EUV露光装置
EUV露光装置は、波長13.5nmの極端紫外線を光源として用いる最先端の露光装置です。7nm以下の先端プロセスノードにおいて、従来のArF液浸露光では達成困難な微細パターンを単一露光で形成できるため、製造工程の簡素化とコスト削減を実現します。真空環境と反射光学系を必要とし、1台あたり数百億円という極めて高価な装置ですが、3nm・2nm世代の量産には不可欠です。ASMLが唯一の量産サプライヤーとして市場を支配しています。
主要特徴
- •波長13.5nmの極端紫外線で7nm以下の先端プロセスに対応
- •単一露光で微細パターン形成可能（マルチパターニング不要で工程簡素化）
- •真空環境と反射光学系が必須（技術的複雑度が極めて高い）
- •3nm・2nm世代の量産には不可欠な技術（先端プロセスの鍵）
- •ASMLが唯一の量産サプライヤー（独占的な市場構造）
よくある質問
EUV露光装置とは何ですか？
EUV露光装置は、波長13.5nmの極端紫外線（EUV）を光源とする半導体露光装置です。7nm以下の先端プロセスノードで必要とされる微細パターンを単一露光で形成できます。
EUV露光装置のメーカーはどこですか？
EUV露光装置の量産サプライヤーはオランダのASML社のみです。独占的なサプライヤーとして、世界の先端半導体ファブへの供給を担っています。
EUV露光装置はDUV露光装置と何が違いますか？
EUVは波長13.5nm、DUVは193nm（ArF）または248nm（KrF）の光源を使用します。EUVは7nm以下の微細プロセスに対応しており、マルチパターニングなしで微細パターンを形成できます。一方DUVは装置コストが低く成熟度が高いため、成熟ノードから先端ノードの一部まで広く使われます。
EUV露光装置の価格はいくらですか？
EUV露光装置（High-NAモデル）は1台あたり約350〜400億円以上とされており、半導体製造装置の中で最高レベルの価格を誇ります。High-NA EUVはさらに高価で、最新モデルは500億円を超えるとも言われています。
関連用語（用語集）
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