半導体材料メーカー10社

半導体材料は、ウェハ・フォトレジスト・特殊ガス・CMPスラリー・封止樹脂・リードフレーム・ボンディングワイヤなど、半導体製造の各工程で使用される多様な材料群の総称です。前工程ではシリコンウェハ、フォトマスク、レジスト、成膜ガス、エッチングガス、CMPスラリーなどが、後工程では封止材、ダイボンドフィルム、ボンディング材などが使用されます。材料の純度・組成・サプライチェーンが製造歩留まりと製品性能を決定するため、装置と並ぶ半導体産業の基盤となる重要分野です。

メーカー 10 社同じ分野の装置 22 カテゴリ
掲載する

主要特徴

前工程(ウェハ・レジスト・ガス・スラリー)と後工程(封止材・ワイヤ)の全材料を含む総称
純度・組成・安定供給が歩留まりと製品性能を直接左右
高純度ガス(NF3・WF6)やEUVレジストなど先端材料は日本メーカーが強み
ウェハ(SUMCO・信越)・レジスト(JSR・TOK)・ガス(大陽日酸・昭和電工)で日本勢が世界シェア首位級
装置と材料の組み合わせ最適化が先端プロセスの技術競争力を決定

よくある質問

半導体材料にはどんな種類がありますか?▾
大別して前工程材料(シリコンウェハ、フォトマスク、フォトレジスト、成膜/エッチングガス、CMPスラリー、洗浄薬液など)と後工程材料(封止樹脂、リードフレーム、ボンディングワイヤ、ダイボンドフィルムなど)に分かれます。
なぜ日本の半導体材料メーカーが世界的に強いのですか?▾
シリコンウェハ(SUMCO・信越化学)、フォトレジスト(JSR・TOK・富士フイルム)、高純度ガス、特殊薬液など、先端材料で日本メーカーが高い世界シェアを持ちます。高純度・高品質を要求される材料分野で長年蓄積した技術力が競争優位の源泉です。
半導体材料市場の規模はどの程度ですか?▾
SEMI統計によると世界市場は年間約700億ドル規模で、装置市場(約1,000億ドル)と合わせて半導体産業の基盤を構成します。先端プロセスの進化に伴い、材料の高付加価値化が進んでいます。

スペック比較

このページの製品は種類が異なります。まず種類で絞り込み、同じ種類の製品どうしを比較してください。

種類メーカー製品主要用途
シリコンウェハ信越化学工業300mm シリコンウェハ先端ロジック・DRAM・NAND
SUMCO300mm 研磨・エピタキシャルウェハロジック・DRAM・NAND・パワー
化合物基板住友電気工業(SiC・化合物半導体)GaN/GaAs・InP 化合物基板パワー GaN・RF デバイス・光通信 InP

シリコンウェハ:2製品の比較

項目信越化学工業300mm シリコンウェハSUMCO300mm 研磨・エピタキシャルウェハ
口径300 mm(200/150 mm も供給)300 mm/200 mm/150 mm
結晶育成CZ 法(磁場印加 MCZ を含む)CZ 法
主な仕様研磨ウェハ・アニールウェハ・エピタキシャルウェハ研磨ウェハ・エピタキシャルウェハ・アニールウェハ
管理指標平坦度(SFQR)・COP 密度・金属不純物平坦度・抵抗率均一性・パーティクル
主要用途先端ロジック・DRAM・NANDロジック・DRAM・NAND・パワー

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

代表製品・スペック

製品写真
信越化学工業

300mm シリコンウェハ

シリコンウェハ世界首位の主力製品。CZ 引き上げから研磨・洗浄・検査までを自社で通し、先端ロジック・メモリ向けの品質を出す。

口径300 mm(200/150 mm も供給)
結晶育成CZ 法(磁場印加 MCZ を含む)
主な仕様研磨ウェハ・アニールウェハ・エピタキシャルウェハ
管理指標平坦度(SFQR)・COP 密度・金属不純物
主要用途先端ロジック・DRAM・NAND
信越化学工業 の企業情報を見る →
製品写真
SUMCO

300mm 研磨・エピタキシャルウェハ

シリコンウェハ世界 2 位。先端ロジック向けのエピタキシャルウェハと、メモリ向けの研磨ウェハを両輪で供給する。

口径300 mm/200 mm/150 mm
主な仕様研磨ウェハ・エピタキシャルウェハ・アニールウェハ
結晶育成CZ 法
管理指標平坦度・抵抗率均一性・パーティクル
主要用途ロジック・DRAM・NAND・パワー
SUMCO の企業情報を見る →
製品写真
住友電気工業(SiC・化合物半導体)

GaN/GaAs・InP 化合物基板

化合物半導体基板の主力メーカー。GaN 基板はパワー・RF、InP は光通信用デバイスの土台になる。

材料GaN・GaAs・InP
口径2 ~ 6 インチ(材料による)
結晶育成HVPE・VGF/LEC 法など
管理指標転位密度・抵抗率・オフ角精度
主要用途パワー GaN・RF デバイス・光通信 InP

※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

メーカー

10社の主要メーカー

信越化学工業日本

シリコンウェハ・フォトレジスト材料・塩化ビニルの世界的大手。半導体向けには300mmウェハとEUVレジスト材料でトップシェア。

シリコンウェハ
300mmポリッシュドウェハエピタキシャルウェハ
フォトレジスト材料
ArF用PHS樹脂EUV用材料
封止材
半導体エポキシ封止材
  • •シリコンウェハ(300mm)で世界シェア約30%
  • •ArF/EUV向けフォトレジスト材料で業界首位級
会社詳細
SUMCO日本

シリコンウェハ専業の世界第2位メーカー。三菱マテリアル・住友金属鉱山のウェハ事業を統合し、300mmウェハを中心に世界の主要Fabに供給。

シリコンウェハ
300mmポリッシュドウェハエピタキシャルウェハSOIウェハ
  • •シリコンウェハ世界シェア約25%(第2位)
  • •300mmエピウェハ・SOIウェハの先端品対応
会社詳細
住友電気工業(SiC・化合物半導体)日本

電線・光ファイバを主事業に持つ住友電工の化合物半導体部門。SiCウェハ・GaAs・InP基板などパワーデバイス・光通信向けウェハを供給。

SiCウェハ
SiCエピウェハSiCバルクウェハ
化合物半導体基板
GaAs基板InP基板
  • •SiCウェハで国内有数のサプライヤー
  • •GaAs・InP化合物半導体基板の長年の製造実績
会社詳細
Air Products米国

産業ガス・特殊ガスの世界大手。半導体向けにはWF₆・NF₃・GeH₄・特殊エッチングガスなど、成膜・エッチング・クリーニングの全工程を支える。

エッチングガス
NF₃F₂HF
成膜ガス
WF₆GeH₄NH₃
クリーニングガス
C₂F₆CF₄
  • •半導体向け特殊ガスのグローバルトップサプライヤー
  • •Fabオンサイト供給システムによる安定ガス供給
会社詳細
Entegris米国

半導体材料インテグリティ管理の専業企業。ウェハキャリア(FOUP)・CMPスラリー・超純水フィルタ・ガス精製器など汚染制御製品でNo.1クラスのシェア。

CMPスラリー・パッド
Optima CMPスラリー研磨パッド
フィルタ・精製装置
超純水フィルタガス精製器
ウェハ搬送材料
FOUPウェハシッパー
  • •半導体用CMPスラリー・研磨材料のグローバルトップ(CMC Materials統合後)
  • •超純水・薬液フィルタで世界最高水準の汚染管理
会社詳細
フェローテックホールディングス日本

熱電モジュール・シリコン部品・石英ガラス部品など半導体製造装置向けコンポーネントの日本大手。中国での半導体部材生産にも積極投資。

熱電モジュール
ペルチェモジュールTEC
シリコン部品
シリコンリングシリコンフォーカスリング
真空シール
磁性流体シール
  • •サーモエレクトリックモジュールで世界シェア首位級
  • •石英・セラミック・シリコン部品の一貫製造
会社詳細
Merck KGaA(半導体材料)ドイツ

ドイツの特殊化学・製薬大手Merck KGaAの半導体材料部門。ALD前駆体・高誘電材料・フォトマスクブランクス・液晶など先端材料を供給。

ALD前駆体
High-k誘電体材料メタルゲート前駆体
フォトマスク材料
マスクブランクス
特殊ガス
プロセスガスエッチングガス
  • •ALD/CVD前駆体(High-k・メタルゲート材料)のグローバルリーダー
  • •フォトマスクブランクスの主要サプライヤー
会社詳細
DuPont(半導体材料)米国

化学大手DuPontの電子材料部門。Low-k絶縁材・銅配線CMP材料・ArFフォトレジスト・半導体実装向け接着剤など先端材料を幅広く展開。

絶縁材料
Low-k誘電体フィルムポリイミド
フォトレジスト
ArFレジスト
実装材料
ダイアタッチフィルム封止材
  • •Low-k誘電体(Black Diamond)でインターコネクト材料のパイオニア
  • •銅CMPスラリー・パッドの主要サプライヤー
会社詳細
レゾナック(旧昭和電工)日本

2023年に昭和電工と日立化成が統合して発足した半導体材料の総合メーカー。CMPスラリー・半導体封止材・エピタキシャルウェーハ・SiCエピウェーハを主力とする。

研磨材料
CMPスラリー(酸化膜・メタル)CMP研磨パッド
半導体基板
SiCエピウェーハSiエピウェーハ
封止材
半導体封止コンパウンド(EMC)
  • •CMPスラリー(High-Purity Colloidal Silica)で世界上位シェア
  • •SiCエピタキシャルウェーハで国内最大手。パワー半導体市場の拡大を追い風に
会社詳細
コベルコ科研日本

神戸製鋼グループの分析・評価受託会社。半導体材料や薄膜の材料分析、故障解析、シミュレーション受託を行うほか、スパッタリングターゲット材の開発・供給も手掛ける。

分析・評価受託
材料分析故障解析シミュレーション受託
材料
スパッタリングターゲット
  • •材料分析と故障解析の受託体制
  • •スパッタリングターゲット材の供給
会社詳細

同じ分野の装置カテゴリ

ALD/CVD前駆体材料

ALD/CVD前駆体材料(プリカーサー)は、原子層堆積(ALD)および化学気相成長(CVD)プロセスにおいて薄膜を形成するための出発原料です。

メーカー 3 社
アセンブリ用材料

アセンブリ用材料は、後工程の組立で使うダイアタッチ材・はんだ・フラックス・アンダーフィル材・リードフレーム材といった材料群の総称です。

メーカー 4 社
ボンディング材料

ボンディング材料は、後工程の組立工程においてチップ(ダイ)と基板・リードフレーム、またはチップ間の接合に使用される材料群の総称です。

メーカー 6 社
ボンディングワイヤ

ボンディングワイヤは、チップのパッドとリードフレーム・基板の端子を電気的に接続する極細の金属線です。

メーカー 3 社
バルクガス(N2/O2/Ar)

バルクガスは、窒素・酸素・アルゴン・水素・ヘリウムといった、ファブが大量に消費する汎用ガスの総称です。

メーカー 5 社
CMPスラリー

CMPスラリーは、化学機械研磨(CMP)工程で使用される研磨砥粒と化学反応剤を含むコロイド状の研磨液です。

メーカー 5 社
ダイシングテープ・BGテープ

ダイシングテープ・BGテープは、ウェハを保持するための粘着テープです。

メーカー 3 社
EUVレジスト

EUVレジストは、波長13.5nmの極端紫外線(EUV)を用いた露光工程専用の感光性材料です。

メーカー 5 社
High-k絶縁膜

High-k絶縁膜(高誘電率絶縁膜)は、従来のSiO₂に代わるMOSFETゲート絶縁膜材料です。

メーカー 4 社
リードフレーム

リードフレームは、チップを載せるダイパッドと外部端子となるリードを一体に形成した金属の枠で、QFP・SOP・QFNなどのパッケージの骨格になります。

メーカー 3 社
Low-k絶縁膜

Low-k絶縁膜(低誘電率絶縁膜)は、配線層間の信号伝播遅延と消費電力を削減するために使用される配線間絶縁材料です。

メーカー 4 社
フォトマスクブランクス

フォトマスクブランクスは、フォトマスク(レチクル)製造の基材となる精密ガラス基板です。

メーカー 2 社
封止材・コーティング材

封止材・コーティング材は、チップとワイヤを樹脂で覆い、機械的衝撃・水分・イオン性汚染から保護する材料です。

メーカー 4 社
パッケージ基板(FC-BGA・ABF基板)

パッケージ基板は、半導体チップとプリント基板の間に入り、チップの微細な端子ピッチをマザーボード側の粗いピッチへ広げる中継配線板です。

メーカー 6 社
ペリクル

ペリクルは、フォトマスクのパターン面から数mm浮かせて張る薄い透明膜で、異物がパターン面へ直接付着するのを防ぐ防塵カバーです。

メーカー 4 社
フォトマスク

フォトマスクは、回路パターンを描いた露光用の原版で、露光装置はこのパターンを縮小してウェハ上のレジストに転写します。

メーカー 6 社
フォトレジスト

フォトレジストは、露光工程でマスクの回路パターンをウェハ上に転写するために使用される感光性高分子材料です。

メーカー 6 社
プロセス薬液

プロセス薬液は、レジストの現像、不要膜の剥離、表面の洗浄といった湿式工程で使われる液体材料のカテゴリです。

メーカー 8 社
はんだ材料(はんだボール・ペースト)

はんだ材料は、チップ・パッケージ・基板を電気的かつ機械的に接合するための低融点合金で、半導体ではBGA用のはんだボール、フリップチップ用のマイクロバンプ、実装用のはんだペーストとして使われます。

メーカー 5 社
特殊ガス・プロセスガス

特殊ガスは、半導体製造の成膜・エッチング・洗浄・ドーピングなどの各工程で使用される高純度ガスの総称です。

メーカー 6 社
スパッタリングターゲット

スパッタリングターゲットは、スパッタ成膜でイオン衝撃を受けて原子を放出する材料側の板材です。

メーカー 6 社
ウェハ基板材料

ウェハ基板材料は、デバイスが作り込まれる土台そのもののカテゴリです。

メーカー 8 社

関連用語

比較・違いを学ぶ

ALDとCVDの違い(原子層成膜 vs 化学気相成膜)
CVD(Chemical Vapor Deposition)は反応ガスを同時供給して連続的に成膜するのに対し、ALD(Atomic Layer Depositi…
→
← 半導体装置カテゴリ一覧に戻る