MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）は現代ICの基本スイッチング素子。ゲート電圧でオン・オフを制御しCPUに数十億個集積される。nMOS・pMOS・CMOSの違い、FinFETからGAAへの微細化進化、パワーMOSFETのEV・電源回路応用をわかりやすく解説。
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）は、現代の集積回路における基本スイッチング素子です。ゲート電極に印加する電圧によってドレイン-ソース間の電流をオン・オフ制御します。CPUやメモリ、スマートフォンのSoCには数十億個のMOSFETが集積されています。
構造はゲート酸化膜（SiO₂またはHigh-K誘電体）・ゲート電極・ソース・ドレイン・チャネルで構成されます。NチャネルMOSFET（NMOS）とPチャネルMOSFET（PMOS）を組み合わせたCMOS構成が、低消費電力なデジタル回路の標準です。ゲート酸化膜の極薄化（~1nm）により High-K/Metal Gate 材料への移行が進んでいます。
微細化に伴いゲート長が縮小するにつれ短チャネル効果が顕在化し、トランジスタ構造はプレーナー型からFinFET、さらにGAA（Gate-All-Around）へと進化しました。製造工程では、サイドウォールスペーサーの形成（エッチバック）・LDD（Lightly Doped Drain）構造・浅接合ソース/ドレインの形成が歩留まりと性能を左右する重要工程です。