デバイス別半導体製造（Device-Specific Semiconductor Manufacturing）とは、CPUやGPUなどのロジック、DRAM・NAND Flashなどのメモリ、SiCやGaNなどのパワー半導体、CMOSイメージセンサー（CIS）、RF（高周波）デバイスなど、デバイスの種類・用途ごとに最適化された専用の製造プロセスおよびファブ運用の総称です。
ロジックデバイス（CPU・GPU・SoC）製造では、最先端のFinFET・GAAトランジスタ構造とEUVリソグラフィを中心に、超多層配線（15層以上のCu/Low-k）・先進パッケージング（CoWoS・SoIC）が特徴です。TSMCが世界の最先端ロジック製造の約60%を担うファウンドリとして圧倒的地位を持ちます。
メモリデバイス（DRAM・NAND Flash）製造は、セルの高密度化・低コスト化を最重要目標とし、3D積層（NAND：200層超）・High-kキャパシタ・EUV採用などが進んでいます。Samsung・SK Hynix・Micronの3社がDRAMとNAND市場のほぼすべてを支配しており、各社は独自のプロセスアーキテクチャで微細化・積層数競争を繰り広げています。
パワーデバイス（SiC MOSFET・GaN HEMT）製造は、シリコンICとは異なる専用プロセス（高温イオン注入・高温活性化アニール・SiCエピタキシー・MOCVD）が必要です。EV・産業用インバーター向けの急成長に対応するため、Wolfspeed・STMicroelectronics・Infineonが専用SiCファブへの大規模投資を進めています。
CMOSイメージセンサー（CIS）はSonyが世界シェア約40〜50%を持つ分野で、裏面照射型（BSI）・積層型（LS-CIS：ロジックダイとセンサーダイのハイブリッドボンディング積層）など独自の製造プロセスが発展しています。スマートフォン・自動車（ADAS）・医療向けCIS需要は長期的に成長が続いており、デバイス特有の製造最適化が競争力を決定しています。
