EUV露光装置メーカー2社

EUV露光装置（Extreme Ultraviolet Lithography）は、波長13.5nmの極端紫外線を使用してウェハ上に超微細回路パターンを転写する露光装置です。ArFエキシマレーザーを光源とするDUV露光では多重露光が必要な7nm以下のノードで、EUV露光は単一露光でパターン形成を可能にし、工程数を大幅に削減します。真空環境・反射型光学系が必須で、光源にはLPP（レーザー生成プラズマ）方式でスズ（Sn）プラズマを生成します。ASMLがNXE・TWINSCANシリーズで世界市場を独占しており、1台200億円超の超高額装置です。

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主要特徴

波長13.5nm（DUV ArFの1/14）で7nm以下ノードの単一露光を実現

反射型光学系（ミラー）＋真空環境が必須（レンズ・空気では吸収）

光源はスズ（Sn）プラズマによるLPP（レーザー生成プラズマ）方式

ASMLがNXE/TWINSCANシリーズで世界独占（1台200億円超）

High-NA EUV（NA=0.55）で2nm以下ノードへの対応が進む

よくある質問

EUV露光装置とは何ですか？▾

EUV（Extreme Ultraviolet）露光装置は、波長13.5nmの極端紫外線でウェハ上に超微細パターンを転写する半導体製造の核心装置です。7nm以下の先端ロジック（TSMC・Samsung・Intel）に不可欠で、ASMLが世界で唯一量産装置を製造しています。

EUVとDUVの違いは何ですか？▾

最大の違いは光源波長です。EUVは13.5nm（極端紫外線）でDUV ArFの193nmより約14倍短く、単一露光で微細パターンを形成できます。DUVは複数回の多重露光（マルチパターニング）が必要で工程が複雑になります。EUVはより微細化できますが装置コストは大幅に高くなります。

EUV露光装置の主要メーカーはどこですか？▾

ASMLが世界唯一の量産EUV装置メーカーです。光学系はZEISS（独）、光源はCymer（米、ASML子会社）が担当するサプライチェーンで成り立っています。日本では、レーザー光源部品でGigaphoton（ギガフォトン）が一部参画しています。

EUV装置はなぜ非常に高価なのですか？▾

EUV装置はスズプラズマ光源・反射型多層膜ミラー（Mo/Si交互積層）・真空チャンバー・高精度ステージなど、世界最高水準の精密部品の集合体です。1台に約100,000個の部品を使用し、製造・調整に高度な技術と長い期間が必要なため、1台200億円超の価格になります。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	ASMLTWINSCAN NXE:3600D	ASMLTWINSCAN EXE:5000	ASMLTWINSCAN EXE:5200B	ASMLTWINSCAN NXE:3800E	ASMLTWINSCAN NXE:3400C
光源	EUV 13.5 nm（スズプラズマ）	EUV（13.5nm）	EUV（13.5nm・改良光源）	EUV（13.5nm）	EUV（13.5nm）
投影光学系	—	NA 0.55（High-NA）	NA 0.55（High-NA）	NA 0.33	—
主要用途	5nm・3nm ロジック、先端 DRAM の量産	—	—	2nm ロジック・先端 DRAM の量産	—
解像度	—	8 nm	8 nm（NXE 比イメージングコントラスト 40% 向上）	—	—

1機種だけが掲載している項目（5件）

開口数（NA）	0.33	—	—	—	—
最大露光フィールド	26 × 33 mm	—	—	—	—
対応ウェハ径	300 mm	—	—	—	—
スループット	—	—	—	—	毎時 170 枚以上（300mm）
対象ノード	—	—	—	—	7nm・5nm

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

代表製品・スペック

製品写真

ASML

TWINSCAN NXE:3600D

ASML の NA 0.33 EUV 露光装置。前世代 NXE:3400C 比で生産性を 15〜20% 高め、5nm・3nm ロジックと先端 DRAM の量産に使われる。

光源	EUV 13.5 nm（スズプラズマ）
開口数（NA）	0.33
最大露光フィールド	26 × 33 mm
対応ウェハ径	300 mm
主要用途	5nm・3nm ロジック、先端 DRAM の量産