オーバーレイ計測装置メーカー5社
オーバーレイ計測装置は、多層パターンの位置合わせ精度を測定する計測装置です。露光装置の精度管理に不可欠です。
主要特徴
よくある質問
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スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | KLAArcher™ 750 | KLAATL100™ | KLAArcher™ Power | ASMLYieldStar 1390 | ASMLYieldStar 1385 | ASMLYieldStar 500 | Onto InnovationIVS 380 | Onto InnovationIVS 280 | ニコン（Nikon）Litho Booster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | — | スキャトロメトリ重ね合わせ計測（波長可変レーザー・分解能 1nm） | イメージング重ね合わせ・CD 計測 | 光学計測（エッチング後） | 光学計測（エッチング後） | 回折ベースの光学計測（エッチング前） | 光学式の重ね合わせ・CD・Z 高さ計測 | — | — |
| 特徴 | 波長可変光源 | リアルタイム Homing・ダイ内／小ピッチターゲット対応 | — | 高強度光源・機械学習アルゴリズム | 複数層の同時計測・高いサンプリング密度 | TWINSCAN ステージ技術・新センサー | — | — | — |
| 対応基板 | — | — | Si・SiC・GaN・GaAs・ガラス・サファイアなど | — | — | — | 200mm（SMIF）・300mm（FOUP）、Si・ガラス・CCL | Si・SiC・石英・ガラス・GaAs・GaN・LiNbO₃ | — |
| 対応ウェハ径 | — | — | 150／200／300 mm・ブリッジ構成 | — | — | — | — | 100〜200 mm | — |
| 測定項目 | — | — | — | デバイス上の重ね合わせ・傾き・CD | — | 重ね合わせ・フォーカス | — | — | — |
1機種だけが掲載している項目（10件）
| 測定方式 | イメージングベース・オーバーレイ計測 | — | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 対象世代 | 7nm 以下ロジック・先端メモリ | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 関連機種 | Archer 800（後継）・ATL100（散乱計測方式） | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 対象ノード | — | 7nm 以下 | — | — | — | — | — | — | — |
| 測定対象 | — | — | — | — | デバイス上の特徴・専用の小型ターゲット | — | — | — | — |
| 主要用途 | — | — | — | — | — | — | RDL 配線・ポスト・バンプの計測 | — | — |
| 信頼性 | — | — | — | — | — | — | — | MTBF 2,000 時間超 | — |
| 計測 | — | — | — | — | — | — | — | — | 露光前の全ウェハ・全ショットのグリッド歪み |
| 補正 | — | — | — | — | — | — | — | — | 露光装置へのフィードフォワード |
| 組み合わせ | — | — | — | — | — | — | — | — | 液浸スキャナー・ドライスキャナー |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 測定方式 | イメージングベース・オーバーレイ計測 |
| 対象世代 | 7nm 以下ロジック・先端メモリ |
| 特徴 | 波長可変光源 |
| 関連機種 | Archer 800（後継）・ATL100（散乱計測方式） |
| 方式 | スキャトロメトリ重ね合わせ計測（波長可変レーザー・分解能 1nm） |
| 対象ノード | 7nm 以下 |
| 特徴 | リアルタイム Homing・ダイ内／小ピッチターゲット対応 |
| 方式 | イメージング重ね合わせ・CD 計測 |
| 対応ウェハ径 | 150／200／300 mm・ブリッジ構成 |
| 対応基板 | Si・SiC・GaN・GaAs・ガラス・サファイアなど |
| 方式 | 光学計測（エッチング後） |
| 測定項目 | デバイス上の重ね合わせ・傾き・CD |
| 特徴 | 高強度光源・機械学習アルゴリズム |
| 方式 | 光学計測（エッチング後） |
| 測定対象 | デバイス上の特徴・専用の小型ターゲット |
| 特徴 | 複数層の同時計測・高いサンプリング密度 |
| 方式 | 回折ベースの光学計測（エッチング前） |
| 測定項目 | 重ね合わせ・フォーカス |
| 特徴 | TWINSCAN ステージ技術・新センサー |
| 方式 | 光学式の重ね合わせ・CD・Z 高さ計測 |
| 対応基板 | 200mm（SMIF）・300mm（FOUP）、Si・ガラス・CCL |
| 主要用途 | RDL 配線・ポスト・バンプの計測 |
| 対応ウェハ径 | 100〜200 mm |
| 対応基板 | Si・SiC・石英・ガラス・GaAs・GaN・LiNbO₃ |
| 信頼性 | MTBF 2,000 時間超 |
| 計測 | 露光前の全ウェハ・全ショットのグリッド歪み |
| 補正 | 露光装置へのフィードフォワード |
| 組み合わせ | 液浸スキャナー・ドライスキャナー |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
5社の主要メーカー
半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。
- •検査・計測装置における世界的リーダー
- •AI・データ分析を統合した先端プロセスコントロール
Rudolph Technologies と Nanometrics の統合で誕生した検査・計測メーカー。光学検査、膜厚計測、先端パッケージング計測に強み。
- •光学ウェハ検査・膜厚計測で世界有数のポジション
- •先端パッケージング（FO-WLP・HBM）向け計測ソリューション
科学計測機器・半導体計測装置の世界的メーカー。AFM（原子間力顕微鏡）・X線計測・電子顕微鏡を半導体製造の計測・品質管理に提供。
- •半導体向けAFM（原子間力顕微鏡）で世界最大手。ナノスケール形状計測に必須
- •X線回折（XRD）・X線反射率（XRR）による非破壊膜厚・結晶品質計測
EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー。極紫外光リソグラフィ技術でムーアの法則を延命させ、5nm以下の先端プロセスに不可欠。
- •EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー
- •High-NA EUVで8nmの解像度を実現
DUVスキャナーおよびi線ステッパーの主要メーカー。高解像度光学技術とウェーハステージ技術に強みを持ち、成熟プロセス向けや再生装置市場で存在感を発揮。
- •i線ステッパー・DUVスキャナーの長年の製造実績
- •光学系・精密ステージ技術における技術的優位
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