ダイボンダーメーカー3社
ダイボンダー(Die Bonder)は、選別された良品チップを基板・リードフレーム・パッケージ基材へ高精度に搭載・固定する実装装置です。エポキシ系接着剤や銀ペースト、はんだなどの接合材を用いて、±数μmの位置決め精度でチップを実装します。ピックアップ、アライメント、ボンディングの各工程を自動化し、高速・高精度な実装と高い生産性を両立します。先端パッケージでは、フリップチップや3Dスタック実装にも対応した高度な装置が求められています。
メーカー 3 社同じ分野の装置 1 カテゴリ
主要特徴
ダイシング後チップをリードフレーム・基板・他ダイ上に精密搭載
エポキシ・DAF(ダイアタッチフィルム)・共晶はんだで接合
チップレット・3D積層では±1μm以下のサブμm精度が要求
フリップチップ・スタック実装にも対応する多機能化が進む
高精度カメラ・AI補正で搭載精度とスループット(UPH)を両立
よくある質問
ダイボンダーとフリップチップボンダーの違いは?▾
ダイボンダーは主にダイの裏面(バックサイド)を基板に接着します。フリップチップボンダーはダイを反転(フリップ)させて表面のバンプ電極を基板の電極に直接接合します。先進パッケージでは両方の機能を統合したハイブリッドボンダーも普及しています。
主要装置メーカーは?▾
Besi(蘭)、ASM Pacific Technology(香港)、Kulicke & Soffa(米)、東レエンジニアリング(日)などが主要メーカーです。先進パッケージ需要の拡大で各社が高精度機の開発を加速しています。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | ファスフォードテクノロジDB830plus+ シリーズ | ファスフォードテクノロジDB820 |
|---|---|---|
| 接合方式 | DAF・ペースト(2-in-1) | ペースト(DAF にも対応) |
| シリーズ構成 | DB830plus+D/DB830plus+/DB830plusH/DB830plusS | 単機種(最小 □0.3 mm ダイに対応) |
| 特徴 | 中間ステージ採用・薄ダイボンディング・多段積層 | 小ダイボンディング・高解像度光学検査 |
| 主要用途 | メモリ積層パッケージ・汎用パッケージ | ロジック・アナログ(ASIC)製品 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
製品写真
ファスフォードテクノロジ
DB830plus+ シリーズ
DAFプロセスの積層パッケージとペーストプロセスの汎用品の両方に対応する2-in-1コンセプトの高精度ダイボンダ。ダイレクトモードとパラレルモードを切り替えられる。
| 接合方式 | DAF・ペースト(2-in-1) |
| シリーズ構成 | DB830plus+D/DB830plus+/DB830plusH/DB830plusS |
| 特徴 | 中間ステージ採用・薄ダイボンディング・多段積層 |
| 主要用途 | メモリ積層パッケージ・汎用パッケージ |
製品写真
| 接合方式 | ペースト(DAF にも対応) |
| シリーズ構成 | 単機種(最小 □0.3 mm ダイに対応) |
| 特徴 | 小ダイボンディング・高解像度光学検査 |
| 主要用途 | ロジック・アナログ(ASIC)製品 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
3社の主要メーカー
村田機械(Muratec)日本
半導体ファブ向けAMHS(OHT・ストッカー)と後工程実装周辺装置を手掛ける総合メーカー。Daifukuと並ぶクリーンルーム搬送の主要プレーヤー。
搬送・保管システム
OHTストッカー
実装関連装置
ダイボンダー
- •OHT(天井搬送システム)で世界トップクラスのシェア
- •ストッカー・自動倉庫との統合ソリューション
東レエンジニアリング日本
東レグループのエンジニアリング会社。半導体分野ではフリップチップボンダなどの実装装置、外観検査装置、塗布装置を供給し、先端パッケージ向けの高精度接合に対応する。
実装装置
フリップチップボンダダイボンダ
検査装置
外観検査装置
- •フリップチップボンダの高精度アライメント
- •実装装置と検査装置を横断して供給
ファスフォードテクノロジ日本
半導体製造装置のダイボンダを専業とするメーカー(旧日立ハイテクインスツルメンツのダイボンダ事業を継承)。ダイシング後のチップをリードフレームや基板に接合するダイボンダを開発・製造し、国内外の半導体メーカーと OSAT に供給する。
ダイボンダ
ダイボンダフリップチップボンダ
- •ダイボンダ専業の開発体制
- •メモリ積層など多段ボンディングへの対応
同じ分野の装置カテゴリ
関連用語
比較・違いを学ぶ
TSVとワイヤーボンドの違い|接続密度・帯域幅・コストを比較
TSV(Through Silicon Via、シリコン貫通電極)とワイヤーボンディングはともに半導体チップと外部を電気接続する後工程技術ですが、接続方式・密度…
ハイブリッドボンディングとフリップチップボンディングの違い
どちらもダイとダイ、またはダイと基板を電気的に接続する実装技術ですが、接合メカニズムと達成できる接続密度が根本的に異なります。フリップチップははんだバンプ(直径…
トランスファーモールドとコンプレッションモールドの違い
半導体パッケージの封止(モールド)工程には、金型内にEMC(エポキシモールドコンパウンド)を注入するトランスファーモールドと、金型内にEMCを直接充填・加圧する…
BGAとQFNの違い(パッケージ形式の比較)
BGAは底面全体にはんだボールを格子状に配置し数百〜数千のI/Oを確保する高ピン数向けパッケージ、QFNは側面リードを持たず底面周辺の露出パッドで接続する小型・…
SiPとSoCの違い(集積アプローチの比較)
SoCはCPU・GPU・メモリ・I/Oなどを単一のシリコンダイに集積するアプローチ、SiPは別々に作った複数のダイや受動部品を1つのパッケージ内に統合するアプロ…
WLCSPとFOWLPの違い(ウェハレベルパッケージングの比較)
WLCSPはチップ面積内に端子を収めるファンイン型のウェハレベルパッケージ、FOWLPはチップ外側へ再配線を広げて端子数を増やすファンアウト型です。いずれもパッ…