CMP装置（Chemical Mechanical Polishing Equipment）は、化学機械研磨（CMP）プロセスを実行するための半導体製造装置です。研磨ヘッド（キャリア）にウェハを固定して研磨パッドに押し当て、スラリー（砥粒＋化学薬品の混合液）を供給しながら相対回転することで、ウェハ表面をナノメートルレベルまで平坦化（ポリッシング）します。
CMP装置の主要構成要素は、（1）プラテン（研磨パッドを装着して回転する定盤）、（2）研磨ヘッド（ウェハをバッキングフィルム・リテーナーリングで保持し、均一な圧力で研磨パッドに押し付ける）、（3）スラリー供給・回収システム、（4）ドレッサー（研磨パッドの目詰まりを防ぐコンディショニング工具）、（5）エンドポイント検出システム（光学・電流検出によるCMP終点の自動検出）です。
研磨均一性の制御は最重要課題で、ウェハ面内のディッシング（配線中央部の過剰研磨）・エロージョン（パターン密集部の平坦化不良）を最小化するために、ゾーン分割加圧機能（Multi-zone pressure control）を持つ研磨ヘッドと最適化されたスラリー供給が不可欠です。
CMP装置の用途別に最適化された専用モデルが存在します。STI CMP（シリコン酸化膜研磨）、タングステンCMP（コンタクト/ビア研磨）、銅CMP（デュアルダマシン配線研磨）、High-k/メタルゲートCMP（ゲート後平坦化）などは、各々に適したスラリーと研磨条件で運用されます。
主要CMP装置メーカーはApplied Materials（Reflexion LK・Reflexion GT：世界最大シェア）、荏原製作所（FREX300系：日本・韓国で強い）、KCTech（韓国）などです。スラリー（砥粒・化学薬品）サプライヤーはEntegris（Cabot Microelectronics買収後）、CMC Materials（Inpria）、日立化学（昭和電工マテリアルズ）等が市場をリードしています。
