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i線ステッパーメーカー2

i線ステッパー(i-line Stepper)は、水銀ランプのi線(波長365nm)を光源とする露光装置で、0.18μm以上の成熟ノードの半導体製造に現在も広く使用されています。ArF・EUVと比べて装置コストと運用コストが格段に低く、アナログIC・パワー半導体・センサー・MEMS・産業用デバイスなどコスト重視の量産用途に強みを持ちます。NikonとCanonが主要メーカーで、日本の露光装置産業の原点でもあります。

メーカー 2関連カテゴリ 3

主要特徴

水銀ランプのi線(365nm)を光源とする成熟した露光技術
0.18μm以上の成熟ノードで現在も大量使用(装置・運用コストが低い)
アナログIC・パワー半導体・センサー・MEMS向けに強い
Nikon・Canonが主要メーカー(ArF/EUVと異なり日本勢が優位)
EUVやDUVが使えないコスト重視ファブでは依然として不可欠

よくある質問

i線ステッパーとは何ですか?
i線ステッパーは、水銀ランプのi線(波長365nm)を光源とする露光装置です。0.18μm以上の成熟ノード向けで、装置・運用コストが低いため、アナログ・パワー・センサー・MEMS分野の半導体製造に現在も広く使用されています。
i線露光はいつまで使われますか?
i線露光は先端ロジック(7nm以下)には対応しませんが、0.18μm以上の成熟ノードでは極めてコスト効率が高く、2030年以降も継続使用が見込まれます。特にパワー半導体・MEMS・アナログICなどコスト重視の製品では不可欠です。
i線ステッパーの主要メーカーはどこですか?
Nikon(日本)とCanon(日本)が主要メーカーです。ArF液浸やEUVではASMLに劣勢ですが、i線ステッパー市場ではNikon・Canonが強い競争力を持ち、日本の露光装置産業の基盤となっています。

代表製品・スペック

製品写真
ニコン(Nikon)
NSR-i14E

ニコンのi線(365nm)ステッパー。パワー半導体・アナログIC・センサーデバイスの量産に広く使用。

光源波長i線 365 nm
解像度350 nm
開口数(NA)0.63
スループット最大 120 WPH
主要用途パワー半導体・アナログ・MEMS量産
ニコン(Nikon) の企業情報を見る →
製品写真
キヤノン(Canon)
FPA-5550iZ

キヤノンのi線ステッパー。コストパフォーマンスに優れ、パワーデバイス・CMOS量産に実績が多い。

光源波長i線 365 nm
解像度500 nm
開口数(NA)0.57
スループット最大 120 WPH
主要用途パワーデバイス・CMOS・LCD量産

※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

メーカー

2社の主要メーカー

ニコン(Nikon)日本

DUVスキャナーおよびi線ステッパーの主要メーカー。高解像度光学技術とウェーハステージ技術に強みを持ち、成熟プロセス向けや再生装置市場で存在感を発揮。

DUVスキャナー
NSR-S635ENSR-S620D
i線ステッパー
NSR-iA シリーズ
  • i線ステッパー・DUVスキャナーの長年の製造実績
  • 光学系・精密ステージ技術における技術的優位
キヤノン(Canon)日本

i線・KrFステッパーを長年供給する露光装置メーカー。近年はナノインプリント・リソグラフィ(NIL)を量産化し、EUVに代わる新たな微細化ルートとして注目される。

ステッパー
FPA-5520iVFPA-6300ES6a
ナノインプリント装置
FPA-1200NZ2C
  • i線・KrFステッパーの世界的プレーヤー
  • ナノインプリント・リソグラフィ(NIL)の商用化で先行

関連カテゴリ

DUV露光装置
EUV露光装置
ナノインプリントリソグラフィ(NIL)

関連用語

i線ステッパーとは →EUV露光とは →DUV露光とは →液浸リソグラフィとは →フォトマスクとは →フォトレジストとは →コーター/デベロッパとは →High-NA EUVとは →レチクルとは →EUV光源とは →ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とは →

比較・違いを学ぶ

EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が
High-NA EUVと従来EUVの違い(NA=0.55 vs NA=0.33)
EUV露光装置は現在、「従来EUV(NA=0.33、ASMLのNXEシリーズ)」と「High-NA EUV(NA=0.55、ASMLのEXEシリーズ)」の2世代
ArF露光とKrF露光の違い(DUV露光装置比較)
ArFとKrFはどちらもDUV(深紫外線)エキシマレーザーを光源とするフォトリソグラフィ装置ですが、光源波長が根本的に異なります。ArF(フッ化アルゴン)は19
シングルパターニングとマルチパターニングの違い
露光装置の解像度には物理的な限界(回折限界)があり、1回の露光ではそのままでは形成できない微細パターンを実現するために開発されたのがマルチパターニング技術です。
ナノインプリントとEUVの違い(次世代リソグラフィ比較)
ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とEUV露光はいずれも半導体製造における微細化を実現するリソグラフィ技術ですが、パターン転写の原理が根本的に異なります。E
ポジ型レジストとネガ型レジストの違い(フォトレジストの比較)
フォトレジストは露光で溶解特性が変化する感光性材料で、ポジ型は露光部が現像液に溶け(マスクの透過部がパターンとして残る逆)、ネガ型は露光部が硬化して残り未露光部
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