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DUV露光装置メーカー5社

DUV露光装置（Deep Ultraviolet Lithography）は、ArFエキシマレーザー（193nm）またはKrFエキシマレーザー（248nm）を光源とした露光装置です。ArF液浸露光では純水（屈折率1.44）をレンズとウェハの間に充填することで実効的なNAを向上させ、193nm÷1.44≒134nmの実効波長を実現します。さらに多重露光技術（SADP・SAQP・LELE）と組み合わせることで10nm台のノードまで対応可能です。EUVより安価で成熟度が高く、先端ノードでも一部の層でDUVが継続使用されます。

メーカー 5 社関連カテゴリ 3 件

主要特徴

ArF（193nm）・KrF（248nm）レーザーを光源とする成熟した露光技術

ArF液浸露光（液浸NA最大1.35）で実効解像度を大幅に向上

SADP/SAQP等の多重パターニングと組み合わせ10nm台ノードに対応

EUVより低コスト・高スループットで幅広いノードで採用継続

ASML・Nikon・Canonが主要メーカー（EUVと異なり競合環境が存在）

よくある質問

DUV露光装置とは何ですか？▾

DUV（Deep Ultraviolet）露光装置は、ArFエキシマレーザー（193nm）またはKrFレーザー（248nm）を光源とする露光装置です。液浸露光とマルチパターニング技術を組み合わせることで、28nm以下のノードの製造にも現在も広く使われています。

ArF液浸露光とは何ですか？▾

ArF液浸露光（ArF Immersion）は、レンズとウェハの間に超純水（屈折率約1.44）を充填することで、実効的なレンズの開口数（NA）を高め解像度を向上させる技術です。ドライArFに比べて約44%解像度が向上し、10〜30nmノードの形成に使用されます。

DUV露光装置の主要メーカーはどこですか？▾

ASML（オランダ）が最大のシェアを持ち、次いでNikon（日）、Canon（日）の3社が主要メーカーです。EUVとは異なりASMLの独占ではなく、ニコン・キヤノンが競合する市場構造になっています。

代表製品・スペック

製品写真

ASML

TWINSCAN NXT:2100i

ASMLの主力ArF液浸DUV露光装置。EUV補完工程や成熟ノード量産に広く使用されている。

光源波長	ArF液浸 193 nm
開口数（NA）	1.35
解像度	38 nm 以下
スループット	最大 295 WPH
主要用途	7nm〜28nm ロジック・メモリ量産

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製品写真

ニコン（Nikon）

NSR-S635E

ニコンのArF液浸DUV露光装置。高解像度と生産性を両立し、先端ノードの量産工程に対応。

光源波長	ArF液浸 193 nm
開口数（NA）	1.35
解像度	38 nm 以下
スループット	最大 250 WPH
主要用途	先端ロジック・メモリのDUV工程

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製品写真

キヤノン（Canon）

FPA-3030EX6

キヤノンのKrF（248nm）露光装置。成熟ノードの量産工程で安定した稼働実績を持つ。

光源波長	KrF 248 nm
開口数（NA）	0.85
解像度	130 nm 以下
スループット	最大 150 WPH
主要用途	成熟ノード量産・パワー半導体

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※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。