COMPANY DATABASE
岡本工作機械製作所
精密研削・研磨装置の老舗メーカー。半導体向けバックグラインダー・ポリッシャー・CMPなど、ウェハ薄化と平坦化工程に強み。
当サイトでの位置づけ
後工程のバックグラインド・ウェハ研磨カテゴリで、ウェハ薄化と仕上げ研磨を担う日本の老舗精密機械メーカーとして参照されます。
企業の強み
ウェハバックグラインダーで国内主要メーカー
精密研削・研磨技術における長年の実績
パワー半導体・MEMS向け薄化プロセスで存在感
主要製品・ソリューション
バックグラインダー
- •VG-502 MKII
研磨装置
- •ウェハポリッシャー
- •CMP装置
関連装置カテゴリ
📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア＆カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、岡本工作機械製作所を含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
関連用語
同じトピックの用語
CMP・平坦化・シリコンウェハ製造（結晶成長・スライス・研磨） のトピックで関連する用語です。
同じトピックの企業
比較・違いを学ぶ
Cu-CMPとW-CMPの違い（メタルCMPの比較）
メタルCMPは、配線を作るための「余分な金属を削り落とす」工程です。銅ダマシン配線の余剰Cu除去と、コンタクトプラグのタングステン除去という二大用途がありますが…
ラッピングと両面研磨（DSP）の違い
どちらもウェハの表裏を同時に加工して平坦度を作る工程ですが、狙いが違います。ラッピングはスライス痕と厚みばらつきを短時間で除去する粗加工、両面研磨（DSP）はリ…
セリアスラリーとシリカスラリーの違い（CMP砥粒の比較）
CMPスラリーの性能を決めるのは砥粒だけではありませんが、砥粒種の選択はプロセスの性格を大きく規定します。セリアとシリカは、同じ「ナノ粒子を分散させた研磨液」で…
エピタキシャルウェハとポリッシュドウェハの違い
同じシリコンウェハでも、研磨しただけのポリッシュドウェハと、その上にエピタキシャル層を成長させたエピウェハでは、表層の素性がまったく違います。前者は「インゴット…
CMPとエッチバックの違い｜平坦化手法を比較
どちらもウェハ表面を平坦化する技術ですが、メカニズムが根本的に異なります。CMPは研磨剤（スラリー）と研磨パッドを使った化学・機械的研磨で、ナノメートル精度の大…
CZ法とFZ法の違い（シリコン単結晶成長の比較）
CZ法（チョクラルスキー法）は石英ルツボの融液から種結晶を引き上げて単結晶を育てる方法、FZ法（フローティングゾーン法）はルツボを使わず帯溶融で単結晶化・精製す…
FOR COMPANIES
貴社の情報をSemiraiに掲載しませんか？
無料プランからご利用いただけます。