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研磨装置(ポリッシャー)メーカー1

ポリッシャー(Polisher)は、研磨パッドと研磨スラリーを用いてウェハ裏面を精密研磨し、表面粗さの低減と平坦性向上を実現する装置です。バックグラインド後の微小ダメージ層を除去し、表面品質を改善することで、ウェハ強度向上とクラック発生リスクの低減を図ります。鏡面仕上げにより、後工程での接着性や放熱特性も向上します。CMP(化学機械研磨)技術を応用した高精度加工が可能です。

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主要特徴

研磨パッド・スラリーで表面粗さ低減と平坦性向上
バックグラインド後の微小ダメージ層除去
ウェハ強度向上とクラック発生リスク低減
鏡面仕上げで接着性・放熱特性が向上
CMP技術応用で高精度加工を実現

代表製品・スペック

製品写真
岡本工作機械製作所
SPK-300B(CMP研磨機)

岡本工作機械のウェハ単面研磨装置。バックグラインド後の表面損傷層除去とウェハ薄化仕上げに使用。

対応ウェハ径最大 300 mm
研磨方式単面CMP(化学機械研磨)
研磨後表面粗さRa < 1 nm
主要用途バックグラインド後の鏡面仕上げ
スラリー対応コロイダルシリカ系スラリー

※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

メーカー

1社の主要メーカー

岡本工作機械製作所日本

精密研削・研磨装置の老舗メーカー。半導体向けバックグラインダー・ポリッシャー・CMPなど、ウェハ薄化と平坦化工程に強み。

バックグラインダー
VG-502 MKII
研磨装置
ウェハポリッシャーCMP装置
  • ウェハバックグラインダーで国内主要メーカー
  • 精密研削・研磨技術における長年の実績

関連カテゴリ

バックグラインダー
ダイシングソー
レーザーダイシング装置

関連用語

CMP装置とは →CMP(化学機械研磨)とは →CMPスラリーとは →研磨パッドとは →パッドコンディショニングとは →リテーナリングとは →研磨ヘッドとは →メタルCMP(Cu・W)とは →酸化膜CMP(STI・ILD)とは →研磨レート(Prestonの式)とは →研磨均一性(WIWNU)とは →スクラッチ(CMP傷)とは →

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