現像液への溶解性が変化し、ウェハ上にマスクのパターンを転写できます。ポジ型(露光部が溶解)とネガ型(露光部が残る)に大別されます。
EUVレジストは従来レジストとどう違いますか?
EUVレジストは波長13.5nmの極端紫外線に対応した設計で、感度・解像度・ラインエッジラフネス(LER)の全てを高水準で満たす必要があります。また吸収効率を上げるため金属含有型(MOR)レジストの開発も進められています。
フォトレジストの主要メーカーはどこですか?
JSR、東京応化工業(TOK)、信越化学工業、富士フイルムなど日本メーカーが世界シェアの大半を占めています。特にEUVレジストでは日本勢が技術的優位を持ち、先端半導体量産に不可欠なサプライチェーンの一翼を担います。

メーカー

6社の主要メーカー

JSR日本

フォトレジスト・半導体材料の世界的大手。ArFi/EUVレジストのほか、CMPスラリー・洗浄液も展開。2023年に産業革新投資機構(JIC)が株式取得。

フォトレジスト
ArFiレジストEUVレジストi線レジスト
CMPスラリー
酸化膜用スラリーメタル用スラリー
  • ArF液浸・EUVフォトレジストで世界首位級のシェア
  • CMPスラリー・研磨材料の総合半導体材料メーカー
東京応化工業(TOK)日本

フォトレジスト専業の老舗メーカー。KrF〜ArF〜EUVと各世代のレジスト開発を継続し、現像液・洗浄剤などのプロセス薬品も手がける。

フォトレジスト
EUVレジストArFiレジストKrFレジスト
プロセス薬品
TMAH現像液剥離液
  • フォトレジスト専業メーカーとして70年超の実績
  • KrF〜EUV全世代対応のレジスト開発力
信越化学工業日本

シリコンウェハ・フォトレジスト材料・塩化ビニルの世界的大手。半導体向けには300mmウェハとEUVレジスト材料でトップシェア。

シリコンウェハ
300mmポリッシュドウェハエピタキシャルウェハ
フォトレジスト材料
ArF用PHS樹脂EUV用材料
封止材
半導体エポキシ封止材
  • シリコンウェハ(300mm)で世界シェア約30%
  • ArF/EUV向けフォトレジスト材料で業界首位級
Merck KGaA(半導体材料)ドイツ

ドイツの特殊化学・製薬大手Merck KGaAの半導体材料部門。ALD前駆体・高誘電材料・フォトマスクブランクス・液晶など先端材料を供給。

ALD前駆体
High-k誘電体材料メタルゲート前駆体
フォトマスク材料
マスクブランクス
特殊ガス
プロセスガスエッチングガス
  • ALD/CVD前駆体(High-k・メタルゲート材料)のグローバルリーダー
  • フォトマスクブランクスの主要サプライヤー
富士フイルム(半導体材料)日本

写真・医療映像の技術基盤を半導体材料に展開。EUVフォトレジスト・先進パッケージ向け感光性材料・プロセス薬液を手がける。

フォトレジスト
EUVレジスト感光性フィルム
プロセス薬品
現像液洗浄液
  • 写真フィルム由来の感光材料技術をEUVレジストに応用
  • 先進パッケージング向けフォトレジストフィルム
DuPont(半導体材料)米国

化学大手DuPontの電子材料部門。Low-k絶縁材・銅配線CMP材料・ArFフォトレジスト・半導体実装向け接着剤など先端材料を幅広く展開。

絶縁材料
Low-k誘電体フィルムポリイミド
フォトレジスト
ArFレジスト
実装材料
ダイアタッチフィルム封止材
  • Low-k誘電体(Black Diamond)でインターコネクト材料のパイオニア
  • 銅CMPスラリー・パッドの主要サプライヤー

関連カテゴリ

ALD/CVD前駆体材料
ボンディング材料
CMPスラリー
EUVレジスト
High-k絶縁膜
Low-k絶縁膜
フォトマスクブランクス
半導体材料
特殊ガス・プロセスガス

関連用語

フォトレジストとは →EUV露光とは →DUV露光とは →i線ステッパーとは →液浸リソグラフィとは →フォトマスクとは →コーター/デベロッパとは →High-NA EUVとは →レチクルとは →EUV光源とは →ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とは →

比較・違いを学ぶ

EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が
High-NA EUVと従来EUVの違い(NA=0.55 vs NA=0.33)
EUV露光装置は現在、「従来EUV(NA=0.33、ASMLのNXEシリーズ)」と「High-NA EUV(NA=0.55、ASMLのEXEシリーズ)」の2世代
ArF露光とKrF露光の違い(DUV露光装置比較)
ArFとKrFはどちらもDUV(深紫外線)エキシマレーザーを光源とするフォトリソグラフィ装置ですが、光源波長が根本的に異なります。ArF(フッ化アルゴン)は19
シングルパターニングとマルチパターニングの違い
露光装置の解像度には物理的な限界(回折限界)があり、1回の露光ではそのままでは形成できない微細パターンを実現するために開発されたのがマルチパターニング技術です。
ナノインプリントとEUVの違い(次世代リソグラフィ比較)
ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とEUV露光はいずれも半導体製造における微細化を実現するリソグラフィ技術ですが、パターン転写の原理が根本的に異なります。E
ポジ型レジストとネガ型レジストの違い(フォトレジストの比較)
フォトレジストは露光で溶解特性が変化する感光性材料で、ポジ型は露光部が現像液に溶け(マスクの透過部がパターンとして残る逆)、ネガ型は露光部が硬化して残り未露光部
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