SEMICONDUCTOR EQUIPMENT

デバイス別製造メーカー6Device-Specific Equipment

デバイス別製造装置は、化合物半導体(GaN・SiC・GaAs)、MEMS、パワー半導体など、シリコンロジック・メモリとは異なる材料特性や構造を持つ専用デバイス向けに最適化された製造装置群です。各デバイスカテゴリは独自のエピタキシャル成長、厚膜エッチング、犠牲層加工、ウェーハボンディングなどの特殊プロセスを必要とし、汎用Siプロセスとは装置構成が大きく異なります。5G通信、電気自動車(EV)、再生可能エネルギー、IoTセンサー、LEDなど、社会の電動化・無線化を支える先端アプリケーションの根幹を担う分野で、前工程・後工程の汎用装置カテゴリを補完する位置づけです。

メーカー 6サブカテゴリ 6

重要ポイント

化合物半導体(GaN・SiC・GaAs)、MEMS、パワー半導体など専用デバイス向け装置群
エピタキシャル成長・厚膜エッチング・ウェーハボンディング等の特殊プロセスが必要
5G通信・EV・再エネ・IoT・LEDなど先端用途の根幹を支える
汎用Siプロセスとは装置構成が異なり、専用サプライヤーが強みを持つ

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メーカー

6社の主要メーカー

東京エレクトロン(TEL)日本

世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。

  • コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
  • 塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
  • 先端プロセスに対応する幅広い技術ポートフォリオ
Applied Materials米国

世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。

  • 世界最大の半導体製造装置サプライヤー
  • 成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
  • 先端ノード向けの革新的技術開発
Lam Research米国

エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング(ALE)技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。

  • エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
  • 原子層エッチング(ALE)技術における技術リーダーシップ
  • GAA、3D NAND、DRAMなど先端3Dアーキテクチャのサポート
Veeco Instruments米国

MOCVD・MBE・ALDなど薄膜エピタキシャル成長装置の専業メーカー。LED、化合物半導体、先端ロジック向けの精密成膜技術を提供。

  • MOCVD装置でグローバルトップシェア
  • MBE・ALDを含む多様な薄膜成長技術ポートフォリオ
  • 化合物半導体・LEDプロセスへの深い専門性
Suss MicroTecドイツ

ドイツを拠点とする半導体製造装置メーカー。ウェーハレベルパッケージングおよび先端リソグラフィ技術のスペシャリスト。

  • ウェーハレベルパッケージング装置における専門性
  • マスクアライナーおよび基板ボンディング技術
  • MEMS・先端パッケージング向けソリューション
EV Groupオーストリア

オーストリアを拠点とするウェーハボンディングおよびリソグラフィ装置の世界的リーダー。先端パッケージングおよびMEMS製造に強み。

  • ウェーハボンディング技術における世界トップシェア
  • 2.5D/3Dパッケージング向けソリューション
  • MEMS・パワーデバイス向け専用装置

関連カテゴリ

関連用語

化合物半導体とは →MEMSとは →パワー半導体とは →