マスク検査は、フォトリソグラフィ工程で使用されるフォトマスク（レチクル）の欠陥を検出する検査工程です。フォトマスクは回路パターンの原版であり、マスク上の欠陥はウェハに転写されて多数のチップの不良原因となるため、極めて高い品質管理が要求されます。マスク検査は、マスク製造後の最終検査と、製造ライン使用中の定期検査の両方で実施されます。
マスク検査装置には、ダイ・ツー・データベース検査とダイ・ツー・ダイ検査の2つの主要な方式があります。ダイ・ツー・データベース検査は、設計データ（CADデータ）と実際のマスクパターンを比較して欠陥を検出します。この方式は、すべての欠陥を検出できる理論的に最も確実な方法ですが、検査時間が長くなります。ダイ・ツー・ダイ検査は、同一マスク上の複数の同一パターン（ダイ）を相互に比較して差異を検出する方法で、高速検査が可能です。
先端プロセスでは、マスクパターンの微細化とEUV技術の導入により、マスク検査の技術的難易度が増しています。特にEUVマスクは反射型であり、多層膜構造を持つため、従来の透過型マスクとは異なる検査技術が必要です。また、位相シフトマスクやOPC（光近接効果補正）が施されたマスクでは、単純なパターン比較では不十分で、実際のウェハ転写結果を予測する高度な検査アルゴリズムが求められています。
