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DUV露光装置メーカー5社

DUV露光装置（Deep Ultraviolet Lithography）は、ArFエキシマレーザー（193nm）またはKrFエキシマレーザー（248nm）を光源とした露光装置です。ArF液浸露光では純水（屈折率1.44）をレンズとウェハの間に充填することで実効的なNAを向上させ、193nm÷1.44≒134nmの実効波長を実現します。さらに多重露光技術（SADP・SAQP・LELE）と組み合わせることで10nm台のノードまで対応可能です。EUVより安価で成熟度が高く、先端ノードでも一部の層でDUVが継続使用されます。

メーカー 5 社同じ分野の装置 8 カテゴリ
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主要特徴

ArF（193nm）・KrF（248nm）レーザーを光源とする成熟した露光技術
ArF液浸露光（液浸NA最大1.35）で実効解像度を大幅に向上
SADP/SAQP等の多重パターニングと組み合わせ10nm台ノードに対応
EUVより低コスト・高スループットで幅広いノードで採用継続
ASML・Nikon・Canonが主要メーカー（EUVと異なり競合環境が存在）

よくある質問

DUV露光装置とは何ですか？▾
DUV（Deep Ultraviolet）露光装置は、ArFエキシマレーザー（193nm）またはKrFレーザー（248nm）を光源とする露光装置です。液浸露光とマルチパターニング技術を組み合わせることで、28nm以下のノードの製造にも現在も広く使われています。
ArF液浸露光とは何ですか？▾
ArF液浸露光（ArF Immersion）は、レンズとウェハの間に超純水（屈折率約1.44）を充填することで、実効的なレンズの開口数（NA）を高め解像度を向上させる技術です。ドライArFに比べて約44%解像度が向上し、10〜30nmノードの形成に使用されます。
DUV露光装置の主要メーカーはどこですか？▾
ASML（オランダ）が最大のシェアを持ち、次いでNikon（日）、Canon（日）の3社が主要メーカーです。EUVとは異なりASMLの独占ではなく、ニコン・キヤノンが競合する市場構造になっています。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目ASMLTWINSCAN NXT:2100iASMLTWINSCAN NXT:2150iASMLTWINSCAN NXT:2050iASMLTWINSCAN NXT:2000iASMLTWINSCAN NXT:1980FiASMLTWINSCAN NXT:1470ASMLTWINSCAN XT:1460KASMLTWINSCAN XT:1060KASMLTWINSCAN NXT:870BASMLTWINSCAN NXT:870ASMLTWINSCAN XT:860NASMLTWINSCAN XT:860Mニコン（Nikon）NSR-S635Eニコン（Nikon）NSR-S636Eニコン（Nikon）NSR-S625Eニコン（Nikon）NSR-S333Fニコン（Nikon）NSR-S322Fニコン（Nikon）NSR-S220Dニコン（Nikon）NSR-S215Dキヤノン（Canon）FPA-3030EX6キヤノン（Canon）FPA-6300ES6aキヤノン（Canon）FPA-6300ESW
光源ArF 液浸（193 nm）ArF 液浸（193nm）ArF 液浸（193nm）ArF 液浸（193nm）ArF 液浸（193nm）ArF ドライ（193nm）ArF ドライ（193nm・45W レーザ）KrF（248nm・40W レーザ）KrF ドライ（248nm）KrF（248nm・40／60W レーザ）KrF（248nm・40／50／60W レーザ）KrF（248nm・40W レーザ）ArF 液浸（193 nm）——————KrF（248 nm）——
スループット—————毎時 300 枚超——毎時 400 枚（300mm）毎時 330 枚（300mm）毎時 260 枚（300mm）・275 枚（200mm）—275 枚／時 以上（96 ショット）毎時 280 枚以上（96 ショット）毎時 280 枚以上（96 ショット）毎時 300 枚以上（96 ショット）毎時 230 枚以上（オプションで 250 枚以上）毎時 230 枚以上（96 ショット）毎時 330 枚以上（200mm・46 ショット）／200 枚以上（300mm・96 ショット）121 枚／時 以上——
重ね合わせ精度単体機 0.9 nm・機間 1.3 nm（前機種比 10%／13% 改善）———————————MMO 2.1 nm 以下MMO 2.1nm 以下MMO 2.5nm 以下MMO 4nm 以下MMO 5nm 以下MMO 6nm 以下—25 nm 以下5nm 以下（オプション適用時）9nm 以下
解像度————38 nm—65 nm—————38 nm 以下38nm 以下38nm 以下65nm 以下65nm 以下110nm 以下110nm 以下150 nm 以下——
投影光学系——NA 1.35NA 1.35（インライン反射屈折レンズ）——可変 NA 0.93——可変 NA 0.55〜0.80（ZEISS Starlith 865）可変 NA 0.55〜0.80（ZEISS Starlith 860+）可変 NA 0.55〜0.80（Carl Zeiss Starlith 860+）——————————
光源・NA—————————————ArF 液浸（193nm）・1.35ArF 液浸（193nm）・1.35ArF ドライ（193nm）・0.92ArF ドライ（193nm）・0.92KrF（248nm）・0.82KrF（248nm）・0.82———
対応ウェハ径300 mm——————————300 mm———————100／125／150／200 mm（選択）——
主要用途先端メモリ・ロジック（EUV との混用工程）——————2X nm 以降のメタル・ビア・注入層——————————————
改善—製品上の重ね合わせ 15% 改善・スループット 5% 向上——————NXT:870 比 20% 向上—————————————
特徴—ダイヤモンドウェーハテーブル—————KrF で業界最高の NA と生産性——————————————
開口数（NA）————————————1.35——————0.65 ～ 0.50（自動可変）——
光源・解像力————————————————————KrF 248nm・90nm 以下KrF 248nm・130nm 以下
1機種だけが掲載している項目（9件）
ステージデュアルステージ—————————————————————
プラットフォーム——NXT4———————————————————
生産性———最高 1 日 4,600 枚——————————————————
性能————装置間マッチング重ね合わせ 2.5nm・毎時 330 枚—————————————————
重ね合わせ—————製品上 4.5nm 未満（ドライ機で初）————————————————
関連機種————————————NSR-S636E（後継機）—————————
ウェハサイズ——————————————————200／300mm 両対応———
NA・画面サイズ————————————————————0.86〜0.50（自動可変）・26 × 33mm—
画面サイズ・縮小比—————————————————————33 × 42.2mm・1:3.125

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

代表製品・スペック

製品写真
ASML

TWINSCAN NXT:2100i

ASML の ArF 液浸 DUV 露光装置。EUV 装置との重ね合わせ（クロスマッチング）を意識した改良で、単体機・機間の重ね合わせ精度を高めた。

光源ArF 液浸（193 nm）
ステージデュアルステージ
重ね合わせ精度単体機 0.9 nm・機間 1.3 nm（前機種比 10%／13% 改善）
対応ウェハ径300 mm
主要用途先端メモリ・ロジック（EUV との混用工程）
製品写真
ASML

TWINSCAN NXT:2150i

NXT:2100i の後継の ArF 液浸露光装置。製品上の重ね合わせを 15% 改善し、スループットを 5% 高めた。

光源ArF 液浸（193nm）
改善製品上の重ね合わせ 15% 改善・スループット 5% 向上
特徴ダイヤモンドウェーハテーブル
製品写真
ASML

TWINSCAN NXT:2050i

NXT4 プラットフォームの ArF 液浸露光装置。業界最高の NA 1.35 のレンズで、先端ロジック・DRAM の多重パターニングに使う。

光源ArF 液浸（193nm）
投影光学系NA 1.35
プラットフォームNXT4
製品写真
ASML

TWINSCAN NXT:2000i

先端ロジック・DRAM の量産向けの ArF 液浸露光装置。EUV とのミックス＆マッチを想定して設計された。

光源ArF 液浸（193nm）
投影光学系NA 1.35（インライン反射屈折レンズ）
生産性最高 1 日 4,600 枚
製品写真
ASML

TWINSCAN NXT:1980Fi

準重要層（ミッドクリティカル層）を毎時 330 枚で描く ArF 液浸露光装置。解像度 38nm。

光源ArF 液浸（193nm）
解像度38 nm
性能装置間マッチング重ね合わせ 2.5nm・毎時 330 枚
製品写真
ASML

TWINSCAN NXT:1470

NXT プラットフォーム初のドライ ArF 露光装置。露光装置として初めて毎時 300 枚を超えた。

光源ArF ドライ（193nm）
重ね合わせ製品上 4.5nm 未満（ドライ機で初）
スループット毎時 300 枚超
製品写真
ASML

TWINSCAN XT:1460K

65nm の解像度で 300mm ウェーハを量産する高生産性のドライ ArF 露光装置。

光源ArF ドライ（193nm・45W レーザ）
投影光学系可変 NA 0.93
解像度65 nm
製品写真
ASML

TWINSCAN XT:1060K

ASML のもっとも先進的な KrF ドライ露光装置。業界最高の NA と生産性を持つ。

光源KrF（248nm・40W レーザ）
特徴KrF で業界最高の NA と生産性
主要用途2X nm 以降のメタル・ビア・注入層
製品写真
ASML

TWINSCAN NXT:870B

業界で初めて毎時 400 枚を達成した KrF ドライ露光装置。NXT:870 の後継で、スループットを 20% 高めた。

光源KrF ドライ（248nm）
スループット毎時 400 枚（300mm）
改善NXT:870 比 20% 向上
製品写真
ASML

TWINSCAN NXT:870

NXT プラットフォームの KrF 露光装置。110nm 以下の 300mm 量産で毎時 330 枚を処理する。

光源KrF（248nm・40／60W レーザ）
投影光学系可変 NA 0.55〜0.80（ZEISS Starlith 865）
スループット毎時 330 枚（300mm）
製品写真
ASML

TWINSCAN XT:860N

200mm と 300mm の両方の量産に使える KrF 露光装置。110nm 以下に対応する。

光源KrF（248nm・40／50／60W レーザ）
投影光学系可変 NA 0.55〜0.80（ZEISS Starlith 860+）
スループット毎時 260 枚（300mm）・275 枚（200mm）
製品写真
ASML

TWINSCAN XT:860M

110nm 以下の 300mm 量産向けの高生産性 KrF 露光装置。

光源KrF（248nm・40W レーザ）
投影光学系可変 NA 0.55〜0.80（Carl Zeiss Starlith 860+）
対応ウェハ径300 mm
製品写真
ニコン（Nikon）

NSR-S635E

インライン・アライメント・ステーション（iAS）を統合したニコンの ArF 液浸スキャナー。Streamlign プラットフォームで高い生産性を得る。

光源ArF 液浸（193 nm）
開口数（NA）1.35
解像度38 nm 以下
スループット275 枚／時 以上（96 ショット）
重ね合わせ精度MMO 2.1 nm 以下
関連機種NSR-S636E（後継機）
製品写真
ニコン（Nikon）

NSR-S636E

重ね合わせ精度とスループットを高い水準で両立した、クリティカルレイヤー向けのニコンの ArF 液浸スキャナー。

光源・NAArF 液浸（193nm）・1.35
解像度38nm 以下
重ね合わせ精度MMO 2.1nm 以下
スループット毎時 280 枚以上（96 ショット）
製品写真
ニコン（Nikon）

NSR-S625E

ミドルクリティカルレイヤー向けのニコンの ArF 液浸スキャナー。前機種よりスループットを約 1.3 倍に高め、iAS を搭載する。

光源・NAArF 液浸（193nm）・1.35
解像度38nm 以下
重ね合わせ精度MMO 2.5nm 以下
スループット毎時 280 枚以上（96 ショット）
製品写真
ニコン（Nikon）

NSR-S333F

ArF 液浸スキャナーのプラットフォームを採用したニコンの ArF（ドライ）スキャナー。毎時 300 枚以上と MMO 4nm 以下を両立する。

光源・NAArF ドライ（193nm）・0.92
解像度65nm 以下
重ね合わせ精度MMO 4nm 以下
スループット毎時 300 枚以上（96 ショット）
製品写真
ニコン（Nikon）

NSR-S322F

液浸装置で実績のある Streamlign Platform を搭載したニコンの ArF（ドライ）スキャナー。

光源・NAArF ドライ（193nm）・0.92
解像度65nm 以下
重ね合わせ精度MMO 5nm 以下
スループット毎時 230 枚以上（オプションで 250 枚以上）
製品写真
ニコン（Nikon）

NSR-S220D

毎時 230 枚以上と装置間の重ね合わせ精度 6nm 以下を実現した、Streamlign Platform 採用のニコンの KrF スキャナー。

光源・NAKrF（248nm）・0.82
解像度110nm 以下
重ね合わせ精度MMO 6nm 以下
スループット毎時 230 枚以上（96 ショット）
製品写真
ニコン（Nikon）

NSR-S215D

200mm と 300mm のウェハに両対応し、既存の KrF スキャナーと互換性の高いニコンの KrF スキャナー。

光源・NAKrF（248nm）・0.82
解像度110nm 以下
ウェハサイズ200／300mm 両対応
スループット毎時 330 枚以上（200mm・46 ショット）／200 枚以上（300mm・96 ショット）
製品写真
キヤノン（Canon）

FPA-3030EX6

IoT 関連デバイス向けのキヤノンの KrF ステッパー。100〜200mm の多様な基板を扱え、i 線ステッパー FPA-3030i5+ と共通のウェーハ搬送系を持つ。

光源KrF（248 nm）
開口数（NA）0.65 ～ 0.50（自動可変）
解像度150 nm 以下
スループット121 枚／時 以上
重ね合わせ精度25 nm 以下
対応ウェハ径100／125／150／200 mm（選択）
製品写真
キヤノン（Canon）

FPA-6300ES6a

キヤノンの高生産性 KrF スキャナー。毎時 300 枚以上の処理と、KrF スキャナーで業界最高水準の重ね合わせ精度 5nm 以下を持つ。

光源・解像力KrF 248nm・90nm 以下
NA・画面サイズ0.86〜0.50（自動可変）・26 × 33mm
重ね合わせ精度5nm 以下（オプション適用時）
製品写真
キヤノン（Canon）

FPA-6300ESW

33 × 42.2mm を一括露光でき、フルサイズ CMOS センサーをスティッチングなしで露光できる世界で唯一の KrF スキャナー。

光源・解像力KrF 248nm・130nm 以下
画面サイズ・縮小比33 × 42.2mm・1:3.125
重ね合わせ精度9nm 以下

※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

メーカー

5社の主要メーカー

ASMLオランダ

EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー。極紫外光リソグラフィ技術でムーアの法則を延命させ、5nm以下の先端プロセスに不可欠。

EUV露光装置
TWINSCAN NXETWINSCAN EXE (High-NA)
DUV露光装置
TWINSCAN DUVシリーズ
  • •EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー
  • •High-NA EUVで8nmの解像度を実現
会社詳細
ニコン（Nikon）日本

DUVスキャナーおよびi線ステッパーの主要メーカー。高解像度光学技術とウェーハステージ技術に強みを持ち、成熟プロセス向けや再生装置市場で存在感を発揮。

DUVスキャナー
NSR-S635ENSR-S620D
i線ステッパー
NSR-iA シリーズ
  • •i線ステッパー・DUVスキャナーの長年の製造実績
  • •光学系・精密ステージ技術における技術的優位
会社詳細
キヤノン（Canon）日本

i線・KrFステッパーを長年供給する露光装置メーカー。近年はナノインプリント・リソグラフィ（NIL）を量産化し、EUVに代わる新たな微細化ルートとして注目される。

ステッパー
FPA-5520iVFPA-6300ES6a
ナノインプリント装置
FPA-1200NZ2C
  • •i線・KrFステッパーの世界的プレーヤー
  • •ナノインプリント・リソグラフィ（NIL）の商用化で先行
会社詳細
ギガフォトン日本

半導体露光用エキシマレーザー光源の大手メーカー。ArF・KrFレーザーでASML・ニコン・キヤノンの露光装置に光源を供給。小松製作所と旭硝子（AGC）の合弁会社。

エキシマレーザー
ArFレーザー（GT63A）KrFレーザー（GT55K）ArF液浸対応レーザー
  • •ArF（193nm）・KrFエキシマレーザー光源で世界シェア上位
  • •Cymer（Applied Materials傘下）と並ぶ二大光源メーカーの一角
会社詳細
ウシオ電機日本

産業用・半導体製造向け光源装置の日本大手。UV・DUV露光光源、ランプ式露光装置、UV硬化システムを手がける光技術の総合メーカー。

露光光源
超高圧水銀ランプエキシマランプ
UV硬化装置
UV照射システム
  • •半導体露光用水銀ランプ・エキシマランプで国内トップ
  • •UV硬化・表面処理向け光源の幅広いラインナップ
会社詳細

同じ分野の装置カテゴリ

ベーク・UVキュア装置

ベーク・UVキュア装置は、塗布した膜を加熱または紫外線照射によって硬化・安定化させる装置です。

メーカー 5 社コータ／デベロッパ

コーター/デベロッパ（Coater/Developer）は、フォトリソグラフィ工程でレジスト塗布（コーティング）と露光後の現像（デベロップ）を行う一体型装置です。

メーカー 7 社電子ビーム直接描画装置

電子ビーム直接描画装置は、マスクを使わず電子ビームでウェハへ直接パターンを描く露光装置です。

メーカー 4 社EUV露光装置

EUV露光装置（Extreme Ultraviolet Lithography）は、波長13.5nmの極端紫外線を使用してウェハ上に超微細回路パターンを転写する露光装置です。

メーカー 2 社i線ステッパー

i線ステッパー（i-line Stepper）は、水銀ランプのi線（波長365nm）を光源とする露光装置で、0.18μm以上の成熟ノードの半導体製造に現在も広く使用されています。

メーカー 5 社レーザー直接描画装置

レーザー直接描画装置（LDI／マスクレス露光装置）は、マスクを介さずレーザー光を走査してパターンを描く露光装置です。

メーカー 5 社マスクアライナー

マスクアライナーは、マスクとウェハを直接向かい合わせ、等倍でパターンを一括転写する露光装置です。

メーカー 3 社ナノインプリントリソグラフィ（NIL）

ナノインプリントリソグラフィ（NIL：Nanoimprint Lithography）は、マスク（テンプレート）のナノ構造パターンを紫外線硬化樹脂などの材料に直接押し付けてパターンを転写するリソグラフィ技術です。

メーカー 3 社

関連用語

DUV露光とは→EUV露光とは→i線ステッパーとは→液浸リソグラフィとは→フォトマスクとは→フォトレジストとは→コーター/デベロッパとは→High-NA EUVとは→レチクルとは→EUV光源とは→ナノインプリントリソグラフィ（NIL）とは→リソグラフィとは→

比較・違いを学ぶ

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