CD-SEMメーカー4社
CD-SEMは、線幅（CD）など微細寸法を高精度に計測するための電子顕微鏡計測装置です。プロセス条件の最適化や工程管理に用いられます。
主要特徴
よくある質問
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スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 日立ハイテクGT2000（高精度電子線計測システム） | 日立ハイテクCG7300（高分解能FEB測長装置） | 日立ハイテクCV7300（高加速 CD-SEM） | 日立ハイテクCS5000（高分解能 FEB 測長装置） | Applied MaterialsVeritySEM® 20 CD Metrology | Applied MaterialsPROVision™ 10 eBeam Metrology | Applied MaterialsPROVision™ 4E eBeam Metrology | Applied MaterialsVeritySEM® 6C CD Metrology | Applied MaterialsVeritySEM® 6D CD Metrology | Applied MaterialsVeritySEM™ AP CD Metrology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | — | — | 高加速 CD-SEM（加速電圧 60kV） | — | — | 電子ビーム計測（層透過イメージング） | 設計ベースの電子ビーム計測（輪郭解析） | CD-SEM | CD-SEM | 電子ビーム計測（CD-SEM） |
| 特徴 | 超低加速電圧 100V・3D 構造向け反射電子検出系 | 装置間マッチング約 10% 向上・高速スキャンの帯電制御 | — | — | 多方向スキャン、スループット 20〜50% 向上、2D 構造のマッチング最大 25% 改善 | — | ダイ内・ダイ間のばらつきを大量サンプリング | — | — | 反り・厚み・材料の異なる基板に対応 |
| 主要用途 | 先端ロジック・メモリの寸法計測 | 量産ラインの CD・CDU 計測 | 3D NAND の深穴・深溝計測、DRAM・ロジックの重ね合わせ計測 | — | EUV スキャナーの校正・先端デバイスの寸法計測 | — | — | — | 光インターコネクト・AR/VR・MEMS・CIS・FOWLP | — |
| 対象 | — | — | — | — | — | 2nm ロジック・GAA・次世代 DRAM・HBM・裏面電源 | 成熟ノード〜先端ロジック・メモリ、ICAPS | SiC・GaN・GaAs・GaN-on-SiC など化合物半導体 | ガラスなどの誘電体ウェーハ | 2.5D／3D パッケージ・TSV・ハイブリッド接合 |
| 測定方式 | CD-SEM | CD-SEM | — | — | CD-SEM（サブナノメートル分解能） | — | — | — | — | — |
| 対象世代 | High-NA EUV 世代 | EUV 量産世代 | — | — | EUV・High-NA EUV、GAA・DRAM・3D NAND | — | — | — | — | — |
1機種だけが掲載している項目（6件）
| スループット | — | — | 従来比 20% 向上 | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 二次電子像シャープネス | — | — | — | 3.8nm 以下（加速電圧 800V） | — | — | — | — | — | — |
| 対応ウェハ径 | — | — | — | 75（条件付き）・100・150・200 mm | — | — | — | — | — | — |
| 装置寸法 | — | — | — | 1,180 × 2,520 × 1,990 mm | — | — | — | — | — | — |
| 分解能 | — | — | — | — | — | サブナノメートル | — | — | — | — |
| パターン寸法 | — | — | — | — | — | — | — | 0.1µm〜100µm 超 | — | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 測定方式 | CD-SEM |
| 対象世代 | High-NA EUV 世代 |
| 特徴 | 超低加速電圧 100V・3D 構造向け反射電子検出系 |
| 主要用途 | 先端ロジック・メモリの寸法計測 |
| 測定方式 | CD-SEM |
| 対象世代 | EUV 量産世代 |
| 特徴 | 装置間マッチング約 10% 向上・高速スキャンの帯電制御 |
| 主要用途 | 量産ラインの CD・CDU 計測 |
| 方式 | 高加速 CD-SEM（加速電圧 60kV） |
| スループット | 従来比 20% 向上 |
| 主要用途 | 3D NAND の深穴・深溝計測、DRAM・ロジックの重ね合わせ計測 |
| 二次電子像シャープネス | 3.8nm 以下（加速電圧 800V） |
| 対応ウェハ径 | 75（条件付き）・100・150・200 mm |
| 装置寸法 | 1,180 × 2,520 × 1,990 mm |
VeritySEM® 20 CD Metrology
先端ロジック・メモリ向けの Applied Materials の CD-SEM。低ランディングエネルギーで EUV・High-NA EUV の薄いレジストを傷めずに計測する。
| 測定方式 | CD-SEM（サブナノメートル分解能） |
| 対象世代 | EUV・High-NA EUV、GAA・DRAM・3D NAND |
| 特徴 | 多方向スキャン、スループット 20〜50% 向上、2D 構造のマッチング最大 25% 改善 |
| 主要用途 | EUV スキャナーの校正・先端デバイスの寸法計測 |
PROVision™ 10 eBeam Metrology
サブナノメートルの分解能と層を透かして見るイメージングを持つ電子ビーム計測装置。2nm ロジックや HBM の計測に使う。
| 方式 | 電子ビーム計測（層透過イメージング） |
| 分解能 | サブナノメートル |
| 対象 | 2nm ロジック・GAA・次世代 DRAM・HBM・裏面電源 |
| 方式 | 設計ベースの電子ビーム計測（輪郭解析） |
| 特徴 | ダイ内・ダイ間のばらつきを大量サンプリング |
| 対象 | 成熟ノード〜先端ロジック・メモリ、ICAPS |
VeritySEM® 6C CD Metrology
SiC・GaN・GaAs などの化合物半導体向けの CD-SEM。多様な径・厚さ・不透明度・導電性のウェーハを扱う。
| 方式 | CD-SEM |
| 対象 | SiC・GaN・GaAs・GaN-on-SiC など化合物半導体 |
| パターン寸法 | 0.1µm〜100µm 超 |
| 方式 | CD-SEM |
| 対象 | ガラスなどの誘電体ウェーハ |
| 主要用途 | 光インターコネクト・AR/VR・MEMS・CIS・FOWLP |
| 方式 | 電子ビーム計測（CD-SEM） |
| 対象 | 2.5D／3D パッケージ・TSV・ハイブリッド接合 |
| 特徴 | 反り・厚み・材料の異なる基板に対応 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
4社の主要メーカー
半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。
- •検査・計測装置における世界的リーダー
- •AI・データ分析を統合した先端プロセスコントロール
世界をリードする計測・検査技術のパイオニア。電子顕微鏡技術を核とした「見る・測る・分析する」の総合力で、2nm/3nm世代の先端半導体製造をサポート。
- •CD-SEM（測長SEM）で世界シェア約80%を占める圧倒的なポジション
- •2nm/3nm世代の先端プロセスに不可欠な計測技術を提供
電子ビーム応用装置のメーカー。フォトマスクの欠陥レビューSEMやマスク欠陥修正装置、測長SEMなどを供給し、マスク製造の品質保証工程を支える。
- •電子ビーム光学系の自社設計
- •マスク欠陥のレビューと修正を担う装置群
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
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