デバイス別製造メーカー6社Device-Specific Equipment
デバイス別製造装置は、化合物半導体（GaN・SiC・GaAs）、MEMS、パワー半導体など、シリコンロジック・メモリとは異なる材料特性や構造を持つ専用デバイス向けに最適化された製造装置群です。各デバイスカテゴリは独自のエピタキシャル成長、厚膜エッチング、犠牲層加工、ウェーハボンディングなどの特殊プロセスを必要とし、汎用Siプロセスとは装置構成が大きく異なります。5G通信、電気自動車（EV）、再生可能エネルギー、IoTセンサー、LEDなど、社会の電動化・無線化を支える先端アプリケーションの根幹を担う分野で、前工程・後工程の汎用装置カテゴリを補完する位置づけです。
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化合物半導体製造装置は、GaAs・InP・GaN・SiCなどの化合物半導体デバイス（パワー半導体・RF/マイクロ波デバイス・光デバイス）の製造に特化した装置群です。
メーカー 9 社CMOSイメージセンサー製造装置CMOSイメージセンサー（CIS：CMOS Image Sensor）製造装置は、光を電気信号に変換するフォトダイオードアレイを半導体プロセスで製造する装置群です。
メーカー 5 社MEMSMEMS（Micro Electro Mechanical Systems）製造装置は、マイクロメートルスケールの機械構造と電子回路を同一基板上に作製する微小機械デバイス製造に特化した装置群です。
メーカー 9 社パワー半導体パワー半導体製造装置は、IGBT・MOSFET・SBD・GaN HEMT・SiC MOSFETなどのパワーデバイスを製造する装置群で、電力変換の効率・耐圧・耐熱性能を決定します。
メーカー 13 社RF半導体製造装置（GaN/GaAs）RF半導体製造装置は、GaN（窒化ガリウム）・GaAs（砒化ガリウム）・InP（リン化インジウム）などの化合物半導体を基板とし、高周波帯（マイクロ波・ミリ波）で動作するパワーアンプ・スイッチ・LNAなどを製造する装置群です。
メーカー 3 社SiCパワー半導体製造装置SiCパワー半導体製造装置は、シリコンカーバイド（SiC）を基板材料とするパワーデバイス（SiC-MOSFET・SiC-SBDなど）の製造に特化した装置群です。
メーカー 6 社重要ポイント
メーカー
6社の主要メーカー
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
- •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
- •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
- •先端プロセスに対応する幅広い技術ポートフォリオ
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
- •先端ノード向けの革新的技術開発
エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング（ALE）技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。
- •エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
- •原子層エッチング（ALE）技術における技術リーダーシップ
- •GAA、3D NAND、DRAMなど先端3Dアーキテクチャのサポート
MOCVD・MBE・ALDなど薄膜エピタキシャル成長装置の専業メーカー。LED、化合物半導体、先端ロジック向けの精密成膜技術を提供。
- •MOCVD装置でグローバルトップシェア
- •MBE・ALDを含む多様な薄膜成長技術ポートフォリオ
- •化合物半導体・LEDプロセスへの深い専門性
ドイツを拠点とする半導体製造装置メーカー。ウェーハレベルパッケージングおよび先端リソグラフィ技術のスペシャリスト。
- •ウェーハレベルパッケージング装置における専門性
- •マスクアライナーおよび基板ボンディング技術
- •MEMS・先端パッケージング向けソリューション
オーストリアを拠点とするウェーハボンディングおよびリソグラフィ装置の世界的リーダー。先端パッケージングおよびMEMS製造に強み。
- •ウェーハボンディング技術における世界トップシェア
- •2.5D/3Dパッケージング向けソリューション
- •MEMS・パワーデバイス向け専用装置