EUV露光装置
EUV露光装置は、波長13.5nmの極端紫外線を光源として用いる最先端の露光装置です。7nm以下の先端プロセスノードにおいて、従来のArF液浸露光では達成困難な微細パターンを単一露光で形成できるため、製造工程の簡素化とコスト削減を実現します。真空環境と反射光学系を必要とし、1台あたり数百億円という極めて高価な装置ですが、3nm・2nm世代の量産には不可欠です。ASMLが唯一の量産サプライヤーとして市場を支配しています。
主要特徴
- •波長13.5nmの極端紫外線で7nm以下の先端プロセスに対応
- •単一露光で微細パターン形成可能(マルチパターニング不要で工程簡素化)
- •真空環境と反射光学系が必須(技術的複雑度が極めて高い)
- •3nm・2nm世代の量産には不可欠な技術(先端プロセスの鍵)
- •ASMLが唯一の量産サプライヤー(独占的な市場構造)
関連用語(用語集)
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