フォトレジストは、半導体製造のフォトリソグラフィ工程で使用される感光性樹脂材料です。ウェハ表面に薄く塗布され、露光装置から照射される光（紫外線やEUV）に反応して化学変化を起こし、現像工程でパターンを形成します。このパターンは、その後のエッチングやイオン注入工程でマスクとして機能し、回路パターンの転写を可能にします。
フォトレジストは、露光後の溶解性変化により、ポジ型とネガ型の2種類に分類されます。ポジ型レジストは、露光部分が現像液に溶解しやすくなり、ネガ型レジストは露光部分が硬化します。現代の半導体製造では、高解像度と高感度を両立したポジ型レジストが主流です。使用する光源の波長に応じて、i線レジスト（365nm）、KrFレジスト（248nm）、ArFレジスト（193nm）、EUVレジスト（13.5nm）など、様々な種類が開発されています。
先端プロセスノードでは、EUV露光技術の導入が進んでおり、EUV用レジストの性能が製造品質を左右する重要な要素となっています。EUVレジストには、高感度、高解像度、低ラインエッジラフネス（LER）の三要素を同時に満たす必要があり、これらのトレードオフをいかにバランスするかが材料開発の最大の課題です。JSR、東京応化工業、信越化学工業などが主要なサプライヤーとして知られています。
