CoWoS와 InFO의 차이
CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)와 InFO(Integrated Fan-Out)는 모두 TSMC의 첨단 패키징 기술입니다. CoWoS는 대역폭과 칩 간 연결 밀도를, InFO는 얇은 두께와 비용을 우선합니다. AI 가속기 수요가 급증하면서 CoWoS 생산능력은 AI 반도체 공급의 병목으로 꼽혀 왔습니다.
결론
CoWoS와 InFO의 가장 큰 차이는 인터포저입니다. CoWoS는 실리콘 인터포저(또는 이를 대신하는 인터포저) 위에 GPU와 여러 개의 HBM을 나란히 올려 고밀도로 연결하는 2.5D 패키징으로, 엔비디아의 AI 가속기에 쓰입니다. InFO는 인터포저 없이 칩을 몰드에 묻고 재배선층(RDL)만으로 연결하는 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키지로, 얇고 저렴해 애플 아이폰용 AP 등에 쓰입니다.
비교표
| 항목 | CoWoS | InFO |
|---|---|---|
| 구조 | 2.5D: 인터포저 위에 칩을 나란히 배치하고 패키지 기판에 실장 | 팬아웃 WLP: 몰드에 묻은 칩 위에 RDL 형성 |
| 인터포저 | CoWoS-S는 실리콘, CoWoS-R은 RDL, CoWoS-L은 유기 인터포저에 국소 실리콘 브리지(LSI) 내장 | 없음 |
| 칩 연결 | 마이크로범프로 인터포저와 연결 | RDL 배선으로 직접 연결 |
| HBM 탑재 | GPU와 여러 개의 HBM을 한 패키지에 | 기본적으로 HBM 탑재용이 아님 |
| 대표 제품 | 엔비디아 H100·H200·블랙웰, AMD MI300 시리즈 | 애플 아이폰용 A 시리즈 AP 등 |
| 비용 | 높음 | CoWoS보다 낮음 |
AI 가속기가 CoWoS를 쓰는 이유
AI 가속기는 GPU 다이 주변에 여러 개의 HBM 스택을 붙여 수 TB/s의 메모리 대역폭을 냅니다. HBM 한 스택은 1024비트의 넓은 버스를 쓰기 때문에, 일반 패키지 기판으로는 이만큼의 배선을 촘촘하게 깔 수 없습니다. 미세 배선을 그릴 수 있는 인터포저 위에 GPU와 HBM을 나란히 올리는 CoWoS가 이 연결을 가능하게 합니다.
CoWoS-S·R·L의 차이
CoWoS-S는 전통적인 실리콘 인터포저를 씁니다. 칩이 커지면 인터포저도 노광 한 번에 찍을 수 있는 크기를 넘게 되어 비용과 수율이 문제가 됩니다. CoWoS-R은 인터포저를 RDL로 바꿔 비용을 낮춘 형태이고, CoWoS-L은 유기 인터포저 안에 필요한 곳에만 작은 실리콘 브리지(LSI)를 넣어 큰 패키지를 만드는 형태입니다. 엔비디아 블랙웰처럼 칩 두 개를 이어 붙이는 대형 제품에 CoWoS-L이 쓰입니다.
InFO가 얇고 저렴한 패키지에 맞는 이유
InFO는 인터포저를 생략해 재료비와 공정을 줄입니다. 스마트폰 AP처럼 하나의 다이에 기능을 모은 칩은 여러 다이를 나란히 놓을 필요가 적고, 얇은 RDL로 많은 단자를 끌어내는 편이 유리합니다. InFO-PoP에서는 DRAM을 위에 겹쳐 올려 스마트폰용 초박형 실장을 구현합니다.
자주 묻는 질문
CoWoS와 비슷한 다른 회사 기술이 있나요?
삼성전자의 I-Cube가 실리콘 인터포저를 쓰는 2.5D 패키징이고, 인텔의 EMIB는 기판 속에 작은 실리콘 브리지를 묻어 칩을 잇는 방식입니다. ASE·앰코 같은 후공정 전문 기업(OSAT)도 2.5D·팬아웃 기술을 제공합니다.
2.5D와 3D 패키징은 무엇이 다른가요?
2.5D(CoWoS 등)는 여러 다이를 인터포저 위에 옆으로 나란히 놓습니다. 3D(SoIC 등)는 다이를 위아래로 쌓고 TSV나 하이브리드 본딩으로 연결합니다. 3D는 연결 밀도가 가장 높지만 발열 설계가 어렵습니다.
CoWoS에 쓰이는 일본 소재·장비가 있나요?
패키지 기판의 절연막인 아지노모토의 ABF, 패키지 기판을 만드는 이비덴·신코전기공업, 다이싱·연삭 장비의 디스코 등이 AI 가속기 패키지 공급망에서 중요한 일본 기업입니다.
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출처
최종 업데이트: 2026년 10월 27일