CMP装置
CMP装置（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）は、研磨スラリーと研磨パッドの組み合わせにより、ウェハ表面を化学的・機械的に平坦化する装置です。層間絶縁膜のグローバル平坦化、銅配線のダマシン形成、STI（浅溝素子分離）の平坦化などに用いられます。多層配線構造を持つ先端デバイスでは、各層の成膜後に必ずCMP工程が適用され、リソグラフィの焦点深度確保と電気特性均一化に不可欠です。
主要特徴
- •スラリー＋研磨パッドで化学的・機械的にウェハを平坦化
- •多層配線の層間絶縁膜・銅配線・STI平坦化に必須
- •先端デバイスでは各成膜後にCMP工程を適用
- •リソグラフィ焦点深度確保のためグローバル平坦性が重要
- •パッドコンディショニングと終点検出で均一除去を実現
よくある質問
CMP装置とは何ですか？
CMP（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）装置は、研磨スラリーと研磨パッドの組み合わせで、ウェハ表面を化学的・機械的に平坦化する装置です。多層配線構造の先端デバイス製造に不可欠な工程です。
CMP装置はどのような工程で使われますか？
主に層間絶縁膜の平坦化、銅配線のダマシン形成、STI（浅溝素子分離）形成後の平坦化などに使用されます。先端デバイスでは複数の配線層ごとにCMP工程が必要です。
CMP装置の主要メーカーはどこですか？
CMP装置の主要メーカーはApplied Materials（米国）です。また、エバラなど日本企業も国内市場で存在感を持っています。