ウェハ検査は、半導体製造プロセスにおいて、ウェハ表面のパーティクル、パターン欠陥、結晶欠陥などを検出する検査工程です。製造プロセスの各段階で実施され、欠陥の早期発見と歩留まり向上に不可欠な役割を果たします。ウェハ検査は、光学式検査と電子線式検査の2つの主要な方式に分類されます。
光学式ウェハ検査装置は、レーザー光や白色光を用いてウェハ表面をスキャンし、散乱光や反射光の変化から欠陥を検出します。高速かつ広範囲の検査が可能で、製造ライン上でのインライン検査に適しています。ブライトフィールド検査とダークフィールド検査の2つのモードがあり、検出対象に応じて使い分けられます。一方、電子線式検査装置は、電子ビームを用いることでより微細な欠陥を検出できますが、検査速度は光学式より遅くなります。
先端半導体製造では、数ナノメートルレベルの微小欠陥も検出する必要があるため、検査装置の高感度化と高分解能化が継続的に求められています。また、パターンの複雑化に伴い、真の欠陥と誤検出（ニューサンス）を区別するための高度な画像処理技術や機械学習技術の導入も進んでいます。KLA、Applied Materials、日立ハイテクなどが主要なサプライヤーです。
