i線ステッパーメーカー5社
i線ステッパー（i-line Stepper）は、水銀ランプのi線（波長365nm）を光源とする露光装置で、0.18μm以上の成熟ノードの半導体製造に現在も広く使用されています。ArF・EUVと比べて装置コストと運用コストが格段に低く、アナログIC・パワー半導体・センサー・MEMS・産業用デバイスなどコスト重視の量産用途に強みを持ちます。NikonとCanonが主要メーカーで、日本の露光装置産業の原点でもあります。
主要特徴
よくある質問
i線ステッパーとは何ですか？▾
i線露光はいつまで使われますか？▾
i線ステッパーの主要メーカーはどこですか？▾
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | ニコン（Nikon）NSR-SF155 | ニコン（Nikon）NSR-2205iL1 | キヤノン（Canon）FPA-5550iZ2 | キヤノン（Canon）FPA-5550iX | キヤノン（Canon）FPA-3030i6 | キヤノン（Canon）FPA-3030i5a | キヤノン（Canon）FPA-3030iWa | ASMLTWINSCAN XT:400M | ASMLTWINSCAN XT:260 | Onto InnovationJetStep® X500 | Onto InnovationJetStep® S3500 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 解像度 | 280 nm 以下 | 350nm 以下（オプション適用時） | 350 nm 以下 | — | — | — | — | オプションで 220nm | — | — | L/S 2/2µm（オプションで 1/1µm） |
| 光源 | i 線（365 nm） | — | i 線（365 nm） | — | — | — | — | i 線（水銀ランプ） | i 線（水銀ランプ） | — | — |
| 解像力 | — | — | — | 0.5 µm | 0.35µm 以下 | — | 0.8µm 以下 | — | — | — | — |
| 開口数（NA） | 0.62 | — | 0.57 ～ 0.45（自動可変） | — | — | — | — | — | — | — | — |
| スループット | 200 枚／時 以上 | — | — | — | — | — | — | — | 毎時 270 枚（340 mJ/cm²） | — | — |
| 重ね合わせ精度 | 25 nm 以下 | — | SMO 18 nm 以下・MMO 25 nm 以下（オプション） | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 関連機種 | NSR-2205iL1（解像度 350 nm 以下） | — | FPA-5550iZ（前機種、スループット約 20% 向上） | — | — | — | — | — | — | — | — |
| ウエハーサイズ | — | — | — | — | — | 50〜200 mm | 50〜200 mm | — | — | — | — |
1機種だけが掲載している項目（18件）
| 光源・NA | — | i 線（365nm）・0.45 | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 縮小倍率・露光範囲 | — | 1:5・22 × 22mm | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| ウェハサイズ | — | 2〜8 インチ（オプション） | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 対応ウェハ径 | — | — | 200／300 mm（選択） | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 画面サイズ | — | — | — | 50 × 50 mm | — | — | — | — | — | — | — |
| アライメント | — | — | — | 明視野・暗視野検出・赤外による裏面アライメント（オプション） | — | — | — | — | — | — | — |
| NA | — | — | — | — | 0.30〜0.63（選択可能） | — | — | — | — | — | — |
| 処理枚数 | — | — | — | — | 毎時 130 枚（8 インチ） | — | — | — | — | — | — |
| 生産性 | — | — | — | — | — | 従来機比 約 17% 向上（8 インチ） | — | — | — | — | — |
| 消費電力 | — | — | — | — | — | 従来機比 約 20% 削減 | — | — | — | — | — |
| NA・画面サイズ | — | — | — | — | — | — | 0.24〜0.16（自動可変）・52 × 52mm | — | — | — | — |
| 重ね合わせ | — | — | — | — | — | — | — | ウェーハ全面で 20nm 以下 | — | — | — |
| 投影光学系 | — | — | — | — | — | — | — | — | 可変 NA 0.25〜0.35・2 倍縮小 | — | — |
| 対象基板 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | CCL・FR4・複合材・ガラスなどのパネル | — |
| 特徴 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 業界最大の露光フィールド・大きな焦点深度・XY 独立の倍率補正 | — |
| 主要用途 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | AICS・チップレットの大型パッケージ | — |
| 対応基板 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 最大 650 × 650 mm |
| 露光フィールド | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 59.4 × 59.4 mm |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 光源 | i 線（365 nm） |
| 開口数（NA） | 0.62 |
| 解像度 | 280 nm 以下 |
| スループット | 200 枚／時 以上 |
| 重ね合わせ精度 | 25 nm 以下 |
| 関連機種 | NSR-2205iL1（解像度 350 nm 以下） |
| 光源・NA | i 線（365nm）・0.45 |
| 解像度 | 350nm 以下（オプション適用時） |
| 縮小倍率・露光範囲 | 1:5・22 × 22mm |
| ウェハサイズ | 2〜8 インチ（オプション） |
| 光源 | i 線（365 nm） |
| 開口数（NA） | 0.57 ～ 0.45（自動可変） |
| 解像度 | 350 nm 以下 |
| 重ね合わせ精度 | SMO 18 nm 以下・MMO 25 nm 以下（オプション） |
| 対応ウェハ径 | 200／300 mm（選択） |
| 関連機種 | FPA-5550iZ（前機種、スループット約 20% 向上） |
| 解像力 | 0.5 µm |
| 画面サイズ | 50 × 50 mm |
| アライメント | 明視野・暗視野検出・赤外による裏面アライメント（オプション） |
| 解像力 | 0.35µm 以下 |
| NA | 0.30〜0.63（選択可能） |
| 処理枚数 | 毎時 130 枚（8 インチ） |
| ウエハーサイズ | 50〜200 mm |
| 生産性 | 従来機比 約 17% 向上（8 インチ） |
| 消費電力 | 従来機比 約 20% 削減 |
| 解像力 | 0.8µm 以下 |
| NA・画面サイズ | 0.24〜0.16（自動可変）・52 × 52mm |
| ウエハーサイズ | 50〜200 mm |
| 光源 | i 線（水銀ランプ） |
| 重ね合わせ | ウェーハ全面で 20nm 以下 |
| 解像度 | オプションで 220nm |
| 光源 | i 線（水銀ランプ） |
| 投影光学系 | 可変 NA 0.25〜0.35・2 倍縮小 |
| スループット | 毎時 270 枚（340 mJ/cm²） |
| 対象基板 | CCL・FR4・複合材・ガラスなどのパネル |
| 特徴 | 業界最大の露光フィールド・大きな焦点深度・XY 独立の倍率補正 |
| 主要用途 | AICS・チップレットの大型パッケージ |
| 対応基板 | 最大 650 × 650 mm |
| 露光フィールド | 59.4 × 59.4 mm |
| 解像度 | L/S 2/2µm（オプションで 1/1µm） |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
5社の主要メーカー
DUVスキャナーおよびi線ステッパーの主要メーカー。高解像度光学技術とウェーハステージ技術に強みを持ち、成熟プロセス向けや再生装置市場で存在感を発揮。
- •i線ステッパー・DUVスキャナーの長年の製造実績
- •光学系・精密ステージ技術における技術的優位
i線・KrFステッパーを長年供給する露光装置メーカー。近年はナノインプリント・リソグラフィ（NIL）を量産化し、EUVに代わる新たな微細化ルートとして注目される。
- •i線・KrFステッパーの世界的プレーヤー
- •ナノインプリント・リソグラフィ（NIL）の商用化で先行
プリント基板・半導体パッケージ向けUV露光装置・マスクアライナーの専業メーカー。成熟ノード向けi線・UV露光システムを提供し、パッケージ基板・フレキシブル基板の微細化に対応。
- •パッケージ基板向けUV露光装置で国内最大手
- •マスクアライナー・プロジェクション露光の豊富な実績
EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー。極紫外光リソグラフィ技術でムーアの法則を延命させ、5nm以下の先端プロセスに不可欠。
- •EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー
- •High-NA EUVで8nmの解像度を実現
Rudolph Technologies と Nanometrics の統合で誕生した検査・計測メーカー。光学検査、膜厚計測、先端パッケージング計測に強み。
- •光学ウェハ検査・膜厚計測で世界有数のポジション
- •先端パッケージング（FO-WLP・HBM）向け計測ソリューション
同じ分野の装置カテゴリ
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メーカー 2 社レーザー直接描画装置レーザー直接描画装置（LDI／マスクレス露光装置）は、マスクを介さずレーザー光を走査してパターンを描く露光装置です。
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メーカー 3 社