Verdict結論
CoWoS與InFO最大的差異在於「有無矽中介層」。CoWoS是透過矽中介層將多顆晶片與HBM高密度連接的2.5D結構，用於NVIDIA H100等AI GPU。InFO則是不使用中介層、僅以RDL（重布線層）構成的薄型、低成本扇出型WLP，用於Apple A/M系列等行動SoC。
主要差異
| 比較項目 | CoWoS | InFO |
|---|---|---|
| 結構類型 | 2.5D：在矽中介層上並排晶片，再搭載於IC載板 | 扇出型WLP：僅有RDL（重布線層），無矽中介層 |
| 中介層 | 使用矽（CoWoS-S）或玻璃（CoWoS-L）中介層 | 無中介層。將嵌入的晶片封膠後，在上下形成RDL |
| 連接間距 | 以微凸塊（40～55μm間距）與中介層連接 | 以RDL導線（2～10μm線寬）直接連接 |
| 搭載HBM | 可將HBM2E／HBM3／HBM3E與GPU安裝於同一中介層上 | 基本上不適合搭載HBM（以2D／薄型用途為主） |
| 代表產品 | NVIDIA H100、H200、B100/B200，AMD MI300X | Apple A16/A17/M3、M4系列，部分通訊晶片 |
| 封裝成本 | 相對較高（中介層製造成本＋良率） | 低於CoWoS。可進行晶圓級批次處理 |
| 主要優點 | 超高頻寬（支援HBM）、小晶片設計自由度、I/O密度皆為最高水準 | 薄型、輕量、低成本，扇出結構可增加I/O腳數 |
CoWoS為何被主要AI GPU選用
以NVIDIA H100為首的AI訓練用GPU，在GPU晶粒周圍搭載多組HBM（高頻寬記憶體）堆疊，實現超過1TB/s的頻寬。使這種HBM＋GPU同平面配置成為可能的，正是CoWoS的矽中介層結構。中介層上10,000個以上的微凸塊負責超高密度I/O，並以與HBM之間的超短距離導線將頻寬最大化。在AI需求急增的背景下，CoWoS產能已成為台積電最重要的課題之一。
InFO為何適合薄型、低成本封裝
InFO省略矽中介層，藉此削減材料成本與製造步驟。Apple SoC將CPU/GPU/Neural Engine整合在1顆晶粒上，因此比起CoWoS那種多晶粒並排的方式，薄型且高I/O數的RDL更為適合。InFO-PoP（Package-on-Package）則將DRAM疊在上方，實現智慧型手機用的超薄型封裝。
CoWoS-S／CoWoS-L／CoWoS-R的差異
CoWoS有多種變體。CoWoS-S（Silicon）是傳統的矽中介層；CoWoS-L（Local Si Interconnect）結合玻璃或有機基板，適用於大型小晶片架構；CoWoS-R（RDL）則以薄RDL取代中介層，屬於重視成本的類型。隨著轉向High-NA EUV與2nm節點，各變體的適用範圍正在擴大。
常見問題
CoWoS是什麼？（CoWoS是什麼）
CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）是台積電的2.5D先進封裝技術。在矽中介層上將多顆晶片（晶粒）與HBM橫向並排搭載，以微凸塊進行超高密度連接。被NVIDIA H100/H200等主要AI GPU的製造所採用，實現與AI訓練不可或缺的HBM之間的超寬頻連接。
InFO是什麼？（InFO是什麼）
InFO（Integrated Fan-Out）是台積電的扇出型晶圓級封裝技術。不使用矽中介層，而是將晶片嵌入封膠材料中，再以RDL（重布線層）連接。薄型、輕量，被Apple A/M系列採用。與CoWoS相比較難搭載HBM，但在成本與薄型化上具優勢。
CoWoS為什麼被搭載HBM的GPU選用？
CoWoS的矽中介層能將GPU晶粒與HBM堆疊就近配置於同一基板上。中介層上的微凸塊以超短距離、超高密度連接GPU與HBM，實現超過1TB/s的頻寬。要在同一封裝中搭載4～8組HBM堆疊，這種結構最為合適。
CoWoS與InFO的成本差距有多大？
確切數字並未公開，但由於CoWoS需要矽中介層的製造成本與良率管理，一般認為成本遠高於InFO。據稱NVIDIA H100封裝成本中相當大的部分來自CoWoS。InFO透過晶圓級處理較容易發揮規模效益，量產成本往往低於CoWoS。
除了台積電的CoWoS，還有類似技術嗎？
有。英特爾（Intel）的EMiB是使用有機中介層以壓低成本的2.5D技術，三星（Samsung）的I-Cube（I-Cube4/8）是相當於台積電CoWoS的矽中介層技術，日月光（ASE）、艾克爾（Amkor）等晶圓代工與OSAT業者也推出客製化的2.5D/fanout技術。隨著AI小晶片市場擴大，各公司的技術競爭正在加速。
2.5D與3D封裝有何不同？
2.5D（CoWoS等）是將多顆晶粒並排配置在中介層上。3D（SoIC或Cube等）則是將多顆晶粒沿垂直方向堆疊，以TSV或混合鍵合連接。3D的頻寬密度最高但散熱設計困難，2.5D則在各方面較為均衡，是目前的最主流。詳情請參閱比較文章。